Filters
Filters
elektronische ic spaanders
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAT120C, 115 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 25 van V 1A (gelijkstroom) zet aan-26
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAT54A NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Anode de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-2
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAT54A NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Anode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59, dr
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC857C,235 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz (van BJT) 250 mw-Oppervlakte zet aan-236AB op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC856W,115 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC856W NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC847W Surface Mount Inductor Nieuwe en originele voorraad |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC848B Hoogspanningstransistor Nieuwe en originele voorraad |
De bipolaire Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 250 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC847C Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC847W Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC856B Power Transistor Nieuwe en originele voorraad |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 250 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC856B Hoogspanningstransistor Nieuwe en originele voorraad |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC848B hoogfrequente transistor nieuwe en originele voorraad |
De bipolaire Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC847BW Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC856B Power Transistor Nieuwe en originele voorraad |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC847BPN,125 veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire de Transistorserie NPN, de Oppervlakte (van BJT) van PNP 45V 100mA 100MHz 300mW zet 6-T
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC847BW Veldeffecttransistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC856W-QF Surface Mount Inductor Nieuwe en originele voorraad |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC856W-QX verstelbare inductor nieuwe en originele voorraad |
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC856S verstelbare inductor nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire de Transistorserie 2 de Oppervlakteonderstel dronkaard-363 (van BJT) van PNP 65V 100mA 100
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC857A NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 250 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC857BW NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC857BW NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC857BW NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC857C NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 350 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC857C NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC857W,135 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC857W NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCM857BS, 115 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Bipolaire de Transistorserie Dubbele) Aangepaste het Paar45v 100mA 175MHz 300mW Oppervlakte 2 (van B
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC858B NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCM857BS-7-F NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Bipolaire de Transistorserie de Oppervlakteonderstel dronkaard-363 (van BJT) 2 van PNP (Dubbele) 45V
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCP51 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 1,5 de Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT) van A1 W
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCP51 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 1,5 de Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT) van A1 W
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
SM8S33AHE3/2D NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
53.3V de de Diodeoppervlakte van klem124a Ipp TVs zet -218AB op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFH7085TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 60 van V 100A (Tc) 156W (Tc) zet PQFN (5x6) op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
SIR468DP-T1-GE3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta) de Oppervlakte, van 50W (Tc) zet PowerPAK® zo-8 op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFU024NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR3910TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 100 van V 16A (Tc) 79W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR24N15DTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 150 van V 24A (Tc) 140W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR9024NTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakte 55 van V 11A (Tc) 38W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR120NTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 100 van V 9.4A (Tc) 48W (Tc) zet D-Pak op
|
Microchip
|
|
|
|
|
|
IRFR220NTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 200 van V 5A (Tc) 43W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 20A (Tc) 250W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLU024NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
40L15CTPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 15 V 20A door Gat aan-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
APT15DQ100KG NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 1000 V 15A door Gat aan-220 [K]
|
Microchip
|
|
|
|
|
|
SIRA04DP-T1-GE3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta) de Oppervlakte, van 62.5W (Tc) zet PowerPAK® zo-8 op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
16CTQ100 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 100 V 8A door Gat aan-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
Versus-16CTU04STRLPBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 400 de Oppervlakte van V 8A zet aan-263-3, D ² Pak (
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR3410TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta) de Oppervlakte, van 110W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|