logo
Bericht versturen
english français Deutsch Italiano Русский Español português Nederlandse ελληνικά 日本語 한국
Huis
producten
fabrikanten
Ongeveer ons
middelen
Verzend RFQ
downloaden
Huis>producten>

epitaxial planar pnp transistor

Filters
Categorieën
Filters

De Spaander van flashgeheugenic

(2423)

Programmeerbare IC-Spaander

(148)

De Spaanders van computeric

(34)

HOOFDbestuurder ICs

(144)

Energiebeheer ICs

(1000)

Chips met geïntegreerde schakelingen

(41211)

MCU Microcontroller-eenheid

(535)

Vertoningsbestuurder ICs

(382)

IGBT-voedingsmodule

(153)

De Spaanders van versterkeric

(358)

elektronische ic spaanders

(3345)

Elektronische Componenten

(279)
sleutelwoorden   [ epitaxial planar pnp transistor ]  Gelijke 26 producten.
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

De bipolaire Transistor PNP 60 V 3 (van BJT) een Oppervlakte van 50MHz 1 W zet D-Pak op
De Transistors 60V 10A 50W van D45H8 NPN PNP door Gat AAN de Hoge Prestaties van 220AB

De Transistors 60V 10A 50W van D45H8 NPN PNP door Gat AAN de Hoge Prestaties van 220AB

De bipolaire Transistor PNP 60 V 10 A 50 W (van BJT) door Gat aan-220
De de Transistors140mhz 625mW Oppervlakte van FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP zet DRONKAARD 23 3 op

De de Transistors140mhz 625mW Oppervlakte van FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP zet DRONKAARD 23 3 op

De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz 625 mw-Oppervlakteonders
Van het de Transistorssilicium van 2SD1899 NPN PNP Voltage van de de Collectorverzadiging het Materiële Lage

Van het de Transistorssilicium van 2SD1899 NPN PNP Voltage van de de Collectorverzadiging het Materiële Lage

De bipolaire Transistor PNP 60 V 10 A 50 W (van BJT) door Gat aan-220
Van het de Transistorsp Kanaal 60V 300mA (Ta) 417mW van BSH201,215 NPN de Oppervlakte PNP (Ta) zet op

Van het de Transistorsp Kanaal 60V 300mA (Ta) 417mW van BSH201,215 NPN de Oppervlakte PNP (Ta) zet op

P-Channel de Oppervlakte 60 van V 300mA (Ta) 417mW (Ta) zet aan-236AB op
2N7002PW de oppervlakte de Transistorsn Kanaal 60V 310mA (Ta) 260mW zet van NPN PNP op

2N7002PW de oppervlakte de Transistorsn Kanaal 60V 310mA (Ta) 260mW zet van NPN PNP op

N-Channel de Oppervlakteonderstel dronkaard-323 60 van V 315mA (Ta) 260mW (Ta)
Het Type van het Algemene Doeltransistor NPN van 2SD2227STPW 50V gelijkstroom 0.15A Enige Configuratie

Het Type van het Algemene Doeltransistor NPN van 2SD2227STPW 50V gelijkstroom 0.15A Enige Configuratie

De bipolaire Transistor NPN 50 V 150 mA 250MHz (van BJT) 300 mw door Gat SPT
PIMN31,115 NPN / PNP-resistor uitgerust met transistor 500 MA 50V Dual Gate Transistor

PIMN31,115 NPN / PNP-resistor uitgerust met transistor 500 MA 50V Dual Gate Transistor

Bipolaire transistor (BJT) 2 NPN - Biolaire transistor (Dual) 50V 500mA 420mW
BD140 3 EPITAXIAL VLAKpnp TRANSISTOR van Pin Transistor

BD140 3 EPITAXIAL VLAKpnp TRANSISTOR van Pin Transistor

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Power Mosfet-transistor Si-epitaxiale vlakke schakeltransistors

PZT2907A Power Mosfet-transistor Si-epitaxiale vlakke schakeltransistors

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Beelddeel #BeschrijvingfabrikantVoorraadRFQ
Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak

Van de het Algemene Doelgelijkrichter van 2sb1261-TP 10W van het de Diodesilicium Transistor van Pnp Epitaxial Vlak
De bipolaire Transistor PNP 60 V 3 (van BJT) een Oppervlakte van 50MHz 1 W zet D-Pak op
De Transistors 60V 10A 50W van D45H8 NPN PNP door Gat AAN de Hoge Prestaties van 220AB

