Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > TIP122 machtsmosfet Macht DarliCM GROUPon Transistors van het Transistor de Bijkomende Silicium

TIP122 machtsmosfet Macht DarliCM GROUPon Transistors van het Transistor de Bijkomende Silicium

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Emitter-base voltage:
5 V
Collector Current:
5 A
Collector Peak Current:
8 A
Base Current:
0.1 A
Storage Temperature:
-65 to 150 ℃
Max. Operating Junction Temperature:
150 ℃
Hoogtepunt:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Inleiding

TIP120/121/122

TIP125/126/127

DE BIJKOMENDE TRANSISTORS VAN DE SILICIUMmacht DARLICM GROUPON

STMicroelectronics AANGEWEZEN SALESTYPES

BESCHRIJVING

TIP120, TIP121 en TIP122 zijn de machtstransistors van de silicium epitaxial-Basis NPN in monolithische DarliCM GROUPon-configuratie opgezet in Jedec aan-220 plastic pakket. Zij zijn intented voor gebruik in lineaire macht en omschakelingstoepassingen. De bijkomende PNP-types zijn TIP125, TIP126 en TIP127, respectievelijk.

ABSOLUTE MAXIMUMclassificaties

Symbool Parameter Waarde Eenheid
NPN TIP120 TIP121 TIP122
PNP TIP125 TIP126 TIP127
VCBO Collector-Base Voltage (D.W.Z. = 0) 60 80 100 V
VCEO Collector-zender Voltage (IB = 0) 60 80 100 V
VEBO INTERN SCHEMATISCH DIAGRAM (IC = 0) 5 V
IC Collectorstroom 5 A
ICM Collector Piekstroom 8 A
IB Basisstroom 0,1 A
Ptot

Totale Dissipatie in Tcase ≤ 25 ℃

Tamb ≤ 25 ℃

65

2

W
Tstg Opslagtemperatuur -65 tot 150
Tj Max. Werkende Verbindingstemperatuur 150

Aan-220 INTERN SCHEMATISCH DIAGRAM

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20pcs