Filters
Filters
Elektronische Componenten
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP264PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 250 V 38A (Tc) 280W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460LCPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 1000 V 6.1A (Tc) 190W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFP3206PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 60 V 120A (Tc) 280W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFP4710PBF veld-effect transistor NIEUW EN ORIGINAAL |
N-Channel 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFP7430PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 40 V 195A (Tc) 366W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFP22N50APBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP064VPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 60 V 130A (Tc) 250W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BTA06-600BWRG Nieuwe en originele voorraden |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 6 A door gat TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BTA06-600CWRG Nieuwe en originele voorraden |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 6 A door gat TO-220
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF840STRLPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta) de Oppervlakte, van 125W (Tc) zet D ² PAK (aan-263) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-ETX0806FP-M3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 8A door Gat aan-220-2 Volledig Pak
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-ETU1506FP-M3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 15A door Gat aan-220-2 Volledig Pak
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFH8318TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 27A (Ta), 120A (Tc) 3.6W (Ta) de Oppervlakte, van 59W (Tc) zet PQFN (5x6) op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Ultrasnelle Avalanche SMD-brongediode, BYG20J-E3/TR |
Diode 600 de Oppervlakte van V 1.5A zet -214AC (SMA) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
TLP621-2 IC Chip Geïntegreerde Circuit Chip Programmageheugen |
De 8-ONDERDOMPELING van het de Output5300vrms 2 Kanaal van de Optoisolatortransistor
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
Diode van het brugtype 1N4007 50 tot 1000 volt 1,0 ampère |
Diode 1000 V 1A door Gat -41
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
Silicon Glass Passivated 1.0 Watt Zener Diodes Glas Passivated Junction Silicon Zener Diode 1n4733A |
Zenerdiode 5,1 V 1 W ±5% door Gat -41
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
NDT456P Gelijkrichterdiode P-kanaalverbeteringsmodus Veldeffecttransistor |
P-kanaal 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Oppervlaktebevestiging SOT-223-4
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
SFH628A-3X001 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De 4-ONDERDOMPELING van het de Output5300vrms 1 Kanaal van de Optoisolatortransistor
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SFH615A-2 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De 4-ONDERDOMPELING van het de Output5300vrms 1 Kanaal van de Optoisolatortransistor
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-12CWQ10FNTR-M3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 6A Opbouwmontage TO-252-3, DPak (2 kabels + lipj
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SIHP18N50C-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SIHP12N50C-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Door Gat
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD110PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Door Gat 4-HVMDIP
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SFH615A-2 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De 4-ONDERDOMPELING van het de Output5300vrms 1 Kanaal van de Optoisolatortransistor
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
GBU608 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De Enige Fase Standard 800 V van de bruggelijkrichter door Gat GBU
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
VERSUS-MUR3020WTPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 200 V 15A door Gat aan-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBG30PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBE30PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
V30100C-E3/4W gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 100 V 15A door Gat aan-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRGS10B60KDTRRP gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
IGBT NPT 600 V 22 een 156 w-Oppervlakte zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF1407PBF Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF1404PBF Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
N-Channel 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VERSUS-MBR6045WTPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 45 V 30A door Gat aan-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
2W10G-E4/51 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De Enige Fase Standard 1 kV van de bruggelijkrichter door Gatenwog
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR1018ETRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 60 van V 56A (Tc) 110W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
SIHF12N50C-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 12A (Tc) 36W (Tc) Door Gat aan-220 Volledig Pak
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-HFA30PA60CPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 600 V 15A (gelijkstroom) Door Gat aan-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFR7540TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 60 van V 90A (Tc) 140W (Tc) zet D-PAK (aan-252AA) op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR3806TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 60 van V 43A (Tc) 71W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFR5305TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakte 55 van V 31A (Tc) 110W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFU120NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFU5410PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VS-85CNQ015APBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 15 de Chassisonderstel D-61-8 van V 40A
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
Versus-HFA16PA60CPBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 600 V 8A (gelijkstroom) Door Gat aan-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
HFA08PB60 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 8A door Gewijzigd Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFU220NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF1404LPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Door Gat aan-262
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFU3910PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
|
Infineon
|
|
|