Bericht versturen
Huis > producten > elektronische ic spaanders

elektronische ic spaanders

Beelddeel #BeschrijvingfabrikantVoorraadRFQ
BCP55-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

BCP55-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

De bipolaire Transistor NPN 60 V 1 een 100MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
Diotechalfgeleider
BCP55-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

BCP55-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

De bipolaire Transistor NPN 60 V 1 een 100MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
Diotechalfgeleider
BCP56 Nieuwe en originele voorraden

BCP56 Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor NPN 80 V 1,2 de Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT) van A1 W
ON Semi / Katalysator Semi
BCP56 Nieuwe en originele voorraden

BCP56 Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor NPN 80 V 1,2 de Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT) van A1 W
ON Semi / Katalysator Semi
BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden

BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor NPN 80 V 1 een 100MHz 2 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
Diotechalfgeleider
BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden

BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor NPN 80 V 1 een 100MHz 2 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
Diotechalfgeleider
BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden

BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden

Bipolaire (BJT) transistor NPN 80 V 1 A 1,6 W Opbouwmontage SOT-223
Anbon Semi
BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden

BCP56-16 Nieuwe en originele voorraden

Bipolaire (BJT) transistor NPN 80 V 1 A 1,6 W Opbouwmontage SOT-223
STMicroelectronics
BCP69 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

BCP69 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

De bipolaire Transistor PNP 20 V 1,5 de Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT) van A1 W
Fairchild
BCP69-16 Nieuwe en originele voorraden

BCP69-16 Nieuwe en originele voorraden

Bipolaire Transistor 20 V 1 een 100MHz 3 w-Oppervlakteonderstel pg-sot223-4 (van BJT)
Infineon
BCV46QTA Nieuwe en oorspronkelijke voorraad

BCV46QTA Nieuwe en oorspronkelijke voorraad

De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - Darlington 60 V 500 mA 200MHz 310 mw-Oppervlakteonderstel dr
DIODEN
BCV46-QR Nieuwe en oorspronkelijke voorraad

BCV46-QR Nieuwe en oorspronkelijke voorraad

De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - Darlington 60 V 500 mA 250 mw-Oppervlakte zet aan-236AB op
Nexperia
BCV46TA Nieuwe en oorspronkelijke voorraad

BCV46TA Nieuwe en oorspronkelijke voorraad

De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - Darlington 60 V 500 mA 200MHz 330 mw-Oppervlakteonderstel dr
DIODEN
BCV47,235 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BCV47,235 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De bipolaire Transistor NPN (van BJT) - Darlington 60 V 500 mA 220MHz 250 mw-Oppervlakte zet aan-236
Nexperia
BCV47,215 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BCV47,215 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De bipolaire Transistor NPN (van BJT) - Darlington 60 V 500 mA 220MHz 250 mw-Oppervlakte zet aan-236
Nexperia
BCV46,215 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BCV46,215 Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - Darlington 60 V 500 mA 220MHz 250 mw-Oppervlakte zet aan-236
Nexperia
BCV47TA Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

BCV47TA Nieuwe en oorspronkelijke bestanden

De bipolaire Transistor NPN (van BJT) - Darlington 60 V 500 mA 170MHz 330 mw-Oppervlakteonderstel dr
DIODEN
IRFP2907PBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

IRFP2907PBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

N-Channel 75 V 209A (Tc) 470W (Tc) Door Gat aan-247AC
Infineon
IRFP4868PBF veld-effect transistor

IRFP4868PBF veld-effect transistor

N-kanaal 300 V 70A (Tc) 517W (Tc) Through-hole TO-247AC
Infineon
IRFP450LC veld-effect transistor nieuw en origineel

IRFP450LC veld-effect transistor nieuw en origineel

N-kanaal 500 V 14A (Tc) 190W (Tc) Through-hole TO-247AC
VISHAY
IRFP250MPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel

IRFP250MPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel

N-kanaal 200 V 30A (Tc) 214W (Tc) Through-hole TO-247AC
Infineon
IRFPE40PBF veld-effect transistor nieuw en origineel

IRFPE40PBF veld-effect transistor nieuw en origineel

N-Channel 800 V 5.4A (Tc) 150W (Tc) Door Gat aan-247AC
VISHAY
IRG4BC40UPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

IRG4BC40UPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

IGBT 600 V 40 A 160 W Through-hole TO-220AB
Infineon
LH1525AABTR veld-effect transistor nieuw en origineel

LH1525AABTR veld-effect transistor nieuw en origineel

In vaste toestand spst-GEEN (1 Vorm A) 6-SMD (0,300“, 7.62mm)
VISHAY
IRFL014NTRPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel

IRFL014NTRPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel

N-Channel de Oppervlakteonderstel dronkaard-223 55 van V 1.9A (Ta) 1W (Ta)
Infineon
BC847BS Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BC847BS Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

Bipolaire de Transistorserie de Oppervlakteonderstel Sc-88 (van BJT) 2 van NPN (Dubbele) 45V 100mA 2
ON Semi / Katalysator Semi
BC847BW Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

BC847BW Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL

De bipolaire Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
Diotechalfgeleider
BC847W,135 Oppervlakte montage inductor Nieuw en originele voorraad

BC847W,135 Oppervlakte montage inductor Nieuw en originele voorraad

De bipolaire Transistor NPN 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
NXP
BC848B Hoogfrequentietransistor Nieuw en origineel

BC848B Hoogfrequentietransistor Nieuw en origineel

De bipolaire Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
BC856B Hoogspanningstransistor Nieuw en origineel

BC856B Hoogspanningstransistor Nieuw en origineel

De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
BC856B Power Transistor nieuw en origineel

BC856B Power Transistor nieuw en origineel

De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 150MHz 350 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
Good-Ark halfgeleider
BC856BW Power Transistor Nieuw en origineel

BC856BW Power Transistor Nieuw en origineel

De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
Diotechalfgeleider
BC856W-QX Verstelbare inductor Nieuw en origineel

BC856W-QX Verstelbare inductor Nieuw en origineel

De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
Nexperia
BC856S Verstelbare inductor Nieuwe en originele voorraad

BC856S Verstelbare inductor Nieuwe en originele voorraad

Bipolaire de Transistorserie de Oppervlakteonderstel dronkaard-363 (van BJT) 2 van PNP (Dubbele) 65V
Diotechalfgeleider
BC856W-QF Nieuwe en originele voorraden

BC856W-QF Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
Nexperia
BC856W/ZL115 Nieuwe en originele voorraden

BC856W/ZL115 Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor (van BJT)
NXP
BC857,215 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

BC857,215 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz (van BJT) 250 mw-Oppervlakte zet aan-236AB op
Nexperia
BC857A Nieuwe en oorspronkelijke voorraad

BC857A Nieuwe en oorspronkelijke voorraad

De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
BC857BS Nieuwe en originele voorraden

BC857BS Nieuwe en originele voorraden

Bipolaire de Transistorserie de Oppervlakteonderstel dronkaard-363 (van BJT) 2 van PNP (Dubbele) 45V
Vervaardiging
BC857BW Nieuwe en originele voorraden

BC857BW Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
Diotechalfgeleider
BC857C Nieuwe en originele voorraden

BC857C Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 150MHz 350 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
Good-Ark halfgeleider
BC857BW Nieuwe en originele voorraden

BC857BW Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
Diotechalfgeleider
BC857C Nieuwe en originele voorraden

BC857C Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
BC857W,135 Nieuwe en originele voorraden

BC857W,135 Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
Nexperia
BC857W,115 Nieuwe en originele voorraden

BC857W,115 Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-323 (van BJT)
Nexperia
BC858B Nieuwe en originele voorraden

BC858B Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
BC858B Nieuwe en originele voorraden

BC858B Nieuwe en originele voorraden

De bipolaire Transistor PNP 30 V 100 mA 100MHz 250 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
Infineon
BCM857BS,115 Nieuwe en originele voorraden

BCM857BS,115 Nieuwe en originele voorraden

Bipolaire de Transistorserie Dubbele) Aangepaste het Paar45v 100mA 175MHz 300mW Oppervlakte 2 (van B
Nexperia
BCM857BS-7-F Nieuwe en originele voorraden

BCM857BS-7-F Nieuwe en originele voorraden

Bipolaire de Transistorserie de Oppervlakteonderstel dronkaard-363 (van BJT) 2 van PNP (Dubbele) 45V
DIODEN
BCP51 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

BCP51 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

De bipolaire Transistor PNP 45 V 1,5 de Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT) van A1 W
ON Semi / Katalysator Semi
8 9 10 11 12