Bericht versturen
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Huis
producten
fabrikanten
Ongeveer ons
middelen
Verzend RFQ
downloaden
Huis > producten > elektronische ic spaanders > P4NK60ZFP machtsmosfet mosfet van de Transistor hoge macht transistors

P4NK60ZFP machtsmosfet mosfet van de Transistor hoge macht transistors

P4NK60ZFP machtsmosfet mosfet van de Transistor hoge macht transistors
P4NK60ZFP machtsmosfet mosfet van de Transistor hoge macht transistors
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Drain-source Voltage:
600 V
Drain-gate Voltage:
600 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
De isolatie weerstaat voltage:
2500 V
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Hoogtepunt:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Inleiding

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket
MAX191BCWG+ 2338 STELREGEL 16+ Soic-24
MAX1932ETC+T 3044 STELREGEL 13+ QFN
MAX232EIDR 50000 Ti 13+ Soppenen-16
MAX232IDW 9003 Ti 11+ Soppenen-16
MAX253CSA+ 6562 STELREGEL 14+ Soppenen-8
MAX3051EKA+T 3853 STELREGEL 14+ Dronkaard-23
MAX3061EEKA 4024 STELREGEL 15+ Sot23-8
MAX3070EESD 5557 STELREGEL 16+ Soppenen-14
MAX31865ATP+T 3707 STELREGEL 16+ QFN20
MAX3221ECPWR 3059 Ti 16+ TSSOP
MAX3224ECAP 4095 STELREGEL 16+ Ssop-20
MAX3232CPWR 5697 Ti 16+ TSSOP
MAX3232CUE 3986 STELREGEL 16+ TSSOP
MAX3232EIDR 3667 Ti 16+ Soppenen-16
MAX3238ECPWR 8331 Ti 10+ TSSOP
MAX3243CDBR 3590 Ti 14+ Ssop-28
MAX3243ECDBR 6741 Ti 09+ Ssop-28
MAX32590-LNJ+ 553 STELREGEL 13+ Na
MAX3311CUB 2302 STELREGEL 16+ Msop-10
MAX3311EEUB 2324 STELREGEL 16+ Msop-10
MAX3442EEPA+ 3095 STELREGEL 16+ Onderdompeling-8
MAX3442EESA+T 5829 STELREGEL 16+ Soppenen-8
MAX3486CSA 15889 STELREGEL 16+ Soppenen-8
MAX3490CSA+ 11077 STELREGEL 13+ Soppenen-8
MAX4080SASA+T 15089 STELREGEL 16+ Soppenen-8
MAX418CPD 3034 STELREGEL 14+ Onderdompeling-14
MAX4624EZT 15171 STELREGEL 16+ Sot23-6
MAX4663CAE 2151 STELREGEL 16+ Ssop-16
MAX472CPA 4115 STELREGEL 15+ Onderdompeling-8
MAX491CPD+ 14840 STELREGEL 16+ Onderdompeling-14

Stp4nk60z-stp4nk60zfp-stb4nk60z-1

Stb4nk60z-std4nk60z-1

N-channel600v-1.76ω-4ato-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK

Zener-beschermde SuperMESH™Power-MOSFET

■TYPISCHE RDS () = 1,76 Ω

■UITERST HOOG DV/DT-VERMOGEN

■100% GETESTE LAWINE

■GEMINIMALISEERDE POORTlast

■ZEER LAGE INTRINSIEKE CAPACITIEVE WEERSTAND

■ZEER GOEDE PRODUCTIE REPEATIBILITY

BESCHRIJVING

De reeks SuperMESH™ wordt verkregen door een extreme reeds lang gevestigde optimalisering van ST stripbased lay-out PowerMESH™. Naast het onderduwen van op-weerstand beduidend, wordt speciaal het nodige gedaan om een zeer goed dv/dt-vermogen voor de meest veeleisende toepassingen te verzekeren. Dergelijke reeks vult ST volledige waaier van hoogspanningsmosfets met inbegrip van aan revolutionaire producten MDmesh™.

TOEPASSINGEN

■HOOG STROOM, HOGE SNELHEIDSomschakeling

■IDEAAL VOOR OFF-LINE VOEDINGEN, ADAPTERS EN PFC

■VERLICHTING

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties

Symbool Parameter Waarde Eenheid

STP4NK60Z

STB4NK60Z

Stb4nk60z-1

 STP4NK60ZFP

STD4NK60Z

Std4nk60z-1
VDS Afvoerkanaal-bronvoltage (VGS = 0) 600 V
VDGR Afvoerkanaal-poort Voltage (RGS = 20 kΩ) 600 V
VGS Poort bronvoltage ± 30 V
Identiteitskaart (Ononderbroken) afvoerkanaalstroom bij TC = 25°C 4 4 (*) 4 A
Identiteitskaart (Ononderbroken) afvoerkanaalstroom bij TC = 100°C 2.5 2.5 (*) 2.5 A
IDM (•?) (Gepulseerde) afvoerkanaalstroom 16 16 (*) 16 A
PTOT Totale Dissipatie bij TC = 25°C 70 25 70 W
Deratingsfactor 0,56 0,2 0,56 W/°C
VESD (G-S) Poortbron ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) 3000 V
dv/dt (1) Piek het voltagehelling van de Diodeterugwinning 4.5 V/ns
VISO De isolatie weerstaat Voltage (gelijkstroom) - 2500 - V

Tj

Tstg

Werkende Verbindingstemperatuur

Opslagtemperatuur

-55 tot 150

-55 tot 150

 °C

(•??) Impulsbreedte door veilig werkend gebied wordt beperkt dat

(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, VDD ≤ V (BR) DSS, Tj ≤ TJMAX.

(*) Beperkt slechts door maximum toegestane temperatuur

VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs
Neem contact met ons op
Adres: Kamer 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
E-mailen: sales@cmhk-ic.com
Telefoon: 86-755-88367702
producten

De Spaander van flashgeheugenic

Programmeerbare IC-Spaander

De Spaanders van computeric

HOOFDbestuurder ICs

Energiebeheer ICs

Chips met geïntegreerde schakelingen

MCU Microcontroller-eenheid

Vertoningsbestuurder ICs

IGBT-voedingsmodule

De Spaanders van versterkeric
Ongeveer ons
Ongeveer ons ISO-Certificaat Kwaliteitscontrole Privacybeleid Hulpcentrum
Privacybeleid | De Goede Kwaliteit van China De Spaander van flashgeheugenic Leverancier. Copyright © 2023-2024 icmemorychip.com . Alle rechten voorbehoudena.