CY62157EV30LL-45BVXI elektronische IC-Spaanders 8-Mbit (512K x 16) Statisch RAM

CY62157EV30 MoBL®

8-Mbit (512K x 16) Statisch RAM

Eigenschappen

• Het pakket van TSOP I configureerbaar als 512K x 16 of als 1M x 8 SRAM

• Hoge snelheid: 45 NS

• Brede voltagewaaier: 2.20V-3.60V

• Speld compatibel met CY62157DV30

• Ultra lage reservemacht

— Typische Reservestroom: 2 µA

— Maximum Reservestroom: (Industriële) 8 µA

• Ultra lage actieve macht

— Typische actieve stroom: 1.8 mA @ F = 1 Mhz

• Gemakkelijke geheugenuitbreiding met de eigenschappen van CE1, van CE2, en OE-

• Automatische macht wanneer neer geschrapt

• CMOS voor optimale snelheid en macht

• Beschikbaar in zowel Pb-Vrije als niet Pb-Vrije 48 bal VFBGA,

Pb-vrije 44 speld de speldtsop I pakketten van TSOP II en 48

Functionele Beschrijving ^[1]

CY62157EV30 is hoge prestaties CMOS statisch die RAM als 512K-woorden door 16 beetjes wordt georganiseerd. Dit apparaat kenmerkt geavanceerd kringsontwerp om ultra lage actieve stroom te verstrekken. Dit is ideaal voor het verstrekken van Meer Batterij Life™ (MoBL®) in draagbare toepassingen zoals cellulaire telefoons. Het apparaat heeft ook een automatische macht onderaan eigenschap die beduidend machtsconsumptie vermindert wanneer de adressen niet van een knevel voorzien. Plaats het apparaat in reservewijze wanneer geschrapt (HOOG Ce₁ of LAAG Ce₂ of zowel BHE als BLE is HOOG). De input of outputspelden (IO₀ door IO₁₅)wordengeplaatstineenhogeimpedantiestaatwanneer:

• Geschrapt (HOOG Ce₁of LAAGCe₂)

• De output is gehandicapt (OE HOOG)

• Zowel laat toe de Bytehoogte en Lage de Byte laat is gehandicapt toe (BHE, BLE HOOG)

• Schrijf de verrichting actief is (LAAG Ce₁, HOOG Ce₂ en LAAG WIJ)

Om aan het apparaat te schrijven, Chip Enable (LAAG Ce₁ en HOOG Ce₂) nemen en te schrijven laat (WIJ) LAGE input toe. Als Lage de Byte (BLE) LAAG is toelaat, dan het gegeven van IO-spelden (IO₀ door IO₇)indeplaats geschreven wordtopdeadresspeldenwordtgespecificeerd(A₀ door A_{18 die}). AlsdeBytehoogte(BHE)LAAGistoelaat, danhetgegevenvanIO-spelden(IO₈ door IO₁₅)indeplaats geschreven wordtopdeadresspeldenwordtgespecificeerd(A₀ door A_{18 die}).

Om van het apparaat te lezen, neem Chip Enable (LAAG Ce₁ en HOOG Ce₂) en de Output laat (OE) LAAG toe terwijl het dwingen van Write toelaat (WIJ) HOOGTE. Als Lage de Byte (BLE) LAAG is toelaat, dan de gegevens van de geheugenplaats door de adresspelden op IO₀ aan IO_{7 die} wordt gespecificeerd verschijnen. AlsdeBytehoogte(BHE)LAAGistoelaat, dandegegevensvangeheugenopIO₈ aan IO₁₅verschijnen.

Het Diagram van het logicablok

Nota's 1. Voor best practiceaanbevelingen, gelieve te verwijzen naar de nota AN1064, SRAM-Systeemrichtlijnen van de Ciprestoepassing

Maximumclassificaties

Het overschrijden van maximumclassificaties kan de levensduur batterij van het apparaat verkorten. De gebruikersrichtlijnen worden niet getest.

Opslagtemperatuur ......................................................................... – 65°C aan + 150°C

Omgevingstemperatuur met Macht ........................................... – 55°C wordt toegepast op + 125°C die

Leveringsvoltage om Potentieel ................................ – 0.3V aan 3.9V (VCCmax + 0.3V) aan de grond te zetten

Gelijkstroom-Voltage op Output in Staat hoog-Z ^{[6, 7] wordt} toegepast ......... – 0.3V aan 3.9V (VCCmax + 0.3V die)

Gelijkstroom-Inputvoltage ^{[6, 7]} .................................................... – 0.3V aan 3.9V (maximum VCC + 0.3V)

Outputstroom in (LAGE) Output ....................................................................... 20 mA

Statisch Lossingsvoltage ....................................... > 2001V (mil-std-883, Methode 3015)

Klink omhoog Huidige ............................................................................................... > 200 mA

Hete voorraadaanbieding (verkoop)