Filters
Filters
Elektronische Componenten
| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF3710STRLPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-Channel de Oppervlakte 100 van V 57A (Tc) 200W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRLML0060TRPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-Channel de Oppervlakte 60 van V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) zet Micro3™/SOT-23 op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50KDPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
IGBT 600 V 52 A 200 W door Gat aan-247AC
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
|
IRF640PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-kanaal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) door gat TO-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CDSOT23-SM712 Ic Chip Programmering Circuit Board RS-485 Port Protection |
26V, 14V Klem 17A (8/20μs) Ipp Tvs Diode Oppervlakte Mount SOT-23-3
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
TIL117M Elektronische componenten Integrated Circuit Chip Program Memory |
Optoisolator Transistor met basisuitgang 7500Vpk 1 kanaal 6-DIP
|
ON Semi / Katalysator Semi
|
|
|
|
|
|
VERSUS-HFA25TB60PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 600 V 25A door Gat aan-220AC
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
PDTC144ET Chip Diode Nieuwe en originele voorraad |
Bipolaire transistors met voorgevoeligheid (BJT)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFS4115TRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
N-Channel de Oppervlakte 150 van V 195A (Tc) 375W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
V40150C-E3/4W Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 150 V 20A door Gat aan-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-Channel de Oppervlakte 30 van V 5.3A (Ta) 1.3W (Ta) zet Micro3™/SOT-23 op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
2N7002BKS,115 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie60v 300mA (Ta) 295mW Oppervlakte zet 6-TSSOP op
|
Nexperia
|
|
|
|
|
|
IRF830BPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
S3D-E3/57T NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode 200 de Oppervlakte van V 3A zet -214AB (SMC) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SI3456DDV-T1-GE3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 6.3A (Tc) 1.7W (Ta) de Oppervlakte, van 2.7W (Tc) zet 6-TSOP op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SUP85N03-04P-E3 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel 30 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 166W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF8736TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 30 van V 18A (Ta) 2.5W (Ta) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BAS516 Nieuwe en originele voorraden |
Diode 75 de Oppervlakteonderstel zode-523 van V 250mA
|
Good-Ark halfgeleider
|
|
|
|
|
|
SIR688DP-T1-GE3 Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5.4W (Ta) de Oppervlakte, van 83W (Tc) zet PowerPAK® zo-8 op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF3205ZPBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF3205PBF veld-effect transistor nieuw en origineel |
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF3710ZPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
N-Channel 100 V 59A (Tc) 160W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
BYG10M-E3/TR Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
Diode 1000 de Oppervlakte van V 1.5A zet -214AC (SMA) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF2807PBF Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
N-Channel 75 V 82A (Tc) 230W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF2804STRLPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-Channel de Oppervlakte 40 van V 75A (Tc) 300W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF2805STRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
N-Channel de Oppervlakte 55 van V 135A (Tc) 200W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF2804PBF Transistor met veldeffect NIEUW EN ORIGINAAL |
N-Channel 40 V 75A (Tc) 300W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4310ZTRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
N-Channel de Oppervlakte 100 van V 120A (Tc) 250W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS7530TRLPBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel |
N-Channel de Oppervlakteonderstel pg-to263-2 60 van V 195A (Tc) 375W (Tc)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS4127TRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
N-Channel de Oppervlakte 200 van V 72A (Tc) 375W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS38N20DTRLP Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
N-Channel 200 V 43A (Tc) 3.8W (Ta) de Oppervlakte, van 300W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFS3607TRLPBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad |
N-Channel de Oppervlakte 75 van V 80A (Tc) 140W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
DMG3415U-7 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakteonderstel dronkaard-23-3 20 van V 4A (Ta) 900mW (Ta)
|
DIODEN
|
|
|
|
|
|
SMAJ48A-E3/61 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
77.4V de de Diodeoppervlakte van klem5.2a Ipp TVs zet -214AC (SMA) op
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
P6SMB24A-E3/52 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
33,2V Klem 18,1A Ipp Tvs Diode Opbouwmontage DO-214AA (SMB)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VS-EPH3006-F3 Nieuwe en originele voorraad |
Diode 600 V 30A Through-hole TO-247AC gemodificeerd
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
43CTQ100 NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 20A Through-hole TO-220-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFH5215TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-kanaal 150 V 5A (Ta), 27A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) Opbouwmontage PQFN (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFHM830TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-kanaal 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2,7W (Ta), 37W (Tc) Opbouwmontage 8-PQFN-dubbel (3,3x3,3)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7301TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie20v 5.2A 2W Oppervlakte zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7451TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 150 van V 3.6A (Ta) 2.5W (Ta) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFH5015TRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-kanaal 150 V 10A (Ta), 56A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Opbouwmontage 8-PQFN (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRFH4253DTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet-array 25V 64A, 145A 31W, 50W Opbouwmontage PQFN (5x6)
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
VERSUS-30CPQ100PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 100 V 15A Through-hole TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
VERSUS-30CPH03PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Diode-array 1 paar gemeenschappelijke kathode 300 V 15A Through-hole TO-247-3
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF4905STRLPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel de Oppervlakte 55 van V 42A (Tc) 170W (Tc) zet D2PAK op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7316TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie30v 4.9A 2W Oppervlakte zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7842TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
N-Channel de Oppervlakte 40 van V 18A (Ta) 2.5W (Ta) zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
IRF7105TRPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
Mosfet de Serie 25V 3.5A, de Oppervlakte van 2.3A 2W zet 8-ZO op
|
Infineon
|
|
|
|
|
|
Si7615adn-t1-GE3 Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD |
P-Channel 20 V 35A (Tc) 3.7W (Ta) de Oppervlakte, van 52W (Tc) zet PowerPAK® 1212-8 op
|
VISHAY
|
|
|

