Filters
Filters
elektronische ic spaanders
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BAV70W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke kathode 75 V 300mA Opbouwmontage SC-70, SOT-323
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
BAV70W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke kathode 75 V 150mA Opbouwmontage SC-70, SOT-323
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BAV99 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
De diodeserie Verbinding van de 1 Paarreeks 70 de Oppervlakte van V 215mA zet aan-236-3, Sc-59, dron
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAV99S_R1_00001 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
Diodearray 2 paar serieschakeling 75 V 150mA Opbouwmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAV99S,135 Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 2 paar serieschakeling 100 V 200mA (DC) Opbouwmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV99S,115 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diodearray 2 paar serieschakeling 100 V 200mA (DC) Opbouwmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV99W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar serieschakeling 75 V 150mA Opbouwmontage SC-70, SOT-323
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BAW56 veld-effect transistor nieuw en origineel |
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAW56 veld-effect transistor nieuw en origineel |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke anode 85 V 200mA Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Fairchild
|
|
|
|
|
|
BAW56 veld-effect transistor nieuw en origineel |
Diode Array 1 paar gemeenschappelijke anode 70 V 200mA Opbouwmontage
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BAW56S,115 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diodearray 2 paar gemeenschappelijke anode 90 V 250mA (DC) Opbouwmontage 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BAV99W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodearray 1 paar serieschakeling 75 V 150mA Opbouwmontage SC-70, SOT-323
|
Good-Ark halfgeleider
|
|
|
|
|
|
BAW56 veld-effect transistor nieuw en origineel |
Diodearray 1 paar gemeenschappelijke anode 70 V 200mA Opbouwmontage TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
Good-Ark halfgeleider
|
|
|
|
|
|
BC807RAZ Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire (BJT) Transistor Array 2 PNP (dubbel) 45V 500mA 80MHz 350mW Opbouwmontage DFN1412-6
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BC807-16 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BC807-16 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BC807-16W Transistor met veldeffect |
Bipolaire (BJT) transistor PNP 45 V 500 mA 80MHz 200 mW Opbouwmontage SOT-323
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BC807-25 Transistor met veldeffect NEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BC807-25 Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 310 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BC807-40 Transistor met veldeffect |
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC807-40 Transistor met veldeffect |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BC807-40 Transistor met veldeffect |
De bipolaire Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
Good-Ark halfgeleider
|
|
|
|
|
|
BC817RAZ Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Bipolair (BJT) Transistor Array 2 NPN (dubbel) 45V 500mA 100MHz 350mW Opbouwmontage DFN1412-6
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BC817-16 Transistor met veldeffect |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BC817-16W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire (BJT) transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 200 mW Opbouwmontage SOT-323
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BC817-25 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BC817-16 Transistor met veldeffect |
Bipolaire (BJT) transistor NPN 45 V 800 mA 100MHz 310 mW Opbouwmontage SOT23-3 (TO-236)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BC817-16W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
De bipolaire Transistor (van BJT)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BC817-25 Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BC817-40 Transistor met veldeffect |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 300 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BC846B Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 300MHz 350 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 (van BJT)
|
Good-Ark halfgeleider
|
|
|
|
|
|
BC846B Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
De bipolaire Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 200 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-23 (van BJT)
|
De Halfgeleiderbedrijf van Taiwan
|
|
|
|
|
|
BC846BPN,115 Transistor met veldeffect |
De bipolaire de Transistorserie NPN, de Oppervlakte (van BJT) van PNP 65V 100mA 100MHz 300mW zet 6-T
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP53-10 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 80 V 1 een 120MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
|
|
|
BCP53-10 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 80 V 1 een 120MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 80 V 1 een 120MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
|
|
|
BCP53-16 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor PNP 80 V 1 een 50MHz 1,6 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BCP54 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 1,5 een 1,5 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT)
|
Fairchild
|
|
|
|
|
|
BCP54 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 1,5 een 1,5 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT)
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
IRFL4310TRPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-kanaal 100 V 1,6A (Ta) 1W (Ta) Opbouwmontage SOT-223
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFL024NTRPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-Channel de Oppervlakteonderstel dronkaard-223 55 van V 2.8A (Ta) 1W (Ta)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BCP53 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 80 V 1,2 A 1,5 W Opbouwmontage SOT-223-4
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
IRF540NPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-Channel 100 V 33A (Tc) 130W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BK/GMT-7-1/2A Fuse chip nieuwe en originele voorraad |
de Zekering die van 7.5A 125 VAC 60 VDC op Zekering wijzen vereist Houder
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
BCP54-16,135 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 1 een 180MHz 960 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP54-16,115 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 45 V 1 een 180MHz 960 mw-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
BCP55 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1,5 een 1,5 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT)
|
Fairchild
|
|
|
|
|
|
BCP55-10 Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1 een 100MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
|
|
|
BCP55-10 Nieuwe en originele voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1 een 100MHz 1,3 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223 (van BJT)
|
Diotechalfgeleider
|
|
|
|
|
|
BCP55 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden |
De bipolaire Transistor NPN 60 V 1,5 een 1,5 w-Oppervlakteonderstel dronkaard-223-4 (van BJT)
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|