| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ |
|---|
|
|
IRFP9240 Algemene rechtgever Diode P-kanaal met 150W door het gat
|
P-Channel 200 V 12A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
|
|
|
|
|
De Diode Polymere PTC van de ‚algemeen Doelgelijkrichter Resettable Zekering
|
De polymere PTC Resettable Zekering 24V 1,1 een Ih-Oppervlakte zet 1812 (Metrische 4532) op, Concaaf
|
|
|
|
|
|
1N4742A Dioden van silicium de Vlakzener voor Gestabiliseerde Voeding
|
Zenerdiode 12 V 1 W ±5% door Gat -41
|
|
|
|
|
|
De Diodehalfgeleider van de bruggelijkrichter/Silicium Vlak1n4750atr Zener Diode
|
Zenerdiode 27 V 1 W ±5% door Gat -41
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 van het Signaalzener van de gelijkrichterdiode de Kleine van het de Diodensilicium Dioden van Zener
|
Zenerdiode 5,1 V 500 mW ±6% doorgaand gat DO-35
|
|
|
|
|
|
1N5380BRLG van de diodezener van de gelijkrichterdiode zener het Voltageregelgevers
|
Zenerdiode 120 V 5 W ±5% Through-hole axiaal
|
|
|
|
|
|
1N5349B VAN DE DE KRINGSglas GEPASSIVEERDE VERBINDING VAN DE DIODEgelijkrichter HET SILICIUMzener DIODEN
|
Zenerdiode 12 V 5 W ±5% door Gat t-18
|
|
|
|
|
|
BZX84-C6V2 de dioden van de het Voltageregelgever van de gelijkrichterdiode dronkaard-23 Zener-Dioden
|
Zenerdiode 6,2 V 300 mW ±6% Opbouwmontage SOT-23-3
|
|
|
|
|
|
MMBZ6V2ALT1G van de Machtszener van de gelijkrichterdiode Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten
|
8.7V van de de Diodeoppervlakte van klem2.76a Ipp TVs Onderstel dronkaard-23-3 (aan-236)
|
|
|
|
|
|
RB056L-40TE25 Schottky-van het Silicium Vlakzener van de Barrièrediode de Dioden18v zener diode
|
Diode 40 V 3A Opbouwmontage PMDS
|
|
|
|
|
|
1500 Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten Unidirectional* 1.5SMC30AT3G van Zener van de Watts Piekmacht
|
41.4V Clamp 36A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMC
|
|
|
|
|
|
TZM5239B-GS08 van het Siliciumzener van de gelijkrichterdiode de Dioden populaire geïntegreerde schakelingen
|
ZenerZenerdiode 9,1 de Oppervlakte van V 500 mw ±5% zet zode-80 MiniMELF Diode 9,1 V 500 mw ±5% Oppe
|
|
|
|
|
|
Van de Diodeic van RGF1M-E3/67A Zener van de Elektronikacomponenten Programma 40 Voltage
|
Diode 1000 de Oppervlakte van V 1A zet -214BA (GF1) op
|
|
|
|
|
|
1500 van de de Gelijkrichterdiode van de Watts Piekmacht Voorbijgaande het Voltageontstoringsapparaten 1.5KE68A
|
de Diode 121V van klem83a (8/20µs) Ipp TVs door Gat -201
|
|
|
|
|
|
van het Voltageregelgevers van 200mW 18V SOD−323 Zener de Diode MM3Z18VT1G
|
Zenerdiode 18 V 300 mw ±6% Oppervlakteonderstel zode-323
|
|
|
|
|
|
1N5369BRLG het Voltageregelgevers van Surmetic TM 40 Zener van de gelijkrichterdiode
|
Zenerdiode 51 V 5 W ±5% door Gat As
|
|
|
|
|
|
1N4761A-TAP 1.0W ZENER DIODE model met dubbele diode
|
Zenerdiode 75 V 1,3 W ±5% door Gat -204AL (-41)
|
|
|
|
|
|
1N5363BRLG de diode van het Signaalschottky van 5 het Voltageregelgevers van Wattssurmetic TM 40 Zener
|
Zenerdiode 30 V 5 W ±5% door Gat As
|
|
|
|
|
|
De Diode IC SMAJ12CA van de siliciumgelijkrichter het Voorbijgaande Voltage van 400 Wattszener
|
19.9V de de Diodeoppervlakte van klem20.1a Ipp TVs zet -214AC (SMA) op
|
|
|
|
|
|
Van de de Gelijkrichterdiode van 1SMA5927BT3G SMA van het Voltageregelgevers van Zener Elektronika van IC de Originele
|
Zenerdiode 12 V 1,5 W ±5% Opbouwmontage SMA
|
|
|
|
|
|
De Diode van SML4742A-E3/61T Recitifier Component de Van geïntegreerde schakelingen van IC
|
Zenerdiode 12 V 1 W ±5% Opbouwmontage DO-214AC (SMA)
|
|
|
|
|
|
ES1B-E3/61T brugtype van de gelijkrichterdiode van de Leveranciers de Originele Dioden van China van de gelijkrichterdiode Spaander van IC
|
Diode 100 de Oppervlakte van V 1A zet -214AC (SMA) op
|
|
|
|
|
|
LT1021DCS8-5#TRPBF van het Beheersic van de machtsweg het Voltageverwijzingen Prec 5V Ref 20ppm/-uC
|
De reeks, Begraven Zener-Voltageverwijzing IC bevestigde 8-ZO 5V V ±1% 10 mA
|
|
|
|
|
|
1.5SMC36AT3G elektronische het Voltageontstoringsapparaten van IC Chips Peak Power Zener Transient Eenrichtings
|
TVS-DIODE 30.8VWM 49.9VC SMC
|
|
|
|
|
|
SM712.TCT asymmetrische TVs-Diode voor Uitgebreide Gemeenschappelijke Wijze rs-485
|
26V, 12V-van de de Diodeoppervlakte van Klem17a (8/20µs) Ipp TVs Onderstel dronkaard-23-3
|
|
|
|
|
|
PDZ10BGWX High Power Diode Nieuw en Original
|
Zenerdiode 10 V 365 mw ±2.2% Oppervlakteonderstel zode-123
|
|
|
|
|
|
BZX79-B10,113 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Zenerdiode 10 V 400 mw ±2% door Gat ALF2
|
|
|
|
|
|
PDZ3.3B,115 Hoogspanningsdiode
|
Zenerdiode 3,3 V 400 mw ±2% Oppervlakteonderstel zode-323
|
|
|
|
|
|
TZM5226B-GS08 van de Elektronikaic van de gelijkrichterdiode van de Spaanderic China de Kring van de leveranciersintegared
|
Zenerdiode 3,3 V 500 mW ±5% Opbouwmontage SOD-80 MiniMELF
|
|
|
|
|
|
LM431AIM3X van de Precisiezener van de gelijkrichterdiode Regelbare de Shuntregelgever
|
De Verwijzing IC Regelbare 2.495V 37 VV ±2.2% 100 mA dronkaard-23-3 van het shuntvoltage
|
|
|
|
|
|
Van de de Gelijkrichterdiode van RB056L-40TE25 Zener de Stroom van de Elektronikacomponenten 3A van IC
|
Diode 40 V 3A Opbouwmontage PMDS
|
|
|
|
|
|
Van de de Machtsweg van TL431ACDBVR TL431ACDBZR TL431ACDR TL431AIDBZR TL431AQDBZR TL432BIDBZR het Beheer IC
|
De Verwijzing IC Regelbare 2.495V 36 VV ±1% 100 mA dronkaard-23-5 van het shuntvoltage
|
|
|
|
|
|
1.5KE7.5CA de Dioden van de siliciumlawine - 1500 Ontstoringsapparaten van het Watts As Leaded Voorbijgaande Voltage
|
11.3V Klem 132A Ipp Tvs Diode Through Hole DO-201AD
|
|
|
|
|
|
P6KE15 van de de Diodeglas Gepassiveerd Verbinding van de bruggelijkrichter Voorbijgaand het Voltageontstoringsapparaat
|
22V Klem 28A Ipp Tvs Diode Doorgaand gat DO-15 (DO-204AC)
|
|
|
|
|
|
P6KE15A Dioden van het het Voltageontstoringsapparaat van de gelijkrichterdiode de Voorbijgaande
|
27,2V Klem 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through-hole DO-15 (DO-204AC)
|
|
|
|
|
|
De nieuwe & Originele van de de Bruggelijkrichter van de Gelijkrichterdiode Kring 1.5KE220CA
|
328V de Diode van klem4.6a Ipp TVs door Gat -201
|
|
|
|
|
|
Van de de Machtsweg van LMV431ACM5X/NOPB LMV431AIM5X LMV431AIMFX/NOPB LMV431BCM5X/NOPB LMV431BIMF/NOPBLMV431BIMFX/NOPB het Beheer IC
|
|
|
|
|
|
|
De programmeerbare transistors van de het siliciummacht van de Shuntregelgever KA431AZTA
|
De Verwijzing IC Regelbare 2.495V 36 VV ±1% 100 mA aan-92-3 van het shuntvoltage
|
|
|
|
|
|
SMBJ170A-E3/52 het Afstand houdenvoltage VISHAY van de piekimpulsmacht 600W 17V
|
275V de de Diodeoppervlakte van klem2.2a Ipp TVs zet -214AA (SMBJ) op
|
|
|
|
|
|
Van de de Gelijkrichterdiode van LM336BZ-5.0/NOPB aan-92 van de Machtsic de Elektronika van de Spaanderic, De Kring van de diodegelijkrichter
|
De Verwijzing IC Vaste 5V V ±2% 10 mA aan-92-3 van het shuntvoltage
|
|
|
|
|
|
P3NK90ZFP Power Mosfet Transistor N-KANAALS SCHAKELENDE Power MOSFET
|
N-Channel 900 V 3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
|
|
|
|
|
|
De machtsmosfet van P10NK80ZFP smd Machtsmosfet MOSFET van Transistorn-channel zener-Beschermde⑩ SuperMESHPower
|
N-Channel 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) Door Gat aan-220FP
|
|
|
|
|
|
LM1117DTX-ADJ/NOPB het laag-Opgeven Lineaire Regelgever van de gelijkrichterdiode 800mA
|
Lineaire spanningsregelaar IC Positief Instelbaar 1 Uitgang 800mA TO-252-3
|
|
|
|
|
|
Van de de machtstransistor van STP20NM50FP npn darliCM GROUPon de Machtsmosfet Transistorn-channel MDmesh? Machtsmosfet
|
N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
|
|
|
|
|
|
STD4NK60ZT4 machtsmosfet Mosfet van de modulemacht Transistortransistor | MOSFET | N-CHANNEL | Aan-252AA
|
N-Channel de Oppervlakte 600 van V 4A (Tc) 70W (Tc) zet DPAK op
|
|
|
|
|
|
P4NK60ZFP machtsmosfet mosfet van de Transistor hoge macht transistors
|
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
|
|
|
|
|
|
Van de de Machtsweg van TLV431ACDBVR TLV431ACDBZR TLV431AIDBVR van het Beheersic het Voltageverwijzingen Lw V Adj Shunt
|
|
|
|
|
|
|
1N5245B-KRAAN NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Zenerdiode 15 V 500 mw ±5% door Gat -35 (-204AH)
|
|
|
|
|
|
1N5245B-KRAAN NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD
|
Zenerdiode 15 V 500 mw ±5% door Gat -35 (-204AH)
|
|
|
|
|
|
Hoge van de de Precisieshunt van IC TL431AIDBZR van het Stabiliteitsenergiebeheer Regelbare de Regelgeversspaander
|
Shuntspanningsreferentie IC Instelbaar 2,495V 36 VV ±1% 100 mA SOT-23-3
|
|
|
|
