| Beeld | deel # | Beschrijving | fabrikant | Voorraad | RFQ |
|---|
|
|
PS2805C-1-F3-HOGE DE KRINGSraad IC VAN DE ISOLATIEvolume TAGE AC INPUT
|
De Output 2500Vrms 1 Kanaal 4-SSOP van de Optoisolatortransistor
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
SLA6020 motoraandrijving van PNP + van NPN DarliCM GROUPon driefasen het testen machtstransistors
|
Bipolair (BJT) Transistorarray 3 NPN, 3 PNP DarliCM GROUPon (3-fase brug) 100V 5A 5W Through-hole 12
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Resettable raad van de de Catalogus12v geleide kring van de het Apparaten Korte Vorm van RXEF090 PolySwitch™
|
Polymere PTC Resettable Zekering 72V 900 mA Ih door Radiaal Gat, Schijf
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
IRL3713PBF machtsmosfet Transistor elektroic HEXFET Machtsmosfet
|
N-Channel 30 V 260A (Tc) 330W (Tc) Door Gat aan-220AB
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
NTD5802NT4G machtsmosfet 40 V mosfet van de omschakelingsmacht
|
N-Channel 40 V 16.4A (Ta), 101A (Tc) 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Surface Mount DPAK
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
EGL41D-E3/97 de oppervlakte zet het Glas Gepassiveerde Ultrasnelle model van de Gelijkrichter dubbele diode op
|
Diode 200 de Oppervlakte van V 1A zet -213AB op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
NDS9952A machtsmosfet Transistor Dubbele het Gebiedseffect van N & P-Channel Transistor
|
Mosfet-array 30V 3,7A, 2,9A 900mW Opbouwmontage 8-SOIC
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
SGP02N120 machtsmosfet Transistor Snelle s-IGBT in NPT-Technologie
|
IGBT NPT 1200 V 6,2 A 62 W door Gat pg-to220-3-1
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
BCP56-16 machtsmosfet Transistornpn middelhoogvermogentransistors
|
Bipolaire (BJT) transistor NPN 80 V 1 A 1,6 W Opbouwmontage SOT-223
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
TIP41C machtsmosfet Transistors van de het Siliciummacht van de Moduletransistor de Bijkomende
|
Bipolaire (BJT) transistor NPN 100 V 6 A 65 W Through-hole TO-220
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
TIP120 machtsmosfet Transistors van het Transistor de Bijkomende Silicium
|
De bipolaire Transistor NPN (van BJT) - DarliCM GROUPon 60 V 5 A 2 W door Gat aan-220
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
2sb1151-y-BP Lage Mosfet van de het Voltage Grote Huidige Hoge Macht van de Collectorverzadiging Transistors
|
De bipolaire Transistor PNP 60 V 5 A 1,25 W (van BJT) door Gat aan-126
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
2SB1219A machtsmosfet Epitaxial Vlaktype van Transistorsilicium PNP
|
De bipolaire Transistor PNP 50 V 500 mA 200MHz (van BJT) 150 mw-Oppervlakte zet SMini3-G1 op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de de Machtstransistor van BD442 PNP de Hoge Machtsmosfet Transistor/Machtsmosfet Ic
|
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 80 V 4 A 3MHz 36 W Through-hole TO-126
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
2N5486 machtsmosfet Transistorn-channel rf Versterkern-channel JFETS
|
Rf-Mosfet 15 V 4 mA 400MHz aan-92-3
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
FDS6975 machtsmosfet Module Dubbel P - Kanaal, PowerTrenchTM-MOSFET
|
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
IRF7601PBF algemeen doelmosfet Machtsmosfet Transistorn Kanaal
|
N-Channel de Oppervlakte 20 van V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) zet Micro8™ op
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
200A machtsmosfet de Machtsmosfet IRFP260NPBF van de Transistor Snelle Omschakeling
|
N-Channel 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) Door Gat aan-247AC
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
IRFR9120N machtsmosfet Transistor P - de machtsmosfet van de Kanaalomschakeling
|
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
De machtsmosfet van P10NK80ZFP smd Machtsmosfet MOSFET van Transistorn-channel zener-Beschermde⑩ SuperMESHPower
|
N-Channel 800 V 9A (Tc) 40W (Tc) Door Gat aan-220FP
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Dmg2307l-7 lage Machtsmosfet Transistor, machtsmosfet module Laag bij de Weerstand
|
P-kanaal 30 V 2,5 A (Ta) 760 mW (Ta) Opbouwmontage SOT-23-3
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
De Machtsmosfet van NJW0281G NJW0302G Transistor, de Machtstransistors van NPN PNP
|
Bipolaire (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30MHz 150 W Through-hole TO-3P-3L
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
TIP50 Mosfet van de omschakelingsmacht Transistor, mosfet van de hoogspanningsmacht
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 10MHz 2 W Through Hole TO-220
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
NJW0302G bijkomende Mosfet van de omschakelingsmacht Transistor, NPN - PNP-Machts Bipolaire Transistors
