Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders

elektronische ic spaanders

Beelddeel #BeschrijvingfabrikantVoorraadRFQ
PDZ3.3B,115 Hoogspanningsdiode

PDZ3.3B,115 Hoogspanningsdiode

Zenerdiode 3,3 V 400 mw ±2% Oppervlakteonderstel zode-323
Nexperia
PMLL4448,135 High Power Diode Nieuwe en originele voorraad

PMLL4448,135 High Power Diode Nieuwe en originele voorraad

Diode 75 de Oppervlakte van V 200mA zet LLDS op; MiniMelf
Nexperia
BAW56S,135 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

BAW56S,135 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

Diodearray 2 paar gemeenschappelijke anode 90 V 250mA (DC) Opbouwmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Nexperia
BC807,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BC807,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 80MHz (van BJT) 250 mw-Oppervlakte zet aan-236AB op
Nexperia
BCP52-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

BCP52-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

De bipolaire Transistor PNP 60 V 1 een 50MHz 1,4 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
STMicroelectronics
BCP54-16E6433 Nieuwe en originele voorraden

BCP54-16E6433 Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor NPN 45 V 1 een 100MHz 2 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
Infineon
BCP54-16-TP Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

BCP54-16-TP Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

De bipolaire Transistor NPN 45 V 1 een 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
Vervaardiging
BCP5416TA Nieuwe en originele voorraden

BCP5416TA Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor NPN 45 V 1 een 150MHz 2 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223-3 (van BJT)
DIODEN
VS-ETH1506-M3 Geïsoleerde poort veld effect transistor Nieuw en origineel

VS-ETH1506-M3 Geïsoleerde poort veld effect transistor Nieuw en origineel

Diode 600 V 15A door Gat aan-220AC
VISHAY
10CTQ150 VISHAY High Power Mosfet Transistors Nieuwe originele ROHS-certificering

10CTQ150 VISHAY High Power Mosfet Transistors Nieuwe originele ROHS-certificering

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 150 V 5A door Gat aan-220-3
VISHAY
ROHS-standaardveld-effecttransistor IRLR024NTRPBF Logo aangepast

ROHS-standaardveld-effecttransistor IRLR024NTRPBF Logo aangepast

N-Channel de Oppervlakte 55 van V 17A (Tc) 45W (Tc) zet D-Pak op
Infineon
Precision Field Effect Transistor ROHS goedgekeurd SIHW30N60E-GE3

Precision Field Effect Transistor ROHS goedgekeurd SIHW30N60E-GE3

N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Door Gat aan-247AD
VISHAY
BAT54A Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT54A Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Anode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59, dr
Fairchild
BAT54C Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT54C Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59,
Good-Ark halfgeleider
BAT54S Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT54S Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 30 de Oppervlakte van V 200mA zet aan-236-3, Sc-59, dron
Good-Ark halfgeleider
BAT54SW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT54SW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 30 de Oppervlakte van V 200mA zet Sc-70, dronkaard-323 o
Diotechalfgeleider
BAT54SW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT54SW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet Sc-70,
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
BAT54W Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT54W Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

Diode 30 de Oppervlakteonderstel dronkaard-323 van V 200mA
Diotechalfgeleider
BAT54W Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT54W Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

Diode 30 de Oppervlakteonderstel dronkaard-323 van V 200mA
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
BAT721C,215 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT721C,215 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 40 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan
Nexperia
BAT721S,215 Nieuw en oorspronkelijk bestand

BAT721S,215 Nieuw en oorspronkelijk bestand

De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 40 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-236
NXP
BAT721S_R1_00001 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT721S_R1_00001 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 40 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-236
Vervaardiging
BAT721S,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BAT721S,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 40 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-236
Nexperia
BAT74,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BAT74,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-253-4, aan-253AA op
Nexperia
BAT74,235 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BAT74,235 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-253-4, aan-253AA op
Nexperia
BAT74S,135 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL

BAT74S,135 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL

Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet 6-TSSOP, Sc-88, dronkaa
NXP
BAT74S/S500X Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BAT74S/S500X Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

Diodeserie 30 V-Oppervlakte zet aan-253-4, aan-253AA op
Nexperia
BAT74S,135 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL

BAT74S,135 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL

Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet 6-TSSOP, Sc-88, dronkaa
Nexperia
BAT74S,115 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BAT74S,115 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet 6-TSSOP, Sc-88, dronkaa
Nexperia
BAT 754S,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BAT 754S,215 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet aan-236
Nexperia
BAT 754L,115 Transistor met veldeffect

BAT 754L,115 Transistor met veldeffect

Diodeserie 3 de Onafhankelijke Oppervlakte 30 van V 200mA (gelijkstroom) zet 6-TSSOP, Sc-88, dronkaa
Nexperia
BAT760Z Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BAT760Z Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

Diode 20 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 1A
Nexperia
BAT760Q-7 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL

BAT760Q-7 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL

Diode 30 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 1A
DIODEN
BAT 760,115 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BAT 760,115 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

Diode 20 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 1A
Nexperia
BAV102 veld-effect transistor nieuw en origineel

BAV102 veld-effect transistor nieuw en origineel

Diode 150 de Oppervlakteonderstel zode-80 van V 200mA
ON Semi / Katalysator Semi
BAV170 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

BAV170 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 85 van V 125mA (gelijkstroom) zet aan
DIODEN
BAV170 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

BAV170 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode de Oppervlakte 85 van V 125mA (gelijkstroom) zet aan
Nexperia
BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diode 200 V 200mA door Gat -35
ON Semi / Katalysator Semi
BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diode 150 V 200mA door Gat -35
DIODEN
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diode 200 V 200mA door Gat -35
Diotechalfgeleider
BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diode 150 V 250mA Through-hole DO-35
Diotechalfgeleider
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diode 250 V 200mA door Gat -35
ON Semi / Katalysator Semi
BC846B Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BC846B Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
BC846BW Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BC846BW Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
Diotechalfgeleider
BAT54CW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BAT54CW Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 30 de Oppervlakte van V 200mA zet Sc-70, dronkaard-3
Diotechalfgeleider
GRM1555C1H390JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

GRM1555C1H390JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

39 pF ±5% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
Murata
GRM1555C1H471GA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

GRM1555C1H471GA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

470 pF ±2% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
Murata
GRM1555C1H470JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

GRM1555C1H470JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

47 pF ±5% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
Murata
GRM1555C1H431JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

GRM1555C1H431JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

430 pF ±5% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
Murata
GRM1555C1H430JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

GRM1555C1H430JA01D MLCC condensator Nieuwe en originele voorraad

43 pF ±5% de Ceramische Condensator C0G, NP0 0402 van 50V (Metrische 1005)
Murata
3 4 5 6 7