Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders

elektronische ic spaanders

Beelddeel #BeschrijvingfabrikantVoorraadRFQ
IRFZ44VPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFZ44VPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 60 V 55A (Tc) 115W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRFZ44NSTRLPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFZ44NSTRLPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 55 V 49A (Tc) 3.8W (Ta) de Oppervlakte, van 94W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRFZ34NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFZ34NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRFZ24NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFZ24NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRFZ48NSTRLPBF Nieuwe en originele voorraden

IRFZ48NSTRLPBF Nieuwe en originele voorraden

N-Channel 55 V 64A (Tc) 3.8W (Ta) de Oppervlakte, van 130W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRFZ44E NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFZ44E NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
1N4148WS-E3-08 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

1N4148WS-E3-08 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diode 75 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 150mA
VISHAY
APC-817C1-SL NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

APC-817C1-SL NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

De Output 5000Vrms 1 Kanaal 4-SMD van de Optoisolatortransistor
Vervaardiging
25CTQ045 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

25CTQ045 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 45 V 15A door Gat aan-220-3
VISHAY
ROHS-lijst VS-UFB60FA60P veld-effect transistor hoge spanning transistor

ROHS-lijst VS-UFB60FA60P veld-effect transistor hoge spanning transistor

Diodeserie 2 de Onafhankelijke 600 Chassis van V 44A zet dronkaard-227-4 op, miniBLOC
VISHAY
IRGP4066DPBF Transistor met veldeffect Horizontale uitgangstransistor Zwarte schelp

IRGP4066DPBF Transistor met veldeffect Horizontale uitgangstransistor Zwarte schelp

IGBT-Geul 600 V 140 A 454 W door Gat aan-247AC
Infineon
Professionele Precision RF Power Mosfet Transistors VS-65PQ015PBF ROHS vermeld

Professionele Precision RF Power Mosfet Transistors VS-65PQ015PBF ROHS vermeld

Diode 15 V 65A door Gat aan-247AC
VISHAY
Hoogprecisie veld-effect transistor MBR20100CTP Geïsoleerde poort bipolaire transistor

Hoogprecisie veld-effect transistor MBR20100CTP Geïsoleerde poort bipolaire transistor

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 100 V door Gat aan-220-3
Vervaardiging
Veilige gegarandeerde RF Power Mosfet Transistors IRLR120NTRPBF In voorraad

Veilige gegarandeerde RF Power Mosfet Transistors IRLR120NTRPBF In voorraad

N-Channel de Oppervlakte 100 van V 10A (Tc) 48W (Tc) zet D-Pak op
Infineon
VERSUS-12CWQ10FNTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

VERSUS-12CWQ10FNTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 6A Opbouwmontage TO-252-3, DPak (2 kabels + lipj
VISHAY
BCX53,146 Chipdiode NUWE EN ORIGINALE voorraad

BCX53,146 Chipdiode NUWE EN ORIGINALE voorraad

De bipolaire Transistor PNP 80 V 1 een 145MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
Nexperia
1PS76SB40,135 Hoogstroomdiode Nieuwe en originele voorraad

1PS76SB40,135 Hoogstroomdiode Nieuwe en originele voorraad

Diode 40 de Oppervlakteonderstel zode-323 van V 120mA
Nexperia
PESD12VS1UL,315 Chip Diode Nieuwe en originele voorraad

PESD12VS1UL,315 Chip Diode Nieuwe en originele voorraad

35V van de de Diodeoppervlakte van klem5a (8/20µs) Ipp TVs Onderstel dfn1006-2
Nexperia
PHK31NQ03LT Chip Diode Nieuwe en originele voorraad

PHK31NQ03LT Chip Diode Nieuwe en originele voorraad

Mosfet Serie
Nexperia
PDZ10BGWX High Power Diode Nieuw en Original

PDZ10BGWX High Power Diode Nieuw en Original

Zenerdiode 10 V 365 mw ±2.2% Oppervlakteonderstel zode-123
Nexperia
GSOT03C-E3-08 Chip Diode Chip IC VISHAY Nieuwe originele TVS DIODE 3.3V 12.3V SOT23-3

GSOT03C-E3-08 Chip Diode Chip IC VISHAY Nieuwe originele TVS DIODE 3.3V 12.3V SOT23-3

12.3V van de de Diodeoppervlakte van klem30a (8/20µs) Ipp TVs Onderstel dronkaard-23-3
VISHAY
De in de bijlage bij Verordening (EG) nr. 1907/2006 vermelde gegevens moeten worden opgeslagen.

De in de bijlage bij Verordening (EG) nr. 1907/2006 vermelde gegevens moeten worden opgeslagen.