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Si7846dp-t1-E3 n-Kanaal 150-v (D-s) machtsmosfet ic, de Transistor van de Elektronikacomponent
|
N-Channel 150 V 4A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
BC327-40 machtsmosfet de transistor van het Transistorpnp algemene doel
|
Bipolair (BJT) Transistor PNP 45 V 800 mA 100MHz 625 mW Through-hole TO-92
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
BD440 machtsmosfet het Siliciumpnp Transistor van de Transistormacht
|
Bipolaire (BJT) Transistor PNP 60 V 4 A 3MHz 36 W Through-hole TO-126
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
FS3KM-9A#B00 machtsmosfet mosfet van de de omschakelingsmacht van de Transistorhoge snelheid
|
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
2SK3564 mosfet van de de omschakelingsmacht van MOS Type Switching Regulator Applications van het siliciumn Kanaal
|
N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de de kringsraad van BTA24-600BW 25A TRIACS gedrukte bijkomende de machtsmosfet
|
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A Through Hole TO-220
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
P4NK60ZFP machtsmosfet mosfet van de Transistor hoge macht transistors
|
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
FQP30N06 machtsmosfet mosfet ic van de Transistormacht N-Channel MOSFET
|
N-Channel 60 V 30A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de het SILICIUM VLAK (MIDDELHOOGVERMOGENtransistors) omschakeling van ZTX653 de machtsmosfet NPN
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van het SILICIUM VLAK MIDDELHOOGVERMOGENtransistors van ZTX753 PNP de machtsmosfet audio smd machtsmosfet
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 2 A 140MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
IRFB20N50KPBF machtsmosfet mosfet ic van de Transistormacht
|
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de het SILICIUM VLAK MIDDELHOOGVERMOGEN HOGE HUIDIGE TRANSISTOR van ZTX958STZ PNP mosfet van de de hoogspanningsmacht
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 500 mA 85MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
2SA1761, F (j-Machtsmosfet van de de Componentenspaander van de Transistorelektronika de Elektronika van IC
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
P-CHANNEL van ZXMP6A13FTA 60V MOSFET van de VERHOGINGSwijze lage machtsmosfet
|
P-Channel 60 V 900mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
ZVN3306FTA TRANSISTORsot23 SMD MOSFET lineaire machtsmosfet
|
N-Channel 60 V 150mA (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
TYN612 machtsmosfet Vermogen van de module het Hoge Schommeling Hoog op de Huidige Hoge Steek van de Staat
|
SCR 600 V 12 A Standard Recovery Through Hole TO-220
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Van de het Siliciumtransistor van TIP42CTU PNP Epitaxial mosfet van de de omschakelingsmacht, lage machtsmosfet
|
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 3MHz 2 W Through Hole TO-220-3
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
TIP35C de Transistors die van de siliciumnpn Macht machtsmosfet lage machtsmosfet schakelen
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-247-3
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
2SK1582 machtsmosfet de Componentenspaander IC van de Transistorelektronika
|
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
KBP210 lineaire Machtsmosfet Mosfet van de Geulmacht Enige Fase Gelijkrichters van de 2,0 Ampèren de Glas Gepassiveerde Brug
|
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBP
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
KBU810 EENFASIGE de machtsmosfet van BRUGgelijkrichters lineaire mosfet van de geulmacht
|
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBU
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
NTF3055L108T1G machtsmosfet Transistor 3,0 A 60 mosfet van de de geulmacht van V lineaire
|
N-Channel 60 V 3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
TL431AQDBZR, 215 de Regelbare Geïntegreerde Halfgeleider van de Precisieshunt Regelgevers
|
Shunt Voltage Reference IC Adjustable 2.495V 36 VV ±1% 100 mA TO-236AB
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
MJD122G bijkomende DarliCM GROUPon Power Transistor-mosfet van de omschakelingsmacht lage machtsmosfet
|
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
Mosfet van de de Geulmacht van FDS5690 60V Transistor, smd lineaire machtsmosfet
|
N-Channel 60 V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
|
Vervaardiging
|
|
|
|
|
ER1004FCT mosfet van de de GELIJKRICHTERS lage macht van de ISOLATIE SUPERFAST TERUGWINNING mosfet van de hoogspanningsmacht
|
Diode Array 1 Pair Common Cathode 400 V 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
|
Vervaardiging
|
|
|
