Filters
Filters
Elektronische Componenten
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BT1vrijwilligerswerk BT1vrijwilligerswerk BT1vrijwilligerswerk BT1vrijwilligerswerk BT2vrijwilligerswerk BT2vrijwilligerswerk BT2vrijwilligerswerk BT2vrijwilligerswerk BT2vrijwilligerswerk BT2vrijwilligerswerk BT2vrijwilligerswerk BT2vrijwilligerswerk |
SCR 650 V 12 A standaard hersteloppervlak DPAK
|
gemaakt in China
|
|
|
|
|
|
BAT54C Elektronische IC-chip NUWE EN ORIGINALE voorraad |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BAT54HT1G Elektronische IC-chip NUWE EN ORIGINALE voorraad |
Diode 30 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 200mA
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
BAT54SLT1G Elektronische IC-chip NUWE EN ORIGINALE voorraad |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-236
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
BA595E6327 Elektronische IC-chip NUWE EN ORIGINALE voorraad |
RF-diode PIN - enkelvoudig 50V 50 mA PG-SOD323-2-1
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BAS316 Electronic IC Chip Nieuwe en originele voorraad |
Diode 100 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 250mA
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BAS40TW-7-F Electronic IC Chip Nieuw en origineel |
Diodearray 3 Onafhankelijke 40 V 200mA (DC) Oppervlakte-montage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BAT46W-7-F Elektronische IC-chip NUWE EN ORIGINALE voorraad |
Diode 100 de Oppervlakteonderstel zode-123 van V 150mA
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BAT54A Elektronische IC-chip NUWE EN ORIGINALE voorraad |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Anode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59, dr
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
EMH4T2R flash geheugen IC NUWE EN ORIGINEEL |
Pre-Pre-Biased Bipolaire Transistor (BJT) 2 NPN - pre-Pre-Biased (Dubbele) Oppervlakte van 50V 100mA
|
Rohm halfgeleider
|
|
|
|
|
|
2N7002W-7-F Electronic IC Chip Nieuwe en originele voorraad |
N-kanaal 60 V 115 mA (Ta) 200 mW (Ta) Oppervlakte-montage SOT-323
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
2SC2713-BL,LF Elektronische IC-chip Nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire (BJT) transistor NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
VERSUS-HFA25PB60PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 25A door Gewijzigd Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRL1404PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 40 V 160A (Tc) 200W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRGI4061DPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
IGBT-Geul 600 V 20 A 43 W door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
AUIRFS4010-7TRL NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 100 van V 190A (Tc) 380W (Tc) zet D2PAK (7-lood) op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
TCMT1107 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Het de Output3750vrms 1 Kanaal van de Optoisolatortransistor 4-sopt
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N5245B-KRAAN NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Zenerdiode 15 V 500 mw ±5% door Gat -35 (-204AH)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SUD17N25-165-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 250 V 17A (Tc) 3W (Ta) de Oppervlakte, van 136W (Tc) zet aan-252AA op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BC848B Variabele inductor Nieuwe en originele voorraad ROHS-certificering |
De bipolaire Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
UPA1793G-E1 Nieuwe en originele voorraad |
Mosfet Array 20V 3A 2W Oppervlaktebevestiging 8-PSOP
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
B340Q-13-F Elektronische IC-chip NUWE EN ORIGINALE voorraad |
Diode 40 V 3A Opbouwmontage SMC
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
B160-13-F Elektronische IC-chip NUWE EN ORIGINALE voorraad |
Diode 60 V 1A op het oppervlak gemonteerd SMA
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
IRF6638TRPBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-kanaal 30 V 25A (Ta), 140A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Oppervlakte-montage DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6620TRPBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-kanaal 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Oppervlakte-montage DIRECTFETTM MX
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF630NPBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF620PBF veld-effect transistor NIEUW EN ORIGINAAL |
N-kanaal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) door gat TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF630NSTRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
N-kanaal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Oppervlakte D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6665TRPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
N-kanaal 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6216TRPBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
P-kanaal 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Oppervlakte-montage 8-SO
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF6218STRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
P-kanaal 150 V 27A (Tc) 250W (Tc) Oppervlaktebevestiging D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-63CPQ100PBF Transistor met veldeffect |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke katode 100 V 30A door gat TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-Channel 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9530NPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
P-Channel 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540NSTRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta) de Oppervlakte, van 110W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9362TRPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Mosfet de Serie30v 8A 2W Oppervlakte zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540PBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640STRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
P-Channel 200 V 11A (Tc) 3W (Ta) de Oppervlakte, van 125W (Tc) zet D ² PAK (aan-263) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
P-Channel 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9358TRPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Mosfet de Serie30v 9.2A 2W Oppervlakte zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NSTRLPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
P-Channel 55 V 12A (Tc) 3.8W (Ta) de Oppervlakte, van 45W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9630PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
P-Channel 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9Z34NPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9530NSTRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
P-Channel 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta) de Oppervlakte, van 79W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9Z24NPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
P-Channel 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9310TRPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
P-Channel de Oppervlakte 30 van V 20A (Tc) 2.5W (Ta) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
IGBT 600 V 28 A 100 W door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KDSTRRP Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
IGBT 600 V 28 A 100 W Oppervlaktebevestiging D2PAK
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9540NPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF9321TRPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
P-Channel de Oppervlakte 30 van V 15A (Ta) 2.5W (Ta) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|