Transistors van de het siliciummacht van PNP/van NPN Epitaxial Vlak2sc5707 voor Hoge Huidige Omschakeling
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Transistors van de het siliciummacht van PNP/van NPN Epitaxial Vlak2sc5707 voor Hoge Huidige Omschakeling
Toepassingen
• Gelijkstroom/gelijkstroom-convertor, relaisbestuurders, lampbestuurders, motorbestuurders, flits
Eigenschappen
• Goedkeuring van de processen van FBET en MBIT-.
• Grote huidige capacitieve weerstand.
• Laag collector-aan-zender verzadigingsvoltage.
• Hoge snelheidsomschakeling.
• Hoge toelaatbare machtsdissipatie.
Specificaties (): 2SA2040
| Parameter | Symbool | Voorwaarden | Classificaties | Eenheid |
| Collector-aan-basis Voltage | VCBO | -- | (--50) 100 | V |
| Collector-aan-zender Voltage | VCES | -- | (--50) 100 | V |
| Collector-aan-zender Voltage | VCEO | -- | (--) 50 | V |
| Zender-aan-basis Voltage | VEBO | -- | (--) 6 | V |
| Collectorstroom | IC | -- | (--) 8 | A |
| Collectorstroom (Impuls) | ICP | -- | (--) 11 | A |
| Basisstroom | IB | -- | (--) 2 | A |
| Collectordissipatie | PC |
-- Tc=25°C |
1.0 15 |
W W |
| Verbindingstemperatuur | Tj | -- | 150 | °C |
| Opslagtemperatuur | Tstg | -- | --55 tot +150 | °C |
| Parameter | Symbool | Voorwaarden | min. | Type. | max. | eenheid |
| De Stroom van de collectorscheiding | ICBO | VCB = (--) 40V, D.W.Z. =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| De Stroom van de zenderscheiding | IEBO | VEB = (--) 4V, IC =0A | -- | -- | (--) 0,1 | µA |
| De Huidige Aanwinst van gelijkstroom | hFE | VCE = (--) 2V, IC = (--) 500mA | 200 | -- | 560 | -- |
| Aanwinst-bandbreedte Product | voet | VCE = (--) 10V, IC = (--) 500mA | -- | (290) 330 | -- | Mhz |
| Outputcapacitieve weerstand | Maïskolf | VCB = (--) 10V, f=1MHz | -- | (50) 28 | -- | pF |
| Collector-aan-zender Verzadigingsvoltage |
(Gezeten) VCE 1 (Gezeten) VCE 2 |
IC = (--) 3.5A, IB = (--) 175mA IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA |
-- -- |
(--230) 160 (--240) 110 |
(--390) 240 (--400) 170 |
mV mV |
| Verzadiging basis-aan-Emitterr Voltage | (Gezeten) VBE | IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA | -- | (--) 0,83 | (--) 1,2 | V |
| Collector-aan-basis Analysevoltage | V (BR) CBO | IC = (--) 10µA, D.W.Z. =0A | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Collector-aan-zender Analysevoltage | V (BR) CES | IC = (--) 100µA, RBE =0Ω | (--50) 100 | -- | -- | V |
| Collector-aan-zender Analysevoltage | V (BR) CEO | IC = (--) 1mA, RBE =∞ | (--) 50 | -- | -- | V |
| Zender-aan-basis Analysevoltage | V (BR) EBO | D.W.Z. = (--) 10µA, IC =0A | (--) 6 | -- | -- | V |
| Inschakelentijd | ton | Zie gespecificeerde Testkring. | -- | (40) 30 | -- | NS |
| Opslagtijd | tstg | Zie gespecificeerde Testkring. | -- | (225) 420 | -- | NS |
| Dalingstijd | tf | Zie gespecificeerde Testkring. | -- | 25 | -- | NS |
Pakketdimensies Pakketdimensies
eenheid: mm eenheid: mm
7518-003 7003-003
De Testkring van de omschakelingstijd
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC