BNX016-01 Mosfet Machtsmodule SMD/BLOKtype EMI Suppression Filters IC Chip Module
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
●Classificatie
Gebruik geen producten voorbij de geschatte stroom en de nominale spanning aangezien dit tot bovenmatig kan leiden
verwarm en verslechter de isolatieweerstand.
●Opslag en Exploitatievoorwaarden
Gebruik geen producten in een chemische atmosfeer zoals chloorgas, zuur of sulfidegas.
Gebruik geen producten in het milieu dicht bij het organische oplosmiddel.
1. Opslagperiode
BNX-de reeks zou binnen 12 maanden moeten worden gebruikt.
Solderability zou moeten worden gecontroleerd als deze periode wordt overschreden.
2. Opslagvoorwaarden
(1) opslagtemperatuur: -10 aan +40˚C
Relatieve vochtigheid: 15 aan 85% vermijden plotselinge veranderingen in temperatuur en vochtigheid.
(2) sla geen producten in een chemische atmosfeer zoals chloorgas, zuur of sulfidegas op.
●Bericht (het Solderen en het Opzetten)
1. Het schoonmaken
Maak BNX-geen reeks (SMD-Type) schoon.
Alvorens, alstublieft Murata techniek schoon te maken contacteren.
2. Het solderen
Betrouwbaarheidsdalingen met ongepaste het solderen methodes.
Gelieve te solderen door de standaarddie het solderen voorwaarden in het opzetten van informatie worden getoond.
3. Andere
De niveaus van de lawaaiafschaffing als gevolg van Murata EMI afschaffingsfilters EMIFILr
kan, afhankelijk van de gebruikte kringen en ICs variëren, type van lawaai, het opzetten
patroon, opzettende plaats, en andere exploitatievoorwaarden. Ben zeker te controleren en
bevestig vooraf het effect van de lawaaiafschaffing van elke filter, in daadwerkelijk
kringen, enz. alvorens de filter in een ontwerp van het commercieel-doelmateriaal toe te passen.
■De Kenmerken van het toevoegingsverlies
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC