Mosfet 2SB1560, van de siliciumpnp Epitaxial Vlak audiomacht
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Package:
TO-3PN
Applications:
Audio ,regulator and general purpose
Hoogtepunt:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Inleiding
Mosfet 2SB1560, van de siliciumpnp Epitaxial Vlak audiomacht
DarliCM GROUPon 2SB1560
Siliciumpnp Epitaxial Vlaktransistor (Aanvulling aan type 2SD2390)
| SPELD | BESCHRIJVING |
| 1 | Basis |
| 2 | Collector; verbonden met opzettende basis |
| 3 | Zender |
| SYMBOOL | PARAMETER | VOORWAARDEN | VALUE | EENHEID |
| VCBO | Collector-base voltage | Open zender | -160 | V |
| VCEO | Collector-zender voltage | Open basis | -150 | V |
| VEBO | Emitter-base voltage | Open collector | -5 | V |
| IC | Collectorstroom | -10 | A | |
| IB | Basisstroom | 1 | A | |
| PC | De dissipatie van de collectormacht | TC =25℃ | 100 | W |
| Tj | Verbindingstemperatuur | 150 | ℃ | |
| Tstg | Opslagtemperatuur | -55~150 | ℃ |
| SYMBOOL | PARAMETER | VOORWAARDEN | Min | TYPE. | MAXIMUM | EENHEID |
| V (BR) CEO | Collector-zender analysevoltage | IC =-30mA; IB =0 | -150 | V | ||
| VCEsat | Collector-zender verzadigingsvoltage | IC =-7A; IB =-7mA | -2.5 | V | ||
| VBEsat | Base-emitter verzadigingsvoltage | IC =-7A; IB =-7mA | -3.0 | V | ||
| ICBO | De collector sneed stroom af | VCB =-160V; D.W.Z. =0 | -100 | μA | ||
| IEBO | De zender sneed stroom af | VEB =-5V; IC =0 | -100 | μA | ||
| hFE | De huidige aanwinst van gelijkstroom | IC =-7A; VCE =-4V | 5000 | |||
| Maïskolf | Outputcapacitieve weerstand | D.W.Z. =0; VCB =10V; f=1MHz | 230 | pF | ||
| voet | Overgangsfrequentie | IC =-2A; VCE =-12V | 50 | Mhz | ||
| Omschakelingstijden | ||||||
| ton | Inschakelentijd |
IC =-7A; RL =10Ω |
0,8 | μs | ||
| ts | Opslagtijd | 3.0 | μs | |||
| tf | Dalingstijd | 1.2 | μs | |||
| O | P | Y |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
PAKKEToverzicht
VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20