SM6T15CAY Oppervlakte van het het Voltageontstoringsapparaat van TVs zet de Voorbijgaande op
fabrikant:
STMicroelectronics
Beschrijving:
de de Diodeoppervlakte 27.2V van klem147a (8/20µs) Ipp TVs zet SMB (-214AA) op
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
To be negotiated
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
PN:
SM6T15CA
Merk:
ST
Origineel:
De V.S.
Type:
Voorbijgaand Voltageontstoringsapparaat
Macht:
600Watts
Opzettende manier:
De oppervlakte zet op
pakket:
SMB -214AA
Voltagewaaier:
6.8v aan 220 V.
Hoogtepunt:
600W TVS Transient Voltage Suppressor
,SM6T15CA Voltage Suppressor
,6.8v Surface Mount Voltage Suppressor
Inleiding
SM6T15CA600 Watt TVS-oppervlakte-oppervlakte-overbrengingssysteem
GESCHIEDENIS
■ Piekimpulsvermogen: 600 W (10/1000 μs)
■ Spanningsbereik: van 6,8 V tot 220 V.
■ Uni en bidirectionele typen
■ lage klemfactor
■ Snelle reactietijd
■ Het herkennen van
Beschrijving
Transildioden bieden bescherming tegen hoge overspanning door middel van een klemwerking.
Hun onmiddellijke reactie op tijdelijke overspanningen maakt ze bijzonder
geschikt voor de bescherming van spanningsgevoelige apparaten zoals MOS-technologie en laagspanningsgevoede IC's.
VERWANTE PRODUCTEN
Van het de Transistorssilicium van 2SD1899 NPN PNP Voltage van de de Collectorverzadiging het Materiële Lage
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
Van de het Voltagestroompiekbeveiliging van BZW50-39BRL 180V Transil Voorbijgaande TVs 5000W
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
Voorbijgaande het Voltagestroompiekbeveiliging -15 van P6KE440ARL 15kV 600W
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
De Transistors 60V 10A 50W van D45H8 NPN PNP door Gat AAN de Hoge Prestaties van 220AB
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
TIP42C bipolaire de Transistors100v 6A Huidige 65W Macht HFE van NPN PNP Groepering
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
2N7002 Chipdiode NUWE EN ORIGINALE voorraad
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 Nieuwe en originele voorraden
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 Nieuwe en originele voorraden
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
| Beeld | deel # | Beschrijving | |
|---|---|---|---|
|
|
Van het de Transistorssilicium van 2SD1899 NPN PNP Voltage van de de Collectorverzadiging het Materiële Lage |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
Van de het Voltagestroompiekbeveiliging van BZW50-39BRL 180V Transil Voorbijgaande TVs 5000W |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
|
|
|
|
Voorbijgaande het Voltagestroompiekbeveiliging -15 van P6KE440ARL 15kV 600W |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
|
|
|
|
De Transistors 60V 10A 50W van D45H8 NPN PNP door Gat AAN de Hoge Prestaties van 220AB |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
TIP42C bipolaire de Transistors100v 6A Huidige 65W Macht HFE van NPN PNP Groepering |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
|
|
|
|
2N7002 Chipdiode NUWE EN ORIGINALE voorraad |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
|
|
|
|
BCP52-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
|
|
|
|
STW45NM60 Nieuwe en originele voorraden |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
|
|
|
|
STP110N8F6 Nieuwe en originele voorraden |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
|
|
|
|
STP110N7F6 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
|
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs