Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > Ddtc123eca-7-F ZET het NPN pre-PRE-BIASED KLEINE SIGNAAL dronkaard-23 OPPERVLAKTE mosfet van de TRANSISTORmacht mosfet ic van de modulemacht op

Ddtc123eca-7-F ZET het NPN pre-PRE-BIASED KLEINE SIGNAAL dronkaard-23 OPPERVLAKTE mosfet van de TRANSISTORmacht mosfet ic van de modulemacht op

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Voorgepolariseerde bipolaire transistor (BJT) NPN - voorgepolariseerd 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Opb
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
COMPUTER-AIDED SOFTWARE ENGINEERING:
Dronkaard-23
Gevalmateriaal:
Gevormd Plastiek. UL de Classificatie 94V-0 van de brandbaarheidsclassificatie
Vochtigheidsgevoeligheid:
14 VLevel 1 per Eindverbindingen j-std-020C: Zie Diagram
Terminals:
Solderable per mil-std-202, Methode 208 Loodvrij die Plateren (Matte Tin Finish over Legering 42 lea
Het merken:
Datumcode en het Merken van Code (zie hieronder Lijst & Pagina 2)
Hoogtepunt:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Inleiding

NPN PRE-PRE-BIASED KLEIN SIGNAAL DRONKAARD-23 OPPERVLAKTE ZET TRANSISTOR OP


Eigenschappen

Epitaxial Vlakmatrijzenbouw

►Bijkomende PNP typt Beschikbaar (DDTA)

►Ingebouwde Beïnvloedende Weerstanden, R1 = R2

►Loodvrij/RoHS Volgzame (Nota 2) CH

Mechanische Gegevens

Geval: Dronkaard-23 geval

Materiaal: Gevormd Plastiek. UL de Gevoeligheid van de de Classificatie94v-0 Vochtigheid van de brandbaarheidsclassificatie: Niveau 1 per j-std-020C

Eindverbindingen: Zie Diagram

Terminals: Solderable per mil-std-202, Methode 208 Loodvrij die Plateren (Matte Tin Finish over Legering 42 leadframe wordt onthard).

Het merken: Datumcode en het Merken van Code die (zie hieronder Lijst & Pagina 2) tot Informatie opdracht geven (zie Pagina 2)

Gewicht: 0,008 gram (benaderende) P/N R1,

NXX = Producttype dat Code merkt,

Zie Lijst aangaande Pagina 1

YM = Datumcode het Merken

Y = ex Jaar: T = 2006

M = ex Maand: 9 = September

KOERSLIJST


MC14489BPE 3660 FREESCALE 13+ ONDERDOMPELING
ATTINY2313-20SU 2500 ATMEL 15+ Soppenen-20
AD73360LAR 2450 ADVERTENTIE 16+ SOP
C8051f930-GMR 1380 SILICIUM 16+ QFN
FQP13N10 3460 FAIRCHILD 13+ Aan-220
Ad8542arz-SPOEL 2450 ADVERTENTIE 15+ SOP
At24c02c-PUM 4000 ATMEL 15+ Onderdompeling-8
C8051f930-GMR 1380 SILICIUM 15+ QFN
HCF4049UBEY 3460 ST 15+ ONDERDOMPELING
HCF4093BEY 3460 ST 13+ ONDERDOMPELING
HCF4013BEY 3460 ST 15+ ONDERDOMPELING
BA6208F-E2 2300 ROHM 15+ Soppenen-8
PCM2906BDBR 3560 Ti 15+ SSOP
ADUM2401ARWZ 2000 ADVERTENTIE 16+ Soppenen-16
AT89C52-24PI 2300 ATMEL 15+ Onderdompeling-40
LM2940CT-5.0 3269 NSC 14+ Aan-220
4N37M 3000 FSC 15+ Onderdompeling-6
2SA1235A-T12-1F 3000 MIT 14+ Dronkaard-23
CD4047BCN 6525 FSC 15+ Onderdompeling-14
MN5520 535 PANASONI 16+ QFP
Ht7150-1 2460 HOLTEK 16+ Aan-92
ADR130AUJZ 2000 ADVERTENTIE 15+ Tsot-5
FQD11P06TM 3460 FAIRCHILD 16+ Aan-252
HMHA2801A 1520 FAIRCHILD 15+ Soppenen-4
2sc3325-y 3000 TOSHIBA 16+ Dronkaard-23
OPA277U 7260 Ti 11+ SOP
LM4040C10IDBZR 10000 Ti 15+ Dronkaard-23
Hcpl-M601 1520 AVAGO 14+ Soppenen-5
AM79212JC 1600 AMD 14+ PLCC32
VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20pcs