Diode 30 de Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 van V 200mA (aan-236)
Diotechalfgeleider
Chipdiode BCP56T1G Chip IC ON Nieuwe originele TRANS NPN 80V 1A SOT223

Chipdiode BCP56T1G Chip IC ON Nieuwe originele TRANS NPN 80V 1A SOT223

De bipolaire Transistor NPN 80 V 1 een 130MHz 1,5 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT) (aa
ON Semi / Katalysator Semi
MJD127T4G Nieuwe en originele voorraden

MJD127T4G Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - Darlington 100 V 8 een Oppervlakte van 4MHz 1,75 W zet DPAK
ON Semi / Katalysator Semi
STW45NM60 Nieuwe en originele voorraden

STW45NM60 Nieuwe en originele voorraden

N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Door Gat aan-247-3
STMicroelectronics
STP110N8F6 Nieuwe en originele voorraden

STP110N8F6 Nieuwe en originele voorraden

N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Door Gat aan-220
STMicroelectronics
STP110N7F6 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

STP110N7F6 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Door Gat aan-220
STMicroelectronics
STP55NF06 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

STP55NF06 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 60 V 50A (Tc) 110W (Tc) Door Gat aan-220
STMicroelectronics
TIP122 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

TIP122 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

De bipolaire Transistor NPN (van BJT) - Darlington 100 V 5 A 2 W door Gat aan-220
STMicroelectronics
TIP127 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

TIP127 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - Darlington 100 V 5 A 2 W door Gat aan-220
STMicroelectronics
BTA24-600BWRG Nieuwe en originele voorraden

BTA24-600BWRG Nieuwe en originele voorraden

TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A door Gat aan-220
STMicroelectronics
BTA16-600CWRG Nieuwe en originele voorraden

BTA16-600CWRG Nieuwe en originele voorraden

TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 16 A door Gat aan-220
STMicroelectronics
BTA06-600SWRG Nieuwe en originele voorraden

BTA06-600SWRG Nieuwe en originele voorraden

TRIAC Logica - Gevoelige Poort 600 V 6 A door Gat aan-220
STMicroelectronics
BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV20 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diode 200 V 200mA Through-hole DO-35 (DO-204AH)
Fairchild
BAV199 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

BAV199 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks de Oppervlakte 85 van V 140mA (gelijkstroom) zet aan-236
DIODEN
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diode 200 V 250mA door Gat -35
Diotechalfgeleider
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diode 200 V 250mA door Gat -35
Diotechalfgeleider
BAV23,235 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BAV23,235 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 200 van V 225mA (gelijkstroom) zet aan-253-4, aan-253AA o
Nexperia
BAV23,215 Transistor met veldeffect

BAV23,215 Transistor met veldeffect

Diodeserie 2 de Onafhankelijke Oppervlakte 200 van V 225mA (gelijkstroom) zet aan-253-4, aan-253AA o
Nexperia
BAV23A-QR veld-effect transistor

BAV23A-QR veld-effect transistor

De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Anode 200 de Oppervlakte van V 225mA zet aan-236-3, Sc-59, d
Nexperia
BAV23AHE3-TP Field Effect Transistor Nieuw en origineel

BAV23AHE3-TP Field Effect Transistor Nieuw en origineel

Diodearray 1 paar gemeenschappelijke anode 200 V 225mA (DC) Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vervaardiging
BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 70 de Oppervlakte van V 200mA zet op
Vervaardiging
BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 75 de Oppervlakte van V 215mA zet aan-236-3, Sc-59,
Fairchild
BAV70S,115 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

BAV70S,115 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

Diodearray 2 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 250mA (DC) Opbouwmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Nexperia
BAV99 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV99 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 75 de Oppervlakte van V 215mA zet aan-236-3, Sc-59, dron
Diotechalfgeleider
BAV99T Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV99T Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diode-array 1 paar serieschakeling 85 V 75mA Opbouwmontage SOT-523
Fairchild
BAV99STB6_R1_00001 Transistor met veldeffect NUWE EN ORIGINALE voorraad

BAV99STB6_R1_00001 Transistor met veldeffect NUWE EN ORIGINALE voorraad

Diodearray 2 paar serieschakeling 75 V 150mA Opbouwmontage SOT-563, SOT-666
Vervaardiging
BAV99S-AU_R1_000A1 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

BAV99S-AU_R1_000A1 Field Effect Transistor Nieuw en origineel

Diodearray 2 paar serieschakeling 100 V 150mA Opbouwmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vervaardiging
BAV99W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV99W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diodearray 1 paar serieschakeling 100 V 150mA Opbouwmontage SC-70, SOT-323
DIODEN
BAV99W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

BAV99W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diodearray 1 paar serieschakeling 70 V 200mA Opbouwmontage SC-70, SOT-323
Diotechalfgeleider
5 6 7 8 9