De nieuwe & Originele Transistors van de Siliciumpnp Macht, aan-220C pakket 2SB861
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Collector-base voltage:
-200 V
Collector-emitter voltage:
-150 V
Emitter-base voltage:
-6 V
Collector current:
-2 A
Collector current-Peak:
-5 A
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-45~150 ℃
Pakket:
Aan-220C pakket
Hoogtepunt:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Inleiding
De Transistors van de siliciumpnp Macht 2SB861
BESCHRIJVING
·Met pakket aan-220C
·Aanvulling aan type 2SD1138
TOEPASSINGEN
·Van de kleurentv van de machtsversterker verticale de afbuigingsoutput met lage frekwentie
Het SPELDEN
| SPELD | BESCHRIJVING |
| 1 | Zender |
| 2 |
Collector; verbonden met opzettende basis |
| 3 | Basis |
Absolute maximumclassificaties (Ta=25? ℃)
| SYMBOOL | PARAMETER | VOORWAARDEN | VALUE | EENHEID |
| VCBO | Collector-base voltage | Open zender | -200 | V |
| VCEO | Collector-zender voltage | Open basis | -150 | V |
| VEBO | Emitter-base voltage | Open collector | -6 | V |
| IC | Collectorstroom | -2 | A | |
| ICP | Collector huidig-piek | -5 | A | |
| PC | De dissipatie van de collectormacht | Ta =25? ℃ | 1.8 | W |
| TC =25? ℃ | 30 | |||
| Tj | Verbindingstemperatuur | 150 | ? ℃ | |
| Tstg | Opslagtemperatuur | -45~150 | ? ℃ |
PAKKEToverzicht
Fig.2 Overzichtsdimensies (unindicated tolerantie: ±0.10 mm)
VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20pcs