CNY65A van de de Kringsraad van IC van de druksensor de Spaanders IC Chip Optocoupler met Fototransistoroutput
temperature sensor ic
,electronic pressure sensors
CNY65A
Optokoppeling, Fototransistoroutput, zeer Hoog Isolatievoltage
Eigenschappen
• Geschat isolatievoltage (RMS omvat gelijkstroom) VIOWM = 1000 VRMS (1450 V-piek)
• Geschat terugkomend piek (herhaald) voltage VIORM = 1000 VRMS
• Dikte door isolatie ≥ 3 mm
• Creepage huidige weerstand volgens VDE 0303/IEC 60112 Vergelijkende Volgende Index: CTI ≥ 200 • Loodvrije component
• Component in overeenstemming met RoHS 2002/95/EG en WEEE 2002/96/EG
Bureau Goedkeuring
• UL1577, dien Nr in. E76222 Systeemcode H, J &K, Dubbele Bescherming
• VAN DIN ENGELSE 60747-5-2 (VDE0884) DIN EN HANGENDE 60747-5-5
• VDE verwante eigenschappen:
• Geschat impulsvoltage (voorbijgaand overvoltage) VIOTM = 8 kV piek
• Het voltage van de isolatietest (het gedeeltelijke voltage van de lossingstest) Vpd = 2,8 kV piek
Toepassingen
Kringen voor veilige beschermende scheiding tegen elektroschok volgens veiligheidsklasse II (versterkte isolatie): Voor appl. klasse I - IV bij leidingenvoltage ≤ 300 V voor appl. klasse I - IV bij leidingenvoltage ≤ 600 V voor appl. klasse I - III bij leidingenvoltage ≤ 1000 V volgens DIN-EN 60747-5-2 (VDE0884)/DIN-EN 60747 - hangende 5-5, lijst 2, geschikt voor: Schakelaar-wijze voedingen, lijnontvanger, computer peripheral interface, de interface van het microprocessorsysteem.
Beschrijving
CNY64/CNY65/CNY66 bestaat uit een fototransistor optisch aan een galliumarsenide infraredemitting diode in 4 wordt gekoppeld speldt plastic pakket dat. De enige componenten worden elkaar opgezet tegenover, verstrekkend een afstand tussen input en output voor hoogste veiligheidsvoorschriften van > 3 mm.
Een deel van koerslijst
| GLB 100NF 50V X7R CL05B104KB5NNNC | SAMSUNG | AC82ODH | SMD0402 |
| GLB 4,7UF 10V X5R 10% CL21A475KPFNNNE | SAMSUNG | ACABOJN | SMD0805 |
| GLB 1NF 2KV X7R 10% CL31B102KJFNNNE | SAMSUNG | ACA9ORJ | SMD1206 |
| GLB 0402 NPO CL05C100JB5NNNC VAN 10PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| GLB 0402 NPO CL05C220JB5NNNC VAN 22PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| GLB 0805 1UF 16V X5R CL21A105KOFNNNE |
SAMSUNG | ACA7OCC | SMD0805 |
| Onderzoek 0402 10K 5% RC0402JR-0710KL |
YAGEO | 1646 | SMD0402 |
| Onderzoek 0402 100K 5% RC0402JR-07100KL | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| Onderzoek 0402 220R 5% RC0402JR-07220RL | YAGEO | 1625 | SMD0402 |
| Onderzoek 0402 0R 5% RC0402JR-070RL |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| Onderzoek 0402 4K7 5% RC0402JR-074K7L |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| Onderzoek 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| Onderzoek 0402 49R9 1% RC0402FR-0749R9L | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| Onderzoek 0402 12K1 1% RC0402FR-0712K1L | YAGEO | 1644 | SMD0402 |
| GLB ELETR 1000UF 50V RF1H102M12.5X25 | NANTUNG | 16+ | SMD |
| C.I MCP9700AT-E/TT | MICROCHIP | AFWJ | Sot23-3 |
| RC0805JR-0710KL | YAGEO | 1630 | SMD0805 |
| DIODO DF06S | Sep | 1611 | Soppenen-4 |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | ZETEX | 1243 | Aan-252 |
| RC0805JR-071ML | YAGEO | 1618 | SMD0805 |
| C.I L7812CV | ST | 620 | Aan-220 |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | LITE-ON | 1644 | Soppenen-6 |
| Onderzoek 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | YAGEO | 1518 | SMD1206 |
| GLB 220NF 100V 10% X7S C2012X7S2A224K085AE | TDK | IB16H30223SD | SMD0805 |
| RC0805JR-07330RL | YAGEO | 1632 | SMD0805 |
| DIODO PTZTE2518B | ROHM | 1639/18B/69 | SMA |
| C.I MT29F4G08ABADAWP: D | MICRON | 1402 | Tsop-48 |
| DIODO SMCJ5.0A-E3/57T | VISHAY | 1632/GDE | SMC |
| C.I ADS8344E | Ti | 4ACZLLK | Ssop-20 |
| C.I DAC 7714U | Ti | 21AQSQT | Soppenen-16 |
Snelle de Omschakelingsdiode SOT23 1N4148W-E3-08 van het RoHSsod123 Geval
De ZODE van LL42-GS08 30V 200mA - 80 Dioden van Signaalschottky
SMBJ170A-E3/52 het Afstand houdenvoltage VISHAY van de piekimpulsmacht 600W 17V
Aan-247 VISHAY-Machtsmosfet 12A 200V P Kanaal IRFP9240PBF
VO0630T Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL
de Weerstanden MMB02070C1802FB200 van 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 Actieve het Deelstatus van de antizwavelsmd Chip Resistor For Telecommunication Thin Film
MMB02070C1503FB200 dunne Filmweerstand 150 KOhms ±1% Weerstand van de het Metaalfilm van MELF 0207
Het Ohmweerstand van SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k, Weerstand van de Antizwavel de Automobielballast
MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W 2/5W 0204 Antizwavel 2,2 KOhms
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
Snelle de Omschakelingsdiode SOT23 1N4148W-E3-08 van het RoHSsod123 Geval |
Diode 75 V 150mA Surface Mount SOD-123
|
|
|
|
De ZODE van LL42-GS08 30V 200mA - 80 Dioden van Signaalschottky |
Diode 30 V 200mA Surface Mount SOD-80 MiniMELF
|
|
|
|
SMBJ170A-E3/52 het Afstand houdenvoltage VISHAY van de piekimpulsmacht 600W 17V |
275V Clamp 2.2A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
|
|
|
Aan-247 VISHAY-Machtsmosfet 12A 200V P Kanaal IRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247AC
|
|
|
|
VO0630T Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-SOIC
|
|
|
|
de Weerstanden MMB02070C1802FB200 van 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
MMB02070C1004FB200 Actieve het Deelstatus van de antizwavelsmd Chip Resistor For Telecommunication Thin Film |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
MMB02070C1503FB200 dunne Filmweerstand 150 KOhms ±1% Weerstand van de het Metaalfilm van MELF 0207 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, 0207 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|
|
|
|
Het Ohmweerstand van SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k, Weerstand van de Antizwavel de Automobielballast |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Thin Film
|
|
|
|
MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W 2/5W 0204 Antizwavel 2,2 KOhms |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, 0204 Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200 Thin Film
|