Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > NTMD6N02R2G machtsmosfet Transistors 6,0 Ampèren, 20 Volts het elektronische ic van de de Verhogingswijze Dubbele SO−8 van spaandern−channel Pakket

NTMD6N02R2G machtsmosfet Transistors 6,0 Ampèren, 20 Volts het elektronische ic van de de Verhogingswijze Dubbele SO−8 van spaandern−channel Pakket

fabrikant:
ON Semi / Katalysator Semi
Beschrijving:
Mosfet de Serie20v 3.92A 730mW Oppervlakte zet 8-SOIC op
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Drain−to−Sourcevoltage:
20 V
Het werken en Opslagtemperatuurwaaier:
−55 aan +150°C
Drain−to−Gatevoltage:
20 V
Maximumloodtemperatuur:
260°C
Hoogtepunt:

thyristor diode module

,

low voltage power mosfet

Inleiding

NTMD6N02R2G machtsmosfet Transistors 6,0 Ampèren, 20 Volts


Eigenschappen
• Ultra Lage RDS ()

• Hogere Efficiency die Levensduur batterij uitbreiden

• De Poortaandrijving van het logicaniveau

• De miniatuur Dubbele SOIC−8-Oppervlakte zet Pakket op

• De Hoge snelheid van diodetentoongestelde voorwerpen, Softwarematig herstel

• Gespecificeerde lawineenergie

• SOIC−8 opzettende Verstrekte Informatie

• Het Pb−Freepakket is Beschikbaar
Toepassingen

• DC−DC convertors

• De Controle van de laag Voltagemotor

• Energiebeheer in Draagbare en Battery−Powered-Producten, bijvoorbeeld, Computers, Printers, Cellulaire en Draadloze Telefoons en PCMCIA-Kaarten

MAXIMUMclassificaties (TJ = 25°C tenzij anders vermeld)

Classificatie Symbool Waarde Eenheid
Drain−to−Sourcevoltage VDSS 20 V
Drain−to−Gatevoltage (RGS = 1,0 M) VDGR 20 V
Ononderbroken Gate−to−Sourcevoltage − VGS 12 V
Thermische Weerstand,
Junction−to−Ambient
Totale Machtsdissipatie
Ononderbroken Afvoerkanaal Current@ Ta = 25°C
Ononderbroken Afvoerkanaal Current@ Ta = 70°C
Gepulseerde Afvoerkanaalstroom
RJA
PD
Identiteitskaart
Identiteitskaart
IDM
62.5
2.0
6.5
5.5
50
°C/W
W
A
A
A

MAXIMUMclassificaties (TJ = (voortdurende) 25°C tenzij anders vermeld)

Classificatie Symbool Waarde Eenheid
Het werken en Opslagtemperatuurwaaier TJ, Tstg −55 aan +150 °C
Enige de Lawineenergie − die van Impulsdrain−to−source TJ = 25°C beginnen (VDD = 20 Vdc, VGS = 5,0 Vdc, Piekil = 6,0 Apk, L = 20 MH, RG = 25) EAS 360 mJ
Maximumloodtemperatuur voor het Solderen Doeleinden 10 seconden TL 260 °C

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket
At91sam7s64c-Au 3522 ATMEL 14+ QFP
Atmega88pa-Au 3554 ATMEL 14+ QFP
BFG135 3586 14+ Dronkaard-223
BTA40-600B 3618 ST 16+ Aan-3
IR2184PBF 3650 IRL 16+ Onderdompeling-8
PIC18F452-I/P 3682 MICROCHIP 13+ QFP
PC-5P-3a1b-24V 3714 Panasonic 15+
PIC18LF4520-I/PT 3746 MICROCHIP 16+ QFP
ADF4360-4BCPZ 3778 ADVERTENTIE 16+ LFCSP
ADM2483BRWZ 3810 ADVERTENTIE 14+ SOP
BCM3349KFBG 3842 BROADCOM 14+ BGA
LMD18200T 3874 NS 14+ ZIP11
USBN9603-28M 3906 NS 16+ Soppenen-28
PIC18F2550-I/SP 3938 MICROCHIP 16+ Onderdompeling-28
IRFP360 3970 IRL 13+ Aan-247
HCF4053BM1 4002 ST 15+ SOP
ADP3338AKC-1.8-RL7 4034 ADVERTENTIE 16+ Dronkaard-223
BA3308F-E2 4066 ROHM 16+ Soppenen-14
SPW47N60C3 4098 INF 14+ Aan-247
6RI100G-160 4130 FUJI 14+ MODULE
AD620AN 4162 ADVERTENTIE 14+ ONDERDOMPELING
AD8139ACPZ 4194 ADVERTENTIE 16+ QFN
ADC0804LCN 4226 NS 16+ ONDERDOMPELING
AT89S8253-24PU 4258 ATMEL 13+ ONDERDOMPELING
DF10S 4290 Sep 15+ Smd-4
FZT651TA 4322 ZETEX 16+ SOT223
OPA4227PA 4354 BB 16+ ONDERDOMPELING
TMS320C50PQ80 4386 Ti 14+ QFP
Z85C3008PSC 4418 ZILOG 14+ DIP40
GT60M104 4450 TOS 14+ Aan-3PL

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
Het Voltageregelgevers van MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Het Voltageregelgevers van MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten van SMBJ18A -214AA SMBJ Transzorb

Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten van SMBJ18A -214AA SMBJ Transzorb

Clamp Ipp Tvs Diode
Van het Voltageregelgevers van BZX84C12LT1G Zener de de diode225mw SOT−23 Oppervlakte zet op

Van het Voltageregelgevers van BZX84C12LT1G Zener de de diode225mw SOT−23 Oppervlakte zet op

Zener Diode 12 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
MUR1620CTG Ultrasnelle de Machtsgelijkrichters 100−600V van de schakelaarwijze 16A

MUR1620CTG Ultrasnelle de Machtsgelijkrichters 100−600V van de schakelaarwijze 16A

Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 8A Through Hole TO-220-3
De Bipolaire NPN PNP Transistors aan-3P van NJW0281G 50W

De Bipolaire NPN PNP Transistors aan-3P van NJW0281G 50W

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Dubbele MOCD213M 2500Vrms SOIC8 - kanaalfototransistor

Dubbele MOCD213M 2500Vrms SOIC8 - kanaalfototransistor

Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 2 Channel 8-SOIC
MJE340G middelhoogvermogen het Siliciumtransistor van 0.5A 300V 20W NPN

MJE340G middelhoogvermogen het Siliciumtransistor van 0.5A 300V 20W NPN

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
MURS260T3G de Oppervlakte van energiebeheeric zet Ultrasnelle Machtsgelijkrichters op

MURS260T3G de Oppervlakte van energiebeheeric zet Ultrasnelle Machtsgelijkrichters op

Diode 600 V 2A Surface Mount SMB
Van de Computeric Chip Logic Gate Optocouplers For van HCPL0600R2 10bps de Verwijdering van de de Grondlijn

Van de Computeric Chip Logic Gate Optocouplers For van HCPL0600R2 10bps de Verwijdering van de de Grondlijn

Logic Output Optoisolator 10Mbps Open Collector 3750Vrms 1 Channel 5kV/µs CMTI 8-SOIC
van het Voltageregelgevers van 200mW 18V SOD−323 Zener de Diode MM3Z18VT1G

van het Voltageregelgevers van 200mW 18V SOD−323 Zener de Diode MM3Z18VT1G

Zener Diode 18 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
1pcs