NTMD6N02R2G machtsmosfet Transistors 6,0 Ampèren, 20 Volts het elektronische ic van de de Verhogingswijze Dubbele SO−8 van spaandern−channel Pakket
thyristor diode module
,low voltage power mosfet
NTMD6N02R2G machtsmosfet Transistors 6,0 Ampèren, 20 Volts
Eigenschappen
• Ultra Lage RDS ()
• Hogere Efficiency die Levensduur batterij uitbreiden
• De Poortaandrijving van het logicaniveau
• De miniatuur Dubbele SOIC−8-Oppervlakte zet Pakket op
• De Hoge snelheid van diodetentoongestelde voorwerpen, Softwarematig herstel
• Gespecificeerde lawineenergie
• SOIC−8 opzettende Verstrekte Informatie
• Het Pb−Freepakket is Beschikbaar
Toepassingen
• DC−DC convertors
• De Controle van de laag Voltagemotor
• Energiebeheer in Draagbare en Battery−Powered-Producten, bijvoorbeeld, Computers, Printers, Cellulaire en Draadloze Telefoons en PCMCIA-Kaarten
MAXIMUMclassificaties (TJ = 25°C tenzij anders vermeld)
Classificatie | Symbool | Waarde | Eenheid |
Drain−to−Sourcevoltage | VDSS | 20 | V |
Drain−to−Gatevoltage (RGS = 1,0 M) | VDGR | 20 | V |
Ononderbroken Gate−to−Sourcevoltage − | VGS | 12 | V |
Thermische Weerstand, Junction−to−Ambient Totale Machtsdissipatie Ononderbroken Afvoerkanaal Current@ Ta = 25°C Ononderbroken Afvoerkanaal Current@ Ta = 70°C Gepulseerde Afvoerkanaalstroom |
RJA PD Identiteitskaart Identiteitskaart IDM |
62.5 2.0 6.5 5.5 50 |
°C/W W A A A |
MAXIMUMclassificaties (TJ = (voortdurende) 25°C tenzij anders vermeld)
Classificatie | Symbool | Waarde | Eenheid |
Het werken en Opslagtemperatuurwaaier | TJ, Tstg | −55 aan +150 | °C |
Enige de Lawineenergie − die van Impulsdrain−to−source TJ = 25°C beginnen (VDD = 20 Vdc, VGS = 5,0 Vdc, Piekil = 6,0 Apk, L = 20 MH, RG = 25) | EAS | 360 | mJ |
Maximumloodtemperatuur voor het Solderen Doeleinden 10 seconden | TL | 260 | °C |
Hete voorraadaanbieding (verkoop)
Artikelnummer. | Hoeveelheid | Merk | D/C | Pakket |
At91sam7s64c-Au | 3522 | ATMEL | 14+ | QFP |
Atmega88pa-Au | 3554 | ATMEL | 14+ | QFP |
BFG135 | 3586 | 14+ | Dronkaard-223 | |
BTA40-600B | 3618 | ST | 16+ | Aan-3 |
IR2184PBF | 3650 | IRL | 16+ | Onderdompeling-8 |
PIC18F452-I/P | 3682 | MICROCHIP | 13+ | QFP |
PC-5P-3a1b-24V | 3714 | Panasonic | 15+ | |
PIC18LF4520-I/PT | 3746 | MICROCHIP | 16+ | QFP |
ADF4360-4BCPZ | 3778 | ADVERTENTIE | 16+ | LFCSP |
ADM2483BRWZ | 3810 | ADVERTENTIE | 14+ | SOP |
BCM3349KFBG | 3842 | BROADCOM | 14+ | BGA |
LMD18200T | 3874 | NS | 14+ | ZIP11 |
USBN9603-28M | 3906 | NS | 16+ | Soppenen-28 |
PIC18F2550-I/SP | 3938 | MICROCHIP | 16+ | Onderdompeling-28 |
IRFP360 | 3970 | IRL | 13+ | Aan-247 |
HCF4053BM1 | 4002 | ST | 15+ | SOP |
ADP3338AKC-1.8-RL7 | 4034 | ADVERTENTIE | 16+ | Dronkaard-223 |
BA3308F-E2 | 4066 | ROHM | 16+ | Soppenen-14 |
SPW47N60C3 | 4098 | INF | 14+ | Aan-247 |
6RI100G-160 | 4130 | FUJI | 14+ | MODULE |
AD620AN | 4162 | ADVERTENTIE | 14+ | ONDERDOMPELING |
AD8139ACPZ | 4194 | ADVERTENTIE | 16+ | QFN |
ADC0804LCN | 4226 | NS | 16+ | ONDERDOMPELING |
AT89S8253-24PU | 4258 | ATMEL | 13+ | ONDERDOMPELING |
DF10S | 4290 | Sep | 15+ | Smd-4 |
FZT651TA | 4322 | ZETEX | 16+ | SOT223 |
OPA4227PA | 4354 | BB | 16+ | ONDERDOMPELING |
TMS320C50PQ80 | 4386 | Ti | 14+ | QFP |
Z85C3008PSC | 4418 | ZILOG | 14+ | DIP40 |
GT60M104 | 4450 | TOS | 14+ | Aan-3PL |

Het Voltageregelgevers van MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 Zener

Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten van SMBJ18A -214AA SMBJ Transzorb

Van het Voltageregelgevers van BZX84C12LT1G Zener de de diode225mw SOT−23 Oppervlakte zet op

MUR1620CTG Ultrasnelle de Machtsgelijkrichters 100−600V van de schakelaarwijze 16A

De Bipolaire NPN PNP Transistors aan-3P van NJW0281G 50W

Dubbele MOCD213M 2500Vrms SOIC8 - kanaalfototransistor

MJE340G middelhoogvermogen het Siliciumtransistor van 0.5A 300V 20W NPN

MURS260T3G de Oppervlakte van energiebeheeric zet Ultrasnelle Machtsgelijkrichters op

Van de Computeric Chip Logic Gate Optocouplers For van HCPL0600R2 10bps de Verwijdering van de de Grondlijn
