Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders

elektronische ic spaanders

Beelddeel #BeschrijvingfabrikantVoorraadRFQ
IRFR7440TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFR7440TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakteonderstel pg-to252-3 40 van V 90A (Tc) 140W (Tc)
Infineon
IRFR210TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFR210TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta) de Oppervlakte, van 25W (Tc) zet D-Pak op
VISHAY
IRFR420ATRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFR420ATRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 500 van V 3.3A (Tc) 83W (Tc) zet D-Pak op
VISHAY
IRFR320TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFR320TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 400 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta) de Oppervlakte, van 42W (Tc) zet D-Pak op
VISHAY
Versus-80CPQ020PBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Versus-80CPQ020PBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 20 V 40A door Gat aan-247-3
VISHAY
Versus-80CPQ150PBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Versus-80CPQ150PBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 150 V 40A door Gat aan-247-3
VISHAY
IRLML2502TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRLML2502TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 20 van V 4.2A (Ta) 1.25W (Ta) zet Micro3™/SOT-23 op
Infineon
IRLML0060TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRLML0060TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 60 van V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) zet Micro3™/SOT-23 op
Infineon
IRLML6302TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRLML6302TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel de Oppervlakte 20 van V 780mA (Ta) 540mW (Ta) zet Micro3™/SOT-23 op
Infineon
IRLML0030TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRLML0030TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 30 van V 5.3A (Ta) 1.3W (Ta) zet Micro3™/SOT-23 op
Infineon
V40150C-E3/4W gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

V40150C-E3/4W gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 150 V 20A door Gat aan-220-3
VISHAY
6N137 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

6N137 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Van het de Collector2500vrms 1 Kanaal 10kV/µs (Type) CMTI van Optoisolator 10Mbps van de logicaoutpu
ON Semi / Katalysator Semi
IRF1010EPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1010EPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 60 V 84A (Tc) 200W (Tc) Door Gat aan-220AB
Vervaardiging
IRF1407PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1407PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Door Gat aan-220AB
Vervaardiging
IRF135S203 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF135S203 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakteonderstel pg-to263-3-2 135 van V 129A (Tc) 441W (Tc)
Vervaardiging
IRF1404ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1404ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 40 V 180A (Tc) 200W (Tc) Door Gat aan-220AB
Vervaardiging
IRF1324S-7P gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1324S-7P gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 24 van V 240A (Tc) zet D2PAK (7-lood) op
Infineon
IRLB4132PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRLB4132PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 30 V 78A (Tc) 140W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRL8113PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRL8113PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 30 V 105A (Tc) 110W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
Fmx-4202S Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Fmx-4202S Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 200 V 20A door Gat aan-3p-3 Volledig Pak
Vervaardiging
IRL3705ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRL3705ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 55 V 75A (Tc) 130W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF9540NPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF9540NPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF1404STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1404STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta) de Oppervlakte, van 200W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRF9530NSTRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF9530NSTRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta) de Oppervlakte, van 79W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRF9Z24NPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF9Z24NPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel 55 V 12A (Tc) 45W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF9540NSTRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF9540NSTRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel 100 V 23A (Tc) 3.1W (Ta) de Oppervlakte, van 110W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRF9540PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF9540PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-220AB
VISHAY
IRF9640STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF9640STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel 200 V 11A (Tc) 3W (Ta) de Oppervlakte, van 125W (Tc) zet D ² PAK (aan-263) op
VISHAY
IRF9530NPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF9530NPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel 100 V 14A (Tc) 79W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
Versus-eth1506s-m3 Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Versus-eth1506s-m3 Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diode 600 de Oppervlakte van V 15A zet aan-263AB (D ² PAK) op
VISHAY
IRF9640PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF9640PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) Door Gat aan-220AB
VISHAY
IRF3808PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF3808PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 75 V 140A (Tc) 330W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF3710STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF3710STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 100 van V 57A (Tc) 200W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRF3205ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF3205ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF3710PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF3710PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 100 V 57A (Tc) 200W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF3205PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF3205PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF3205STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF3205STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 55 van V 110A (Tc) 200W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRF3710ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF3710ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF3808SPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF3808SPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 75 van V 106A (Tc) 200W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
Sir688dp-t1-GE3 Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Sir688dp-t1-GE3 Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 60 V 60A (Tc) 5.4W (Ta) de Oppervlakte, van 83W (Tc) zet PowerPAK® zo-8 op
VISHAY
2sb1184-q-TP Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

2sb1184-q-TP Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

De bipolaire Transistor PNP 50 V 3 (van BJT) een Oppervlakte van 70MHz 1 W zet D-Pak op
Vervaardiging
BYG10M-E3/TR gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

BYG10M-E3/TR gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diode 1000 de Oppervlakte van V 1.5A zet -214AC (SMA) op
VISHAY
IRF2805PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF2805PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 55 V 75A (Tc) 330W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF2804STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF2804STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 40 van V 75A (Tc) 300W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRF2807PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF2807PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF2907ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF2907ZPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 75 V 160A (Tc) 300W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF2805STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF2805STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 55 van V 135A (Tc) 200W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRF2804PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF2804PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 40 V 75A (Tc) 300W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
CYRF69103-40LTXC gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

CYRF69103-40LTXC gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IC rf TxRx + Algemene MCU ISM > 1GHz 2.4GHz 40-VFQFN stelde Stootkussen bloot
Infineon
IRFS7530TRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFS7530TRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakteonderstel pg-to263-2 60 van V 195A (Tc) 375W (Tc)
Infineon
29 30 31 32 33