Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders > BCP56-16 machtsmosfet Transistornpn middelhoogvermogentransistors

BCP56-16 machtsmosfet Transistornpn middelhoogvermogentransistors

fabrikant:
Vervaardiging
Beschrijving:
Bipolaire (BJT) transistor NPN 80 V 1 A 1,6 W Opbouwmontage SOT-223
Categorie:
elektronische ic spaanders
Prijs:
Negotiate
Betalingswijze:
T/T, Western Union, Paypal
Specificaties
Collector-Base Voltage:
100 V
Collector-zender voltage:
80 V
Emitter-base voltage:
5 V
Collectorstroom (gelijkstroom):
1 A
peak collector current:
1.5 A
VERBINDINGStemperatuur:
150°C
Hoogtepunt:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Inleiding

BCP54; BCP55; BCP56

De middelhoogvermogentransistors van NPN

EIGENSCHAPPEN

• Hoog stroom (max. 1 A)

• Laag voltage (max. 80 V).

TOEPASSINGEN

• Omschakeling.

BESCHRIJVING

De middelhoogvermogentransistor van NPN in een plastic pakket van SOT223.

PNP vult aan: BCP51, BCP52 EN BCP53.

Het SPELDEN

SPELD BESCHRIJVING
1 basis
2,4 collector
3 zender

BEPERKENDE WAARDEN

Overeenkomstig het Absolute Maximumclassificatiesysteem (CEI 134)

SYMBOOL PARAMETER VOORWAARDEN MIN. MAX. EENHEID
VCBO

collector-base voltage

BCP54

BCP55

BCP56

open zender

45

60

100

V
VCEO

collector-zender voltage

BCP54

BCP55

BCP56

open basis

45

60

80

V
VEBO emitter-base voltage open collector - 5 V
IC collectorstroom (gelijkstroom) - 1 A
ICM piekcollectorstroom - 1.5 A
IBM piekbasisstroom - 0,2 A
Ptot totale machtsdissipatie Tamb ≤ 25 °C; nota 1 - 1.33 W
Tstg opslagtemperatuur -65 +150 °C
Tj verbindingstemperatuur - 150 °C
Tamb werkende omgevingstemperatuur -65 +150 °C

Nota 1. Het apparaat opgezet op printed-circuit raad, enig opgeruimd koper, tinplated, opzettend stootkussen voor collector 1 cm2. Voor andere opzettende voorwaarden, zie „Thermische overwegingen voor SOT223 in het Algemene Deel van bijbehorend Handboek“.

PAKKEToverzicht

Plastic oppervlakte opgezet pakket; collectorstootkussen voor goede hitteoverdracht; 4 lood SOT223

Hete voorraadaanbieding (verkoop)

Artikelnummer. Hoeveelheid Merk D/C Pakket
PIC24FJ64GA004-I/PT 4138 MICROCHIP 15+ TQFP
PCF8591T 13260 PHILIPS 16+ SOP
Md1211lg-g 5830 SUPERTEX 16+ QFN
NDS332P 40000 FAIRCHILD 16+ Dronkaard-23
NCP1117STAT3G 10000 OP 16+ Dronkaard-223
Sak-xc164cm-16F40FBA 500 13+ Lqfp-64
ZTX1053A 3980 ZETEX 13+ Aan-92S
M29F200BB-70N6 3841 ST 16+ TSSOP
OPA347NA 7440 Ti 14+ Sot23-5
LM4652TF 1435 NSC 13+ Pit-15
PIC24FJ64GB106-I/PT 4118 MICROCHIP 16+ TQFP
LM4651N 1543 NSC 14+ Onderdompeling-28
PC3H711NIP 30000 SCHERP 16+ SOP
PC3Q67QJ000F 11500 SCHERP 16+ SOP
MC68302PV16C 3628 MOT 10+ QFP
LMH0356SQE 437 Ti 15+ Wqfn-48
LMH0036SQE 1226 NSC 12+ LLP
CY7B1399B-15VC 500 CIPRES 01+ SOJ
MAX3232EEUE+T 11450 STELREGEL 16+ TSSOP
PIC18F66K22-I/PT 4308 MICROCHIP 14+ QFP
PESD5V0S1BA 25000 16+ ZODE
NUP5150MUTBG 5340 OP 16+ QFN
Cs4954-CQZR 2476 CIRRUS 10+ Tqfp-48
MIC2951-02YM 6460 MICREL 11+ SOP
MUR1620CTG 10000 OP 16+ Aan-220
MKL25Z128VLK4 1070 FREESCALE 14+ LQFP
BD82H61 SLJ4B 340 INTEL 13+ BGA
MBR0540T1G 20000 OP 15+ Zode-123
SAP16PO 300 SANKEN 06+ Aan-3P
M48T02-120PC1 3607 ST 15+ ONDERDOMPELING

VERWANTE PRODUCTEN
Beeld deel # Beschrijving
0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

0402 de Film Chip Resistor RC0402JR-0710KL van 0.063W 10kOhm SMT dik

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A voor Machtslijn TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

de Film Chip Resistors erj-2GEJ220X PANASONIC van 22R 5% SMD0402

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

Varistor blauwe SMD Chip Resistor van mov-20D751K 750V 6.5kA 1 Kring door Gatenschijf 20mm

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P polaire Machtsmosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, H3F-de Beschermingsdioden van TVs 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123  van PMEG6010ER 1A

Lage VF MEGAschottky de Barrièregelijkrichter SOD123 van PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

De Dioden van de de Barrièregelijkrichter van SK34SMA 3A SMD Schottky - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

SMBJ5.0A de de Dioden600w Oppervlakte van de siliciumlawine zet TVs-Dioden op

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Verzend RFQ
Voorraad:
MOQ:
20pcs