Het glas passiveerde Eenrichtings en Tweerichtings Voorbijgaande Voltageontstoringsapparaten 1.5KE82C
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
1.5KE REEKS
De voorbijgaande Dioden van het Voltageontstoringsapparaat
Eigenschappen
*UL erkend Dossier # e-96005
het *Plastic pakket heeft de Brandbaarheidsclassificatie 94V-0 van het Borgenlaboratorium
*Exceeds milieunormen van mil-std-19500
*1500W schommelingsvermogen bij 10 x 100 ons golfvorm, plichtscyclus: 0,01%
*Excellent het vastklemmen vermogen
de impedantie van *Low zener
*Fast reactietijd: Minder dan typisch 1.0ps van 0 volts aan
*VBR voor eenrichtings en 5,0 NS voor tweerichtings
*Typical IRL minder dan 1uA boven 10V
* Solderen het op hoge temperatuur waarborgde: 260°C/10 seconden/.375“, (9.5mm)
loodleCM GROUPe/5lbs., (2.3kg) spanning
Mechanische Gegevens
*Case: Gevormd plastiek
*Lead: Aslood, solderable per mil-std-202, Lood: Methode 208
*Polarity: De kleurenband duidt kathode behalve bipolair aan
*Weight: 0.94gram
Voltagewaaier 6,8 tot 440 Volts
1500 Watts Piekmacht
5,0 Watts Regelmatige Staat
Maximumclassificaties en Elektrokenmerken
Schattend bij 25°C omgevingstemperatuur tenzij anders gespecificeerd.
Enige halve fase, - golf, 60 Herz, weerstand biedend of aanleidinggevende lading.
Voor capacitieve lading, derate stroom door 20%
| Typeaantal | Symbool | Waarde | Eenheden |
| Piekmachtsdissipatie bij Ta =25O°C, Tp =1ms (Nota 1) | PPK | Minimum1500 | Watts |
| De Machtsdissipatie van de regelmatige Staat bij TL het LoodleCM GROUPen .375 van =75 °C“, 9.5mm (Nota 2) | PD | 5.0 | Watts |
|
Piek Voorwaartse Schommelingsstroom, 8,3 Mej. Enige Halve Sinus golf op Geschatte Lading wordt toegevoegd (JEDEC-methode die) (Nota 3) |
IFSM | 200 | Ampèren |
|
Maximum Onmiddellijk Voorwaarts Voltage bij 50.0A voor Eenrichtings slechts (Nota 4) |
VF | 3.5 / 5.0 | Volts |
| Het werken en Opslagtemperatuurwaaier | TJ, TSTG | -55 aan + 175 | °C |
Nota's: 1. Non-repetitive Huidige Impuls per Fig. 3 en Derated boven TA=25OC per Fig. 2.
2. Opgezet op het Gebied van het Koperstootkussen van 0,8 x 0,8“ (20 x 20 mm) Per Fig. 4.
3. 8.3ms kiezen Halve sinus-Golf of Gelijkwaardige Vierkante Golf, Plichtscycle=4 Impulsen per Notulen uit
Maximum.
4. VF =3.5V voor Apparaten van Max. van VBR ≤ 200V en van VF =5.0V voor Apparaten VBR >200V.
Apparaten voor Bipolaire Toepassingen
1. Voor Tweerichtingsgebruik C of CA-Achtervoegsel voor Types 1.5KE6.8 door Types 1.5KE440.
2. De elektrokenmerken zijn in Beide Richtingen van toepassing.
CLASSIFICATIES EN KARAKTERISTIEKEN (1.5KE-REEKS)
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC