CNY66B elektronisch IC Chips Optocoupler met Fototransistoroutput
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
CNY64/CNY65/CNY66
Optokoppeling, Fototransistoroutput, zeer Hoog Isolatievoltage
Eigenschappen
• Geschat isolatievoltage (RMS omvat gelijkstroom) VIOWM = 1000 VRMS (1450 V-piek)
• Geschat terugkomend piek (herhaald) voltage VIORM = 1000 VRMS
• Dikte door isolatie ≥ 3 mm
• Creepage huidige weerstand volgens VDE 0303/IEC 60112 Vergelijkende Volgende Index: CTI ≥ 200
• Loodvrije component
• Component in overeenstemming met RoHS 2002/95/EG en WEEE 2002/96/EG
Bureau Goedkeuring
• UL1577, dien Nr in. E76222 Systeemcode H, J &K, Dubbele Bescherming
• VAN DIN ENGELSE 60747-5-2 (VDE0884) DIN EN HANGENDE 60747-5-5
• VDE verwante eigenschappen:
• Geschat impulsvoltage (voorbijgaand overvoltage) VIOTM = 8 kV piek
• Het voltage van de isolatietest (het gedeeltelijke voltage van de lossingstest) Vpd = 2,8 kV piek
Toepassingen
Kringen voor veilige beschermende scheiding tegen elektroschok volgens veiligheidsklasse II (versterkte isolatie):
Voor appl. klasse I - IV bij leidingenvoltage ≤ 300 V
Voor appl. klasse I - IV bij leidingenvoltage ≤ 600 V
Voor appl. klasse I - III bij leidingenvoltage ≤ 1000 V volgens DIN-EN 60747-5-2 (VDE0884)/DIN-EN 60747 - hangende 5-5, lijst 2, geschikt voor:
Schakelaar-wijze voedingen, lijnontvanger, computer peripheral interface, de interface van het microprocessorsysteem.
Beschrijving
CNY64/CNY65/CNY66 bestaat uit een fototransistor optisch aan een galliumarsenide infraredemitting diode in 4 wordt gekoppeld speldt plastic pakket dat.
De enige componenten worden elkaar opgezet tegenover, verstrekkend een afstand tussen input en output voor hoogste veiligheidsvoorschriften van > 3 mm.
Absolute Maximumclassificaties
Tamb = 25 °C, tenzij anders gespecificeerd
Beklemtoont meer dan de absolute Maximumclassificaties kan permanente schade aan het apparaat veroorzaken. De functionele verrichting van het apparaat is niet impliciet bij deze of een andere voorwaarden meer dan die gegeven in de operationele hoofdstukken van dit document. De blootstelling aan absolute Maximumclassificatie voor lange perioden van de tijd kan betrouwbaarheid ongunstig beïnvloeden.
| Parameter | Beproevingsomstandigheid | Symbool | Waarde | Eenheid |
|---|---|---|---|---|
| Input | ||||
| Omgekeerd voltage | VR | 5 | V | |
| Voorwaartse stroom | ALS | 75 | mA | |
| Voorwaartse schommelingsstroom | tp ≤ 10 µs | IFSM | 1.5 | A |
| Machtsdissipatie | Pdiss | 120 | mw | |
| Verbindingstemperatuur | Tj | 100 | °C | |
| Output | ||||
| Het voltage van de collectorzender | VCEO | 32 | V | |
| Het voltage van de zendercollector | VECO | 7 | V | |
| Collectorstroom | IC | 50 | mA | |
| Collector piekstroom | tp/T = 0,5, tp Mej. ≤ 10 | ICM | 100 | mA |
| Machtsdissipatie | Pdiss | 130 | mw | |
| Verbindingstemperatuur | Tj | 100 | °C | |
| Koppeling | ||||
| AC het voltage van de isolatietest (RMS) | t = 1 min | VISO | 8.2 | kV |
| Totale machtsdissipatie | Ptot | 250 | mw | |
| Omgevingstemperatuurwaaier | Tamb | - 55 aan + 85 | °C | |
| De waaier van de opslagtemperatuur | Tstg | - 55 aan + 100 | °C | |
| Het solderen temperatuur | 2 mm van geval, t ≤ 10 s | Tsld | 260 | °C |
Hete voorraadaanbieding (verkoop)
| Artikelnummer. | Hoeveelheid | Merk | D/C | Pakket |
| IRFU220NPBF | 1820 | IRL | 13+ | Aan-251 |
| MCP73871-2CCI/ML | 1820 | MICROCHIP | 15+ | QFN |
| PC410L | 1821 | SCHERP | 16+ | SOP5 |
| AT24C01 ONDERDOMPELING | 1822 | ATMEL | 16+ | ONDERDOMPELING |
| IRF530NPBF | 1822 | IRL | 14+ | Aan-220 |
| TNY280PN | 1822 | MACHT | 14+ | Onderdompeling-7 |
| 74HC595 | 1841 | 14+ | SOP | |
| 3296w-1-503IF | 1850 | BOURNS | 16+ | ONDERDOMPELING |
| LT1172CT | 1850 | LT. | 16+ | To220-5 |
| A4506 | 1875 | ANAGO | 13+ | Soppenen-8 |
| APM4546 | 1877 | ANPEC | 15+ | Soppenen-8 |
| HCS360/SN | 1879 | MICROC | 16+ | SOP8 |
| HEF4069UBT | 1887 | 16+ | SOP14 | |
| IRF1010EPBF | 1887 | IRL | 14+ | Aan-220 |
| 2N2907A | 1888 | ST | 14+ | CAN3 |
| MCP609-I/SL | 1888 | MICROCHIP | 14+ | Soppenen-14 |
| ST72F321BJ9T6 | 1888 | ST | 16+ | QFP |
| W25X40BVSSIG | 1888 | WINBOND | 16+ | SOP8 |
| CD4017BE | 1889 | Ti | 13+ | ONDERDOMPELING |
| ADA4899-1YRDZ | 1895 | ADVERTENTIE | 15+ | SOP8 |
| PIC18F26K20-I/SO | 1900 | MICROCHIP | 16+ | SOP28 |
| MC34064P-5G | 1941 | OP | 16+ | TO92 |
| BQ27510DRZR | 1955 | Ti | 14+ | Zoon-12 |
| AK4420ET | 1975 | AKM | 14+ | TSSOP16 |
| AD7541AJN | 1990 | ADVERTENTIE | 14+ | Onderdompeling-18 |
| PIC18F97J60-I/PT | 1990 | MICROCHIP | 16+ | QFP |
| XC3S400-4TQG144C | 1990 | XILINX | 16+ | Tqfp-144 |
| FA5571N | 1991 | FUJI | 13+ | SOP8 |
| MBR1045G | 1991 | OP | 15+ | Aan-220 |
| A2231 | 1997 | AVAGO | 16+ | Onderdompeling-8 |
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC