Bericht versturen
Huis > producten > Elektronische Componenten

Elektronische Componenten

Beelddeel #BeschrijvingfabrikantVoorraadRFQ
VS-85CNQ015APBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

VS-85CNQ015APBF Field Effect Transistor Nieuwe en originele voorraad

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 15 de Chassisonderstel D-61-8 van V 40A
VISHAY
Versus-HFA16PA60CPBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Versus-HFA16PA60CPBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 600 V 8A (gelijkstroom) Door Gat aan-247-3
VISHAY
HFA08PB60 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

HFA08PB60 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diode 600 V 8A door Gewijzigd Gat aan-247AC
VISHAY
IRFU220NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFU220NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
Infineon
IRF1404LPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1404LPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 40 V 162A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Door Gat aan-262
Infineon
IRFU3910PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFU3910PBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 100 V 16A (Tc) 79W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
Infineon
IRFU9024NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFU9024NPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Door Gat IPAK (aan-251AA)
Infineon
Versus-HFA08SD60STRPBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Versus-HFA08SD60STRPBF Gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diode 600 de Oppervlakte van V 8A zet D-PAK (aan-252AA) op
VISHAY
80CNQ045ASM gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

80CNQ045ASM gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

Diodeserie 1 Paar Gemeenschappelijke Kathode 45 V 40A door Gat D-61-8-SM
VISHAY
IRF1018EPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1018EPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF100B201 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF100B201 gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF1405PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1405PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 55 V 169A (Tc) 330W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF1407STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1407STRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 75 V 100A (Tc) 3.8W (Ta) de Oppervlakte, van 200W (Tc) zet D2PAK op
Infineon
IRF1312PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1312PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 80 V 95A (Tc) 3.8W (Ta), 210W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRF1404ZSTRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRF1404ZSTRLPBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakteonderstel pg-to263-3 40 van V 180A (Tc) 200W (Tc)
Infineon
IRLB3034PBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel

IRLB3034PBF Field Effect Transistor Nieuw en origineel

N-kanaal 40 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through-hole TO-220AB
Vervaardiging
IRLB3036PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRLB3036PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRLB3813PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRLB3813PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 30 V 260A (Tc) 230W (Tc) Door Gat aan-220AB
Infineon
IRFD120PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFD120PBF gebiedseffect Transistor NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Door Gat 4-HVMDIP
VISHAY
IRFR3709ZTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

IRFR3709ZTRPBF NIEUWE EN ORIGINELE VOORRAAD

N-Channel de Oppervlakte 30 van V 86A (Tc) 79W (Tc) zet D-Pak op
Infineon
Hoge ESD-tolerantie diode synchrone rechtgever PTZTE2518B Kleine krachtvormtype

Hoge ESD-tolerantie diode synchrone rechtgever PTZTE2518B Kleine krachtvormtype

Zenerdiode 18 de Oppervlakte van V 1 W ±6% zet PMDS op
Rohm halfgeleider
2SC2712-GR,LF Flash Memory IC Nieuw en origineel voorraad

2SC2712-GR,LF Flash Memory IC Nieuw en origineel voorraad

De bipolaire Transistor NPN 50 V 150 mA 80MHz (van BJT) 150 mw-Oppervlakte zet s-Mini op
TOSHIBA
2SC2712-Y,LF Flash Memory IC Nieuw en origineel voorraad

2SC2712-Y,LF Flash Memory IC Nieuw en origineel voorraad

De bipolaire Transistor NPN 50 V 150 mA 80MHz (van BJT) 150 mw-Oppervlakte zet s-Mini op
TOSHIBA
TIP127 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

TIP127 Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

De bipolaire Transistor PNP (van BJT) - Darlington 100 V 5 A 2 W door Gat aan-220
ON Semi / Katalysator Semi
TIP31C Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

TIP31C Nieuwe en oorspronkelijke voorraden

Bipolaire (BJT) transistor NPN 100 V 3 A 2 W door gat TO-220
STMicroelectronics
8ETH06 Flash geheugen IC NUWE EN ORIGINALE voorraad

8ETH06 Flash geheugen IC NUWE EN ORIGINALE voorraad

Diode 600 V 8A Through-hole TO-220AC
VISHAY
BCM846SH6327XTSA1 Flash geheugen IC Nieuwe en originele voorraad

BCM846SH6327XTSA1 Flash geheugen IC Nieuwe en originele voorraad

Bipolaire (BJT) transistorarray 2 NPN (dubbel) 65V 100mA 250MHz 250mW Opbouwmontage PG-SOT363-PO
Infineon
GRM033R71A122KA01D Nieuwe en originele voorraden

GRM033R71A122KA01D Nieuwe en originele voorraden

1200 pF ±10% de Ceramische Condensator X7R 0201 van 16V (Metrische 0603)
Murata
GRM155R61C105KA12D Hoogtemperatuurcondensator Nieuw en origineel

GRM155R61C105KA12D Hoogtemperatuurcondensator Nieuw en origineel

1 µF ±10% 16V keramische condensator X5R 0402 (1005 metrisch)
Murata
2 3 4 5 6