VISHAY
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
Snelle de Omschakelingsdiode SOT23 1N4148W-E3-08 van het RoHSsod123 Geval |
Diode 75 de Oppervlakteonderstel zode-123 van V 150mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
De ZODE van LL42-GS08 30V 200mA - 80 Dioden van Signaalschottky |
Diode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet zode-80 MiniMELF op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SMBJ170A-E3/52 het Afstand houdenvoltage VISHAY van de piekimpulsmacht 600W 17V |
275V de de Diodeoppervlakte van klem2.2a Ipp TVs zet -214AA (SMBJ) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 Algemene rechtgever Diode P-kanaal met 150W door het gat |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
Aan-247 VISHAY-Machtsmosfet 12A 200V P Kanaal IRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VO1400AEFTR Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Spst-GEEN het in vaste toestand (1 Vorm A) 4-sopt (0,173“, 4.40mm)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-60CPQ150PBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 150 V 30A door Gat aan-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-36MB160A Transistor met veldeffect |
QC van de Enige Fasestandard 1,6 kV van de bruggelijkrichter Terminal D-34
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-kanaal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) door gat TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF veld-effect transistor NIEUW EN ORIGINAAL |
N-kanaal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) door gat TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBRB10100-E3/8W Nieuwe en originele voorraad |
Diode 100 V 10A met oppervlaktebevestiging TO-263AB (D2PAK)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-HFA25PB60PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 25A door Gewijzigd Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TCMT1107 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Het de Output3750vrms 1 Kanaal van de Optoisolatortransistor 4-sopt
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N5245B-KRAAN NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Zenerdiode 15 V 500 mw ±5% door Gat -35 (-204AH)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SUD17N25-165-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 250 V 17A (Tc) 3W (Ta) de Oppervlakte, van 136W (Tc) zet aan-252AA op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF veld-effect transistor NIEUW EN ORIGINAAL |
N-kanaal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) door gat TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-63CPQ100PBF Transistor met veldeffect |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke katode 100 V 30A door gat TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9540PBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640STRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
P-Channel 200 V 11A (Tc) 3W (Ta) de Oppervlakte, van 125W (Tc) zet D ² PAK (aan-263) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
P-Channel 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-ETH1506S-M3 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diode 600 de Oppervlakte van V 15A zet aan-263AB (D ² PAK) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VO0630T Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Kanaal 1kV/μs CMTI 8-SOIC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-kanaal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) door gat TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-HFA25TB60PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 25A door Gat aan-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
PDTC144ET Chip Diode Nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire transistors met voorgevoeligheid (BJT)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
V40150C-E3/4W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 150 V 20A door Gat aan-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF830BPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
S3D-E3/57T NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 200 de Oppervlakte van V 3A zet -214AB (SMC) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI3456DDV-T1-GE3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta) de Oppervlakte, van 2.7W (Tc) zet 6-TSOP op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SUP85N03-04P-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 166W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SIR688DP-T1-GE3 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5.4W (Ta) de Oppervlakte, van 83W (Tc) zet PowerPAK® zo-8 op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BYG10M-E3/TR Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diode 1000 de Oppervlakte van V 1.5A zet -214AC (SMA) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SMAJ48A-E3/61 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
77.4V de de Diodeoppervlakte van klem5.2a Ipp TVs zet -214AC (SMA) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
P6SMB24A-E3/52 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
33,2V Klem 18,1A Ipp Tvs Diode Opbouwmontage DO-214AA (SMB)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-EPH3006-F3 Nieuwe en originele voorraad |
Diode 600 V 30A Through-hole TO-247AC gemodificeerd
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
43CTQ100 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 20A Through-hole TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-30CPQ100PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 15A Through-hole TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-30CPH03PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 300 V 15A Through-hole TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
Si7615adn-t1-GE3 Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta) de Oppervlakte, van 52W (Tc) zet PowerPAK® 1212-8 op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP264PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 250 V 38A (Tc) 280W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460LCPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP22N50APBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840STRLPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta) de Oppervlakte, van 125W (Tc) zet D ² PAK (aan-263) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-ETX0806FP-M3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 8A door Gat aan-220-2 Volledig Pak
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-ETU1506FP-M3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 15A door Gat aan-220-2 Volledig Pak
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
de Weerstanden MMB02070C1802FB200 van 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF |
18 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, anti-Zwavel 0207, Automobiel aec-Q200 verdunnen Film
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MMB02070C1004FB200 Actieve het Deelstatus van de antizwavelsmd Chip Resistor For Telecommunication Thin Film |
1 MOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, anti-Zwavel 0207, Automobiel aec-Q200 verdunt Film
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MMB02070C1503FB200 dunne Filmweerstand 150 KOhms ±1% Weerstand van de het Metaalfilm van MELF 0207 |
150 kOhms ±1% 1W Chip Resistor MELF, anti-Zwavel 0207, Automobiel aec-Q200 verdunnen Film
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
Het Ohmweerstand van SMM02040C3903FB300 MELF 0204 390k, Weerstand van de Antizwavel de Automobielballast |
390 kOhms ±1% 0.25W, 1/4W die Chip Resistor MELF, 0204 anti-Zwavel, Automobiel aec-Q200, Impuls Dunn
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MMA02040C2201FB300 SMD Chip Resistor 0.4W 2/5W 0204 Antizwavel 2,2 KOhms |
2.2 kOhms ±1% 0.4W, 2/5W Chip Resistor MELF, anti-Zwavel 0204, Automobiel aec-Q200 verdunnen Film
|
VISHAY
|
|
|