NJW0302G bijkomende Mosfet van de omschakelingsmacht Transistor, NPN - PNP-Machts Bipolaire Transistors
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
VCEO:
250 Vdc
VCBO:
250 Vdc
VEBO:
5.0 Vdc
VCEX:
250 Vdc
IC:
15 30 Adc
Hoogtepunt:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Inleiding
Bijkomende npn-PNP Machts Bipolaire Transistors
Deze bijkomende apparaten zijn lagere machtsversies van de populaire de audio-uitvoertransistors van NJW3281G en NJW1302G-. Met superieure aanwinstenlineariteit en veilige werkende gebiedsprestaties, zijn deze transistors ideaal voor de outputstadia van de hifi audioversterker en andere lineaire toepassingen.
Eigenschappen
•Uitzonderlijk Veilig Werkend Gebied
•NPN/PNP aanwinst Aanpassing binnen 10% van 50 mA aan 3 A
•Uitstekende Aanwinstenlineariteit
•Hoge BVCEO
•Hoge Frequentie
•Dit zijn Pb-Vrije Apparaten Bene
Voordelen
•Betrouwbare Prestaties bij Hogere Bevoegdheden
•Symmetrische Kenmerken in Bijkomende Configuraties •Nauwkeurige Reproductie van Inputsignaal
•Groter Dynamisch bereik
•Hoge Versterkerbandbreedte App
MAXIMUMclassificaties
| Classificatie | Symbool | Waarde | Eenheid |
| Collector-zender Voltage | VCEO | 250 | Vdc |
| Collector-Base Voltage | VCBO | 250 | Vdc |
| Emitter-Base Voltage | VEBO | 5.0 | Vdc |
| Collector-zender Voltage - 1,5 V | VCEX | 250 | Vdc |
VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
50pcs