Filters
Filters
elektronische ic spaanders
Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
PDZ3.3B,115 Hoogspanningsdiode |
Zenerdiode 3,3 V 400 mw ±2% Oppervlakteonderstel zode-323
|
Nexperia
|
|
|
||
PMLL4448,135 High Power Diode Nieuwe en originele voorraad |
Diode 75 de Oppervlakte van V 200mA zet LLDS op; MiniMelf
|
Nexperia
|
|
|
||
BAW56S,135 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diodearray 2 paar gemeenschappelijke anode 90 V 250mA (DC) Opbouwmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
Nexperia
|
|
|
||
BC807,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 80MHz (van BJT) 250 mw-Oppervlakte zet aan-236AB op
|
Nexperia
|
|
|
||
BCP52-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 60 V 1 een 50MHz 1,4 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
BCP54-16E6433 Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 1 een 100MHz 2 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
Infineon
|
|
|
||
BCP54-16-TP Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 1 een 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
||
BCP5416TA Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 1 een 150MHz 2 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223-3 (van BJT)
|
DIODEN
|
|
|
||
VS-ETH1506-M3 Geïsoleerde poort veld effect transistor Nieuw en origineel |
Diode 600 V 15A door Gat aan-220AC
|
VISHAY
|
|
|
||
10CTQ150 VISHAY High Power Mosfet Transistors Nieuwe originele ROHS-certificering |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 150 V 5A door Gat aan-220-3
|
VISHAY
|
|
|
||
ROHS-standaardveld-effecttransistor IRLR024NTRPBF Logo aangepast |
N-Channel de Oppervlakte 55 van V 17A (Tc) 45W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
||
Precision Field Effect Transistor ROHS goedgekeurd SIHW30N60E-GE3 |
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Door Gat aan-247AD
|
VISHAY
|
|
|
||
BAT54A Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Anode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59, dr
|
Fairchild
|
|
|
||
BAT54C Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59,
|
Good-Ark halfgeleider
|
|
|
||
BAT54S Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59, dron
|
Good-Ark halfgeleider
|
|
|
||
BAT54SW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 30 de Oppervlakte van V 200mA zet Sc-70, dronkaard-323 o
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
||
BAT54SW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet Sc-70,
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
||
BAT54W Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
Diode 30 de Oppervlakteonderstel dronkaard-323 van V 200mA
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
||
BAT54W Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
Diode 30 de Oppervlakteonderstel dronkaard-323 van V 200mA
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
||
BAT721C,215 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 40 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT721S,215 Nieuw en oorspronkelijk bestand |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 40 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-236
|
NXP
|
|
|
||
BAT721S_R1_00001 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 40 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-236
|
Vervaardiging
|
|
|
||
BAT721S,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 40 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-236
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-253-4, aan-253AA op
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74,235 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-253-4, aan-253AA op
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74S,135 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL |
Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet 6-TSSOP, Sc-88, dronkaa
|
NXP
|
|
|
||
BAT74S/S500X Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Diodeserie 30 V-Oppervlakte zet aan-253-4, aan-253AA op
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74S,135 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL |
Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet 6-TSSOP, Sc-88, dronkaa
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT74S,115 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet 6-TSSOP, Sc-88, dronkaa
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT 754S,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-236
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT 754L,115 Transistor met veldeffect |
Diodeserie 3 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet 6-TSSOP, Sc-88, dronkaa
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT760Z Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Diode 20 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 1A
|
Nexperia
|
|
|
||
BAT760Q-7 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL |
Diode 30 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 1A
|
DIODEN
|
|
|
||
BAT 760,115 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Diode 20 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 1A
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV102 veld-effect transistor nieuw en origineel |
Diode 150 de Oppervlakteonderstel zode-80 van V 200mA
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
||
BAV170 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 85 van V 125mA (gelijkstroom) zet aan
|
DIODEN
|
|
|
||
BAV170 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 85 van V 125mA (gelijkstroom) zet aan
|
Nexperia
|
|
|
||
BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 200 V 200mA door Gat -35
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
||
BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 150 V 200mA door Gat -35
|
DIODEN
|
|
|
||
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 200 V 200mA door Gat -35
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
||
BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 150 V 250mA Through-hole DO-35
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
||
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 250 V 200mA door Gat -35
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
||
BC846B Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
||
BC846BW Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
||
BAT54CW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet Sc-70, dronkaard-3
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
||
GRM1555C1H390JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad |
39 pF ±5% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
|
Murata
|
|
|
||
GRM1555C1H471GA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad |
470 pF ±2% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
|
Murata
|
|
|
||
GRM1555C1H470JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad |
47 pF ±5% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
|
Murata
|
|
|
||
GRM1555C1H431JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad |
430 pF ±5% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
|
Murata
|
|
|
||
GRM1555C1H430JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad |
43 pF ±5% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
|
Murata
|
|
|