Filters
Filters
elektronische ic spaanders
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 215mA (DC) Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCV46TC Nieuwe en oorspronkelijke voorraad |
De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - Darlington 60 V 500 mA 200MHz 330 mw-Oppervlakteonderstel dr
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BCV47QTC Nieuwe en oorspronkelijke voorraad |
Bipolaire (BJT) transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 170MHz 310 mW Opbouwmontage SOT-23-3
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BCV47TC Nieuwe en oorspronkelijke voorraad |
De bipolaire Transistor NPN (van BJT) - Darlington 60 V 500 mA 170MHz 330 mw-Oppervlakteonderstel dr
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BCV47 TR PBFREE Nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire (BJT) transistor NPN - Darlington 60 V 500 mA 220MHz 350 mW Opbouwmontage SOT-23
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCX51-10F Nieuwe en originele voorraden |
Bipolaire (BJT) transistor PNP 45 V 1 A 145MHz 500 mW Opbouwmontage SOT-89
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCX51,115 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 1 een 145MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCX5116TA NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 1 een 150MHz 1 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89-3 (van BJT)
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BCX51-16TF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 1 een 500 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCX51-16,135 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 1 een 145MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCX52-10-TP NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 60 V 1 een 50MHz 500 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCX52-10TF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 60 V 1 een 500 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCX5210TA Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 60 V 1 een 150MHz 1 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89-3 (van BJT)
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BCX51-16,115 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 1 een 145MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCX52-10,115 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor PNP 60 V 1 een 145MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-89 (van BJT)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
KBU8M-E4/51 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De Enige Fase Standard 1 kV van de bruggelijkrichter door Gat KBU
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRL2203NPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 116A (Tc) 180W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VERSUS - 40 TPS 12 A.M. 3 Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
SCR 1,2 kV 55 een Standaardterugwinning door Gat aan-247AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
KSC2073 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
De bipolaire Transistor NPN 150 V 1,5 A 4MHz 25 W (van BJT) door Gat aan-220-3
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
IRLL110TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 100 V 1.5A (Tc) 2W (Ta) de Oppervlakteonderstel dronkaard-223, van 3.1W (Tc)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF7309TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie 30V 4A, de Oppervlakte van 3A 1.4W zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7205TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakte 30 van V 4.6A (Ta) 2.5W (Tc) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7493TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 80 van V 9.3A (Tc) 2.5W (Tc) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7424TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakte 30 van V 11A (Ta) 2.5W (Ta) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7416TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakte 30 van V 10A (Ta) 2.5W (Ta) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7504TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie20v 1.7A 1.25W Oppervlakte zet Micro8™ op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7317TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie 20V 6.6A, de Oppervlakte van 5.3A 2W zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VERSUS-40CPQ100-N3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 40A Through-hole TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-40CPQ060PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 60 V 20A Through-hole TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-40CPQ100PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 20A Through-hole TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLR3410TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-kanaal 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Opbouwmontage D-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLR8729TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 30 van V 58A (Tc) 55W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLR7843TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 30 van V 161A (Tc) 140W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLR2905TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 55 van V 42A (Tc) 110W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLR8743TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-kanaal 30 V 160A (Tc) 135W (Tc) Opbouwmontage D-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLR9343TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakteonderstel pg-to252-3 55 van V 20A (Tc) 79W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLR3114ZTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-kanaal 40 V 42A (Tc) 140W (Tc) Opbouwmontage D-Pak
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLR8726TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 30 van V 86A (Tc) 75W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLR3636TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 60 van V 50A (Tc) 143W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLR2905ZTRPBF Nieuwe en originele voorraden |
N-Channel de Oppervlakte 55 van V 42A (Tc) 110W (Tc) zet D-Pak op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BAV21 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diode 250 V 250mA Through-hole DO-35
|
Fairchild
|
|
|
|
|
|
BAV23CLT1G Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke kathode 250 V 400mA Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
BAV23A,215 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke anode 200 V 225mA (DC) Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV23A-7-F Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke anode 200 V 400mA (DC) Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BAV23S veld-effect transistor |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 250 de Oppervlakte van V 225mA zet aan-236-3, Sc-59, dro
|
Good-Ark halfgeleider
|
|
|
|
|
|
BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
De diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 75 de Oppervlakte van V 215mA zet aan-236-3, Sc-59,
|
Fairchild
|
|
|
|
|
|
BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 215mA (DC) Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke kathode 70 V 200mA Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Good-Ark halfgeleider
|
|
|
|
|
|
BAV70 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke kathode 70 V 200mA Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BAV70S,135 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 2 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 250mA (DC) Opbouwmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
Nexperia
|
|
|