De Transistors 60V 10A 50W van D45H8 NPN PNP door Gat AAN de Hoge Prestaties van 220AB
De bipolaire Transistor PNP 60 V 10 A 50 W (van BJT) door Gat aan-220
De de Transistors140mhz 625mW Oppervlakte van FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP zet DRONKAARD 23 3 op

De de Transistors140mhz 625mW Oppervlakte van FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP zet DRONKAARD 23 3 op
De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz 625 mw-Oppervlakteonders
Van het de Transistorssilicium van 2SD1899 NPN PNP Voltage van de de Collectorverzadiging het Materiële Lage

Van het de Transistorssilicium van 2SD1899 NPN PNP Voltage van de de Collectorverzadiging het Materiële Lage
De bipolaire Transistor PNP 60 V 10 A 50 W (van BJT) door Gat aan-220
Van het de Transistorsp Kanaal 60V 300mA (Ta) 417mW van BSH201,215 NPN de Oppervlakte PNP (Ta) zet op

Van het de Transistorsp Kanaal 60V 300mA (Ta) 417mW van BSH201,215 NPN de Oppervlakte PNP (Ta) zet op
P-Channel de Oppervlakte 60 van V 300mA (Ta) 417mW (Ta) zet aan-236AB op
2N7002PW de oppervlakte de Transistorsn Kanaal 60V 310mA (Ta) 260mW zet van NPN PNP op

2N7002PW de oppervlakte de Transistorsn Kanaal 60V 310mA (Ta) 260mW zet van NPN PNP op
N-Channel de Oppervlakteonderstel dronkaard-323 60 van V 315mA (Ta) 260mW (Ta)
Het Type van het Algemene Doeltransistor NPN van 2SD2227STPW 50V gelijkstroom 0.15A Enige Configuratie

Het Type van het Algemene Doeltransistor NPN van 2SD2227STPW 50V gelijkstroom 0.15A Enige Configuratie
De bipolaire Transistor NPN 50 V 150 mA 250MHz (van BJT) 300 mw door Gat SPT
PIMN31,115 NPN / PNP-resistor uitgerust met transistor 500 MA 50V Dual Gate Transistor

PIMN31,115 NPN / PNP-resistor uitgerust met transistor 500 MA 50V Dual Gate Transistor
Bipolaire transistor (BJT) 2 NPN - Biolaire transistor (Dual) 50V 500mA 420mW
BD140 3 EPITAXIAL VLAKpnp TRANSISTOR van Pin Transistor

BD140 3 EPITAXIAL VLAKpnp TRANSISTOR van Pin Transistor
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Power Mosfet-transistor Si-epitaxiale vlakke schakeltransistors

PZT2907A Power Mosfet-transistor Si-epitaxiale vlakke schakeltransistors
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Mosfet 2SB1560, van de siliciumpnp Epitaxial Vlak audiomacht

Mosfet 2SB1560, van de siliciumpnp Epitaxial Vlak audiomacht
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Siliciumpnp Epitaxial Vlaktransistor, audio de machtsmosfet van 2SB1560

Siliciumpnp Epitaxial Vlaktransistor, audio de machtsmosfet van 2SB1560
Bipolaire (BJT) transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through-hole TO-3P
Transistors van de het siliciummacht van PNP/van NPN Epitaxial Vlak2sc5707 voor Hoge Huidige Omschakeling

Transistors van de het siliciummacht van PNP/van NPN Epitaxial Vlak2sc5707 voor Hoge Huidige Omschakeling
De bipolaire Transistor NPN 50 V 8 (van BJT) een Oppervlakte van 330MHz 1 W zet tp-FA op
2SB1219A machtsmosfet Epitaxial Vlaktype van Transistorsilicium PNP

2SB1219A machtsmosfet Epitaxial Vlaktype van Transistorsilicium PNP
De bipolaire Transistor PNP 50 V 500 mA 200MHz (van BJT) 150 mw-Oppervlakte zet SMini3-G1 op
Van het de Transistorsilicium SANKEN van 2SA1295 PNP Epitaxial Vlak Gloednieuwe Originele Voorwaarde

Van het de Transistorsilicium SANKEN van 2SA1295 PNP Epitaxial Vlak Gloednieuwe Originele Voorwaarde
De bipolaire Transistor PNP 230 V 17 A 35MHz 200 W (van BJT) door Gat MT-200
BCP55 de Raad van de transistorskring Chips Surface zet Epitaxial Vlak van Si op

BCP55 de Raad van de transistorskring Chips Surface zet Epitaxial Vlak van Si op
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1,5 een 1,5 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT)
EMD3T2R Power Mosfet Module Transistor Algemeen gebruik (Dual Digital Transistors)

EMD3T2R Power Mosfet Module Transistor Algemeen gebruik (Dual Digital Transistors)
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
TIP2955 bijkomende machtstransistors die machtsmosfet lage machtsmosfet schakelen

TIP2955 bijkomende machtstransistors die machtsmosfet lage machtsmosfet schakelen
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
TIP3055 mosfet van de de Transistors hoge macht van de siliciumnpn Macht transistors

TIP3055 mosfet van de de Transistors hoge macht van de siliciumnpn Macht transistors
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
MMBT3904-7-F DE MULTI KLEINE HET SIGNAALoppervlakte VAN DE ZENDERtransistor NPN ZET TRANSISTOR OP

MMBT3904-7-F DE MULTI KLEINE HET SIGNAALoppervlakte VAN DE ZENDERtransistor NPN ZET TRANSISTOR OP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Ddtc123eca-7-F ZET het NPN pre-PRE-BIASED KLEINE SIGNAAL dronkaard-23 OPPERVLAKTE mosfet van de TRANSISTORmacht mosfet ic van de modulemacht op

Ddtc123eca-7-F ZET het NPN pre-PRE-BIASED KLEINE SIGNAAL dronkaard-23 OPPERVLAKTE mosfet van de TRANSISTORmacht mosfet ic van de modulemacht op
Voorgepolariseerde bipolaire transistor (BJT) NPN - voorgepolariseerd 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Opb
Epitaxial het Siliciumtransistor van MMBT5401 PNP 3000 PCs van 2L dronkaard-23

Epitaxial het Siliciumtransistor van MMBT5401 PNP 3000 PCs van 2L dronkaard-23
De bipolaire Transistor PNP 150 V 600 mA 300MHz 350 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
Van de het Doeltransistor van BC856B SMD Algemene de machtsmosfet (PNP) lage mosfet van de hoogspanningsmacht

Van de het Doeltransistor van BC856B SMD Algemene de machtsmosfet (PNP) lage mosfet van de hoogspanningsmacht
De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 150MHz 350 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
BC858B de OPPERVLAKTE ZET PNP-elektro de kringsraad van de SILICIUMtransistor, programmeerbare ic op

BC858B de OPPERVLAKTE ZET PNP-elektro de kringsraad van de SILICIUMtransistor, programmeerbare ic op
De bipolaire Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
Mmbt2907a-7-F het Programma Ic Chip Color van de het Geheugenflits van TV Ic van de Gelijkrichterdiode de Spaander 60V

Mmbt2907a-7-F het Programma Ic Chip Color van de het Geheugenflits van TV Ic van de Gelijkrichterdiode de Spaander 60V
De bipolaire Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
Ddtc143xca-7-F brugtype van de Gelijkrichterdiode van de Leveranciers de Originele Dioden van China van de gelijkrichterdiode Spaander van IC

Ddtc143xca-7-F brugtype van de Gelijkrichterdiode van de Leveranciers de Originele Dioden van China van de gelijkrichterdiode Spaander van IC
Voorgepolariseerde bipolaire transistor (BJT) NPN - voorgepolariseerd 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Opb
1
Neem contact met ons op
Adres: Kamer 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
E-mailen: sales@cmhk-ic.com
Telefoon: 86-755-88367702
producten

De Spaander van flashgeheugenic

Programmeerbare IC-Spaander

De Spaanders van computeric

HOOFDbestuurder ICs

Energiebeheer ICs

Chips met geïntegreerde schakelingen

MCU Microcontroller-eenheid

Vertoningsbestuurder ICs

IGBT-voedingsmodule

De Spaanders van versterkeric
Ongeveer ons
Ongeveer ons ISO-Certificaat Kwaliteitscontrole Privacybeleid Hulpcentrum
Privacybeleid | De Goede Kwaliteit van China De Spaander van flashgeheugenic Leverancier. Copyright © 2023-2025 icmemorychip.com . Alle rechten voorbehoudena.