Filters
Filters
elektronische ic spaanders
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF3710PBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
IRF3808PBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 75 V 140A (Tc) 330W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
IRF3808SPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 75 van V 106A (Tc) 200W (Tc) zet D2PAK op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
2SB1184TLP Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 50 V 3 (van BJT) een Oppervlakte van 70MHz 1 W zet CPT3 op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
IRF2805PBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
IRF2907ZPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
IRF2907 - 12V-300V-N-CHANNEL POW
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
CYRF69103-40LTXC Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
IC rf TxRx + Algemene MCU ISM > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN stelde Stootkussen bloot
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
IRFS4321PBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 150 van V 85A (Tc) 350W (Tc) zet D2PAK op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
IRFS4610TRLPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 100 van V 73A (Tc) 190W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4227TRLPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 200 van V 62A (Tc) 330W (Tc) zet D2PAK op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
IRFS4410ZTRLPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakteonderstel pg-to263-3 100 van V 97A (Tc) 230W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4010TRLPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 100 van V 180A (Tc) 375W (Tc) zet D2PA op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4010-7PPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 100 van V 190A (Tc) 380W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
SMBJ20A-E3/52 Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
32.4V de de Diodeoppervlakte van klem18.5a Ipp TVs zet -214AA (SMBJ) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SMBJ11CA-E3/52 Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
18.2V de de Diodeoppervlakte van klem33a Ipp TVs zet -214AA (SMBJ) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SMBJ18CA-E3/52 Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
29.2V de de Diodeoppervlakte van klem20.5a Ipp TVs zet -214AA (SMBJ) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-30ETH06SPBF Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 de Oppervlakte van V 30A zet aan-263AB (D ² PAK) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BC847BPN,165 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire de Transistorserie NPN, de Oppervlakte (van BJT) van PNP 45V 100mA 100MHz 300mW zet 6-T
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PMBS3904,215 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 40 V 100 mA 180MHz (van BJT) 250 mw-Oppervlakte zet aan-236AB op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PHKD6N02LT,518 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie20v 10.9A 4.17W Oppervlakte zet 8-ZO op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC817-40 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAS316 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 100 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 250mA
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BSS123 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 100 van V 200mA 350mW (Ta)
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
PMBT3906YS,115 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Bipolaire de Transistorserie de Oppervlakte 2 (van BJT) van PNP (Dubbele) 40V 200mA 250MHz 350mW zet
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PBSS5350D Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 50 V 3 (van BJT) een 100MHz 750 mw-Oppervlakte zet 6-TSOP op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PMBT4403,235 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 40 V 600 mA 200MHz (van BJT) 250 mw-Oppervlakte zet aan-236AB op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCX56-16,135 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 80 V 1 een 180MHz 1,25 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PESD12VS1UL,315 Chip Diode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
35V van de de Diodeoppervlakte van klem5a (8/20µs) Ipp TVs Onderstel dfn1006-2
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BZX79-B10,113 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Zenerdiode 10 V 400 mw ±2% door Gat ALF2
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCP56 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 80 V 1,2 de Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT) van A1 W
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
BT139-800G,127 Chip Diode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
TRIAC Standard 800 V 16 A door Gat aan-220AB
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BSS123 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-kanaal 100 V 200 mA (Ta) 350 mW (Ta) Oppervlakte SOT-23
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
RUSBF110-2 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Polymere PTC Resettable Zekering 16V 1,1 een Ih door Radiaal Gat, Schijf
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PESD1CAN-UX Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
50V van de de Diodeoppervlakte van klem3a (8/20µs) Ipp TVs Onderstel dronkaard-323
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PUMD3,125 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Pre-Pre-Biased Bipolaire Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - pre-Pre-Biased (Dubbele) Oppervlakte van 50
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PSMN7R0-100PS,127 Chip Diode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 100 V 100A (Tc) 269W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC817-40-7-F Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 310 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PDTC114YE,135 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Pre-Pre-Biased Bipolaire Transistor (BJT) NPN - pre-Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mw-Oppervlakteonderst
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV170 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 85 van V 125mA (gelijkstroom) zet aan
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCX51-10,115 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 1 een 145MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PMBT2907AYSX Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Bipolaire de Transistorserie de Oppervlakte 2 (van BJT) van NPN (Dubbele) 60V 600mA 200MHz 550mW zet
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAV23S Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 250 de Oppervlakte van V 225mA zet aan-236-3, Sc-59, dro
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PESD3V3L1BA Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
24V van de de Diodeoppervlakte van klem20a (8/20µs) Ipp TVs Onderstel zode-323
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PUMD3,135 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Pre-Pre-Biased Bipolaire Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - pre-Pre-Biased (Dubbele) Oppervlakte van 50
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCX55-10,115 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1 een 180MHz 1,25 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
PMEG4005AEA,115 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 40 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 500mA
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 80 V 1 een 50MHz 1,6 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
PUMD9 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Pre-Pre-Biased Bipolaire Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - pre-Pre-Biased (Dubbele) Oppervlakte van 50
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC817-40 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAT54 Chipdiode NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 30 de Oppervlakteonderstel dronkaard-23 van V 200mA
|
Vervaardiging
|
|
|