Filters
Filters
Elektronische Componenten
Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
VERSUS-30CPH03PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 300 V 15A Through-hole TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
||
IRF4905STRLPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakte 55 van V 42A (Tc) 170W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
||
IRF7316TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie30v 4.9A 2W Oppervlakte zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
||
IRF7842TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 40 van V 18A (Ta) 2.5W (Ta) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
||
IRF7105TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie 25V 3.5A, de Oppervlakte van 2.3A 2W zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
||
Si7615adn-t1-GE3 Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta) de Oppervlakte, van 52W (Tc) zet PowerPAK® 1212-8 op
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFP264PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 250 V 38A (Tc) 280W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFP460LCPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFPG50PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 1000 V 6.1A (Tc) 190W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
IRFP3206PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 60 V 120A (Tc) 280W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
IRFP4710PBF veld-effect transistor NIEUW EN ORIGINAAL |
N-Channel 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
IRFP7430PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 40 V 195A (Tc) 366W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
IRFP22N50APBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFP064VPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 60 V 130A (Tc) 250W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
||
BTA06-600BWRG Nieuwe en originele voorraden |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 6 A door gat TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
BTA06-600CWRG Nieuwe en originele voorraden |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 6 A door gat TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
||
IRF840STRLPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta) de Oppervlakte, van 125W (Tc) zet D ² PAK (aan-263) op
|
VISHAY
|
|
|
||
VERSUS-ETX0806FP-M3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 8A door Gat aan-220-2 Volledig Pak
|
VISHAY
|
|
|
||
VERSUS-ETU1506FP-M3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 15A door Gat aan-220-2 Volledig Pak
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFH8318TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta) de Oppervlakte, van 59W (Tc) zet PQFN (5x6) op
|
Infineon
|
|
|
||
Ultrasnelle Avalanche SMD-brongediode, BYG20J-E3/TR |
Diode 600 de Oppervlakte van V 1.5A zet -214AC (SMA) op
|
VISHAY
|
|
|
||
TLP621-2 IC Chip Geïntegreerde Circuit Chip Programmageheugen |
De 8-ONDERDOMPELING van het de Output5300vrms 2 Kanaal van de Optoisolatortransistor
|
Vervaardiging
|
|
|
||
Diode van het brugtype 1N4007 50 tot 1000 volt 1,0 ampère |
Diode 1000 V 1A door Gat -41
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
||
Silicon Glass Passivated 1.0 Watt Zener Diodes Glas Passivated Junction Silicon Zener Diode 1n4733A |
Zenerdiode 5,1 V 1 W ±5% door Gat -41
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
||
NDT456P Gelijkrichterdiode P-kanaalverbeteringsmodus Veldeffecttransistor |
P-kanaal 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Oppervlaktebevestiging SOT-223-4
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
||
SFH628A-3X001 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De 4-ONDERDOMPELING van het de Output5300vrms 1 Kanaal van de Optoisolatortransistor
|
VISHAY
|
|
|
||
SFH615A-2 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De 4-ONDERDOMPELING van het de Output5300vrms 1 Kanaal van de Optoisolatortransistor
|
VISHAY
|
|
|
||
VERSUS-12CWQ10FNTR-M3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 6A Opbouwmontage TO-252-3, DPak (2 kabels + lipj
|
VISHAY
|
|
|
||
SIHP18N50C-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
||
SIHP12N50C-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Door Gat
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFD110PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Door Gat 4-HVMDIP
|
VISHAY
|
|
|
||
SFH615A-2 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De 4-ONDERDOMPELING van het de Output5300vrms 1 Kanaal van de Optoisolatortransistor
|
VISHAY
|
|
|
||
GBU608 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De Enige Fase Standard 800 V van de bruggelijkrichter door Gat GBU
|
DIODEN
|
|
|
||
VERSUS-MUR3020WTPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 200 V 15A door Gat aan-247-3
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFBG30PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFBE30PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Vervaardiging
|
|
|
||
V30100C-E3/4W gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 100 V 15A door Gat aan-220-3
|
VISHAY
|
|
|
||
IRGS10B60KDTRRP gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
IGBT NPT 600 V 22 een 156 w-Oppervlakte zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
||
IRF1407PBF Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
||
IRF1404PBF Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
||
VERSUS-MBR6045WTPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 45 V 30A door Gat aan-247-3
|
VISHAY
|
|
|
||
2W10G-E4/51 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De Enige Fase Standard 1 kV van de bruggelijkrichter door Gatenwog
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFR1018ETRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 60 van V 56A (Tc) 110W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
||
SIHF12N50C-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 12A (Tc) 36W (Tc) Door Gat aan-220 Volledig Pak
|
VISHAY
|
|
|
||
VERSUS-HFA30PA60CPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 600 V 15A (gelijkstroom) Door Gat aan-247-3
|
VISHAY
|
|
|
||
IRFR7540TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 60 van V 90A (Tc) 140W (Tc) zet D-PAK (aan-252AA) op
|
Infineon
|
|
|
||
IRFR3806TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 60 van V 43A (Tc) 71W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
||
IRFR5305TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakte 55 van V 31A (Tc) 110W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
||
IRFU120NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
|
Infineon
|
|
|
||
IRFU5410PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
|
Infineon
|
|
|