Machtsmosfet IRF740PBF de Transistors van de Siliciummacht kiezen Configuratie uit
fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
negotiation
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
VDS (v):
400
RDS(on) (Ω):
VGS = 10 V ; 0.55
Qg (Max.) (nC):
9.0
Qgd (nC):
32
Configuration:
Single
Pakket:
Aan-220
Hoogtepunt:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Inleiding
EIGENSCHAPPEN
• Dynamische dV/dt-Classificatie
• Herhaalde Geschatte Lawine
• Snelle Omschakeling
• Gemak om Te vergelijken
• Eenvoudige Aandrijvingsvereisten
• Lood (Pb) - vrije Beschikbaar
BESCHRIJVING
MOSFETs van de derde generatiemacht van Vishay verstrekken
ontwerper met de beste combinatie van snelle omschakeling,
ruw gemaakt apparatenontwerp, lage op-weerstand en
kosteneffectiviteit.
Pakket aan-220 heeft universeel voor allen de voorkeur
commercieel-industriële toepassingen bij machtsdissipatie
niveaus aan ongeveer 50 W. De lage thermische weerstand
en de lage pakketkosten van aan-220 dragen tot zijn breed bij
goedkeuring door de industrie.
TYPISCHE KENMERKEN 25 °C, tenzij anders vermeld
VERWANTE PRODUCTEN
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
10pcs