VISHAY
- Inleiding
- Nieuwste Producten
Inleiding
VISHAY
Nieuwste Producten
VS-36MB160A Transistor met veldeffect
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1.6 kV QC Terminal D-34
Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
---|---|---|---|---|---|---|
Snelle de Omschakelingsdiode SOT23 1N4148W-E3-08 van het RoHSsod123 Geval |
Diode 75 de Oppervlakteonderstel zode-123 van V 150mA
|
|
|
|
||
De ZODE van LL42-GS08 30V 200mA - 80 Dioden van Signaalschottky |
Diode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet zode-80 MiniMELF op
|
|
|
|
||
SMBJ170A-E3/52 het Afstand houdenvoltage VISHAY van de piekimpulsmacht 600W 17V |
275V de de Diodeoppervlakte van klem2.2a Ipp TVs zet -214AA (SMBJ) op
|
|
|
|
||
IRFP9240 Algemene rechtgever Diode P-kanaal met 150W door het gat |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
|
|
|
||
Aan-247 VISHAY-Machtsmosfet 12A 200V P Kanaal IRFP9240PBF |
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
|
|
|
||
VO1400AEFTR Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Spst-GEEN het in vaste toestand (1 Vorm A) 4-sopt (0,173“, 4.40mm)
|
|
|
|
||
VS-60CPQ150PBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 150 V 30A door Gat aan-247-3
|
|
|
|
||
VS-36MB160A Transistor met veldeffect |
QC van de Enige Fasestandard 1,6 kV van de bruggelijkrichter Terminal D-34
|
|
|
|
||
IRF640PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-kanaal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) door gat TO-220AB
|
|
|
|
||
IRF620PBF veld-effect transistor NIEUW EN ORIGINAAL |
N-kanaal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) door gat TO-220AB
|
|
|
|
||
MBRB10100-E3/8W Nieuwe en originele voorraad |
Diode 100 V 10A met oppervlaktebevestiging TO-263AB (D2PAK)
|
|
|
|
||
VERSUS-HFA25PB60PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 25A door Gewijzigd Gat aan-247AC
|
|
|
|
||
TCMT1107 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Het de Output3750vrms 1 Kanaal van de Optoisolatortransistor 4-sopt
|
|
|
|
||
1N5245B-KRAAN NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Zenerdiode 15 V 500 mw ±5% door Gat -35 (-204AH)
|
|
|
|
||
SUD17N25-165-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 250 V 17A (Tc) 3W (Ta) de Oppervlakte, van 136W (Tc) zet aan-252AA op
|
|
|
|
||
IRF620PBF veld-effect transistor NIEUW EN ORIGINAAL |
N-kanaal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) door gat TO-220AB
|
|
|
|
||
VS-63CPQ100PBF Transistor met veldeffect |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke katode 100 V 30A door gat TO-247-3
|
|
|
|
||
IRF9540PBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
|
|
|
||
IRF9640STRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
P-Channel 200 V 11A (Tc) 3W (Ta) de Oppervlakte, van 125W (Tc) zet D ² PAK (aan-263) op
|
|
|
|
||
IRF9630PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
P-Channel 200 V 6.5A (Tc) 74W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
|
|
|
||
VS-ETH1506S-M3 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diode 600 de Oppervlakte van V 15A zet aan-263AB (D ² PAK) op
|
|
|
|
||
VO0630T Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Logic Output Optoisolator 10MBd Open Drain 4000Vrms 2 Kanaal 1kV/μs CMTI 8-SOIC
|
|
|
|
||
IRF640PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-kanaal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) door gat TO-220AB
|
|
|
|
||
VERSUS-HFA25TB60PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 25A door Gat aan-220AC
|
|
|
|
||
PDTC144ET Chip Diode Nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire transistors met voorgevoeligheid (BJT)
|
|
|
|
||
V40150C-E3/4W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 150 V 20A door Gat aan-220-3
|
|
|
|
||
IRF830BPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
|
|
|
||
S3D-E3/57T NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 200 de Oppervlakte van V 3A zet -214AB (SMC) op
|
|
|
|
||
SI3456DDV-T1-GE3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta) de Oppervlakte, van 2.7W (Tc) zet 6-TSOP op
|
|
|
|
||
SUP85N03-04P-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 166W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
|
|
|