Van de het Siliciumtransistor van NPN Epitaxial de Machtsmosfet Transistor 2SC5200
npn smd transistor
,multi emitter transistor
2SC5200/FJL4315
Epitaxial het Siliciumtransistor van NPN
Toepassingen
• De Versterker van de hifiaudio-uitvoer
• De Versterker van de algemeen Doelmacht
Eigenschappen
• Hoog Huidig Vermogen: IC = 15A.
• Hoge Machtsdissipatie: 150watts.
• Hoge Frequentie: 30MHz.
• Hoogspanning: VCEO=230V
• Brede S.O.A voor betrouwbare verrichting.
• Uitstekende Aanwinstenlineariteit voor lage THD.
• Aanvulling aan 2SA1943/FJL4215.
• De thermische en elektrokruidmodellen zijn beschikbaar.
• De zelfde transistor is ook beschikbaar in:
-- TO3P pakket, 2SC5242/FJA4313: 130 watts
-- TO220 pakket, FJP5200: 80 watts
-- TO220F pakket, FJPF5200: 50 watts
Absolute Maximumratings* Ta = 25°C tenzij anders vermeld
Symbool | Parameter | Classificaties | Eenheden |
BVCBO | Collector-Base Voltage | 230 | V |
BVCEO | Collector-zender Voltage | 230 | V |
BVEBO | Emitter-Base Voltage | 5 | V |
IC | Collectorstroom (gelijkstroom) | 15 | A |
IB | Basisstroom | 1.5 | A |
PD |
Totale Apparatendissipatie (TC =25°C) Derate boven 25°C |
150 1.04 |
W W/°C |
TJ, TSTG | Verbinding en Opslagtemperatuur | - 50 ~ +150 | °C |
* Deze classificaties zijn beperkende waarden waarboven het nut van om het even welk halfgeleiderapparaat kan worden geschaad.
Thermische Characteristics* Ta=25°C tenzij anders vermeld
Symbool | Parameter | Maximum | Eenheden |
RθJC | Thermische Weerstand, Verbinding tegen Geval | 0,83 | °C/W |
* Apparaat opgezet op minimumstootkussengrootte
hFE Classificatie
Classificatie | R | O |
hFE1 | 55 ~ 110 | 80 ~ 160 |
Typische Kenmerken
Pakketdimensies