Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > Van het de Transistorssilicium van 2SD1899 NPN PNP Voltage van de de Collectorverzadiging het Materiële Lage

Van het de Transistorssilicium van 2SD1899 NPN PNP Voltage van de de Collectorverzadiging het Materiële Lage

fabrikant:
STMicroelectronics
Beschrijving:
De bipolaire Transistor PNP 60 V 10 A 50 W (van BJT) door Gat aan-220
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, BORG
Specificaties
Collectorstroom (gelijkstroom):
3A
Collector-Base Voltage:
60 V
Collector-zender voltage:
60 V
Emitter-base voltage:
7V
Frequentie:
120MHz
Machtverlies:
2w
Transistorpolariteit:
NPN
Werkende Temperaturenwaaier:
-55C aan 150C
Hoogtepunt:

epitaxial planar pnp transistor

,

silicon npn power transistors

Inleiding

2SD1899 NPN PNP Transistors Silicium NPN PowerTransistor

Beschrijving

·Lagte verzadigingsspanning van de collector

·100% lawine getest

·Minimum variaties van partij tot partij voor een robuuste prestatie van het apparaat en een betrouwbare werking


GEBRUIKEN

·Toepassingen met hoge overgangsfrequentie

Specificaties

Categorie: BJT - Algemeen doel
Vervaardiger: RENESAS TECHNOLOGY
Kollektorstroom (DC): 3 ((A)
Verzamelaar-basisspanning: 60 V
Verzamelaar-emitterspanning: 60 ((V)
Verwijderingsspanning: 7 ((V)
Frequentie: 120 (MHz)
Energieverlies: 2 (W)
Montage: op het oppervlak bevestigd
Werktemperatuurbereik: -55 °C tot 150 °C
Pakkettype: TO-252
Pinnetelling: 2 +Tab
Aantal elementen: 1
Werktemperatuur: Militair
Categorie: Bipolaire kracht
Radgehard: Nee
Transistorpolariteit: NPN
Uitgangsvermogen: niet vereist ((W)
Configuratie: enkelvoudig
DC-stroomvergroting: 60@0,2A@2V/50@2A@2V

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
Van de het Voltagestroompiekbeveiliging van BZW50-39BRL 180V Transil Voorbijgaande TVs 5000W

Van de het Voltagestroompiekbeveiliging van BZW50-39BRL 180V Transil Voorbijgaande TVs 5000W

90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
Voorbijgaande het Voltagestroompiekbeveiliging -15 van P6KE440ARL 15kV 600W

Voorbijgaande het Voltagestroompiekbeveiliging -15 van P6KE440ARL 15kV 600W

776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
De Transistors 60V 10A 50W van D45H8 NPN PNP door Gat AAN de Hoge Prestaties van 220AB

De Transistors 60V 10A 50W van D45H8 NPN PNP door Gat AAN de Hoge Prestaties van 220AB

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
TIP42C bipolaire de Transistors100v 6A Huidige 65W Macht HFE van NPN PNP Groepering

TIP42C bipolaire de Transistors100v 6A Huidige 65W Macht HFE van NPN PNP Groepering

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
SM6T15CAY Oppervlakte van het het Voltageontstoringsapparaat van TVs zet de Voorbijgaande op

SM6T15CAY Oppervlakte van het het Voltageontstoringsapparaat van TVs zet de Voorbijgaande op

27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
2N7002 Chipdiode NUWE EN ORIGINALE voorraad

2N7002 Chipdiode NUWE EN ORIGINALE voorraad

N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

BCP52-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 Nieuwe en originele voorraden

STW45NM60 Nieuwe en originele voorraden

N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 Nieuwe en originele voorraden

STP110N8F6 Nieuwe en originele voorraden

N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

STP110N7F6 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10 PCS