Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > FGH40N60SMD Mosfet st van de Machtsmodule machtsmosfet IGBT Machtsmodule

FGH40N60SMD Mosfet st van de Machtsmodule machtsmosfet IGBT Machtsmodule

fabrikant:
ON Semi / Katalysator Semi
Beschrijving:
IGBT-Gebiedseinde 600 V 80 A 349 W door Gat aan-247-3
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Collector aan Zendervoltage:
600 V
Poort aan Zendervoltage:
± 20 V
Gepulseerde Collectorstroom:
120 A
Gepulseerde Diode Maximum Voorwaartse Stroom:
120 A
Werkende verbindingstemperatuur:
-55 aan +175℃
Opslagtemperatuur:
-55 aan +175℃
Hoogtepunt:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Inleiding

FGH40N60SMDF

600V, 40A-Gebiedseinde IGBT

Eigenschappen

• Maximumverbindingstemperatuur: TJ =175℃

• Positieve Temperaure-Coëfficiënt voor het gemakkelijke parallelle werken

• Hoog huidig vermogen

• Laag verzadigingsvoltage: (Gezeten) VCE =1.9V (Type.) @ IC = 40A

• Hoge inputimpedantie

• Snelle omschakeling

• Haal Parameterdistributie aan

• Volgzame RoHS

Toepassingen

• Zonneomschakelaar, UPS, SMPS, PFC

• Inductie het Verwarmen

Algemene Beschrijving

Gebruikend de Nieuwe Technologie van het Gebiedseinde IGBT, bieden de nieuwe reeksen van Fairchild van Gebiedseinde IGBTs de optimale prestaties voor Zonneomschakelaar, van UPS, van SMPS, van IH en PFC-toepassingen aan waar de lage geleiding en omschakelingsverliezen essentieel zijn.

Absolute Maximumclassificaties

Symbool Beschrijving Classificaties Eenheden
VCES Collector aan Zendervoltage 600 V
VGES Poort aan Zendervoltage ± 20 V
IC Collectorstroom @ TC = 25℃ 80 A
Collectorstroom @ TC = 100℃ 40 A
ICM (1) Gepulseerde Collectorstroom 120 A
ALS Diode Voorwaartse Stroom @ TC = 25℃ 40 A
Diode Voorwaartse Stroom @ TC = 100℃ 20 A
IFM (1) Gepulseerde Diode Maximum Voorwaartse Stroom 120 A
PD Maximummachtsdissipatie @ TC = 25℃ 349 W
Maximummachtsdissipatie @ TC = 100℃ 174 W
TJ Werkende Verbindingstemperatuur -55 tot +175
Tstg De Waaier van de opslagtemperatuur -55 tot +175
TL

Maximumloodtemperaturen. voor het solderen Doeleinden,

1/8“ van geval 5 seconden

300

Nota's: 1: Herhaalde classificatie: Impulsbreedte door max. verbindingstemperatuur die wordt beperkt.

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket
El817b-F 12000 Gr 16+ ONDERDOMPELING
El817c-F 12000 EVERLIGHT 16+ ONDERDOMPELING
EL817S (A) (TA) - F 68000 EVERLIGHT 12+ Soppenen-4
Em639165ts-6G 7930 ETRONTECH 15+ Tsop-54
Em63a165ts-6G 13467 ETRONTECH 14+ Tsop-54
Em78p459akj-g 9386 EMC 15+ Onderdompeling-24
EMI2121MTTAG 5294 OP 15+ DFN
ENC28J60-I/SO 7461 MICROCHIP 16+ Soppenen-28
EP1C3T144C8N 3452 ALTERA 13+ QFP144
EP3C5F256C8N 2848 ALTERA 15+ BGA
EP3C80F780I7N 283 ALTERA 16+ BGA
EP9132 3575 ONDERZOEK 16+ Tqfp-80
Epc1213lc-20 3527 Alt 03+ PLCC20
EPC1213PC8 8853 ALTERA 95+ Onderdompeling-8
EPC2LI20N 2794 ALTERA 13+ PLCC
EPM7032SLC44-10N 2472 ALTERA 13+ PLCC44
EPM7064SLC44-10N 2498 ATLERA 15+ PLCC
EPM7128SQC100-10N 1714 ALTERA 12+ QFP
Era-1SM+ 3210 MINI 15+ Dronkaard-86
ES1B-E3/61T 18000 VISHAY 14+ -214AC
ES2G-E3/52T 12000 VISHAY 16+ SMB
ES2J-E3/52T 12000 VISHAY 13+ -214AA
ES3J 12000 FSC 15+ SMC
ES56031S 3498 S 16+ Soppenen-24
ESAD92-02 6268 FUIJ 16+ Aan-3P
ESD112-B1-02EL E6327 23000 15+ Tslp-2-20
ESD5Z5.0T1G 9000 OP 13+ Zode-523
ESD5Z7.0T1G 12000 OP 16+ Zode-523
ESDA6V1SC5 51000 ST 15+ Sot23-5
In het bijzonder-12E 3991 AI 16+ SMT

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
Het Voltageregelgevers van MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Het Voltageregelgevers van MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten van SMBJ18A -214AA SMBJ Transzorb

Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten van SMBJ18A -214AA SMBJ Transzorb

Clamp Ipp Tvs Diode
Van het Voltageregelgevers van BZX84C12LT1G Zener de de diode225mw SOT−23 Oppervlakte zet op

Van het Voltageregelgevers van BZX84C12LT1G Zener de de diode225mw SOT−23 Oppervlakte zet op

Zener Diode 12 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MUR1620CTG Ultrasnelle de Machtsgelijkrichters 100−600V van de schakelaarwijze 16A

MUR1620CTG Ultrasnelle de Machtsgelijkrichters 100−600V van de schakelaarwijze 16A

Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 8A Through Hole TO-220-3
De Bipolaire NPN PNP Transistors aan-3P van NJW0281G 50W

De Bipolaire NPN PNP Transistors aan-3P van NJW0281G 50W

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Dubbele MOCD213M 2500Vrms SOIC8 - kanaalfototransistor

Dubbele MOCD213M 2500Vrms SOIC8 - kanaalfototransistor

Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 2 Channel 8-SOIC
MJE340G middelhoogvermogen het Siliciumtransistor van 0.5A 300V 20W NPN

MJE340G middelhoogvermogen het Siliciumtransistor van 0.5A 300V 20W NPN

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
MURS260T3G de Oppervlakte van energiebeheeric zet Ultrasnelle Machtsgelijkrichters op

MURS260T3G de Oppervlakte van energiebeheeric zet Ultrasnelle Machtsgelijkrichters op

Diode 600 V 2A Surface Mount SMB
Van de Computeric Chip Logic Gate Optocouplers For van HCPL0600R2 10bps de Verwijdering van de de Grondlijn

Van de Computeric Chip Logic Gate Optocouplers For van HCPL0600R2 10bps de Verwijdering van de de Grondlijn

Logic Output Optoisolator 10Mbps Open Collector 3750Vrms 1 Channel 5kV/µs CMTI 8-SOIC
van het Voltageregelgevers van 200mW 18V SOD−323 Zener de Diode MM3Z18VT1G

van het Voltageregelgevers van 200mW 18V SOD−323 Zener de Diode MM3Z18VT1G

Zener Diode 18 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20pcs