P6KE15 van de de Diodeglas Gepassiveerd Verbinding van de bruggelijkrichter Voorbijgaand het Voltageontstoringsapparaat
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
P6KE15 van de de Diodeglas Gepassiveerd Verbinding van de bruggelijkrichter Voorbijgaand het Voltageontstoringsapparaat
VOLTAGE - 6,8 TOT 440 Volts 600Watt piekmacht 5,0 Watts Regelmatige Staat
EIGENSCHAPPEN
- Het plastic pakket heeft de Brandbaarheidsclassificatie 94v-o van het Borgenlaboratorium
- Glas gepassiveerde spaanderverbinding in pakket -15
- 600W schommelingsvermogen bij 1ms
- Uitstekend het vastklemmen vermogen
- Lage zenerimpedantie
- Snelle reactietijd: typisch minder dan 1,0 ps van 0 volts aan BV min
- Typisch IRL minder dan 1 A boven 10V
- Solderen het op hoge temperatuur waarborgde: 260 /10 seconds/.375“, (9.5mm) lood leCM GROUPh/5lbs., (2.3kg) spanning
MECHANISCHE GEGEVENS
Geval: Het gevormde plastiek van JEDEC -15
Terminals: Aslood, solderable per mil-std-202, Methode 208
Polariteit: Kleurenband aangeduide kathode behalve Bipolair
Opzettende Positie: Om het even welk
Gewicht: 0,015 ons, 0,4 gram
APPARATEN VOOR BIPOLAIRE TOEPASSINGEN
Voor Tweerichtingsgebruik C of CA-Achtervoegsel voor types P6KE6.8 door types P6KE440
De elektrokenmerken zijn in beide richtingen van toepassing.
MAXIMUMclassificaties EN KENMERKEN
Classificaties bij omgevingstemperatuur 25 tenzij anders gespecificeerd.
Enige halve fase, - golf, 60Hz, weerstand biedende of aanleidinggevende lading.
Voor capacitieve lading, derate stroom door 20%.
| CLASSIFICATIE | SYMBOOL | VALUE | EENHEDEN |
| Piekmachtsdissipatie bij Ta =25, TP =1ms (Nota 1) | PPK | Minimum 600 | Watts |
| De Machtsdissipatie van de regelmatige Staat bij TL=75-LoodleCM GROUPen .375“, (9.5mm) (Nota 2) | PD | 5.0 | Watts |
| De piek Voorwaartse Schommelingsstroom, 8.3ms kiest Halve die sinus-Golf uit op Geschatte Lading wordt toegevoegd (JECED-Methode) (Nota 3) | IFSM | 100 | Ampèren |
| Het werken en Opslagtemperatuurwaaier | TJ, TSTG | -65 tot +175 | ℃ |
NOTA'S:
1.Non-herhaald derated de huidige impuls, per Fig. 3 en boven TA=25 per Fig. 2.
2.Mounted op het gebied van het Koperblad van 1.57in2 (40mm2).
3.8.3ms kies halve sinus-golf, plicht cycle= uit 4 impulsen per notulenmaximum.
-15
HET SCHATTEN EN KARAKTERISTIEKEